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16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决
被引量：
1
1
作者
杨会平
蔡琰
施建安
《电子技术应用》
北大核心
2017年第8期25-27,共3页
信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线...
信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线阶段得到解决,大大缩短了后端设计收敛时间。
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关键词
信号电迁移
16nm
FINFET
自动布局布线
Innovus
voltus
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职称材料
采用Mult-tap标准单元PGV以获取精准的Power EM违例
2
作者
蔡琰
季昊
施建安
《电子技术应用》
北大核心
2016年第8期25-27,共3页
电源电子迁移(Power Electromigration,Power EM)检查在高性能芯片设计中起重要作用。在Voltus进行电源网格分析时,由于在每个标准单元的电源网格视图(Power Grid View,PGV)生成过程中通常只抽取一个电流接入点(tap),从而流入每个标准...
电源电子迁移(Power Electromigration,Power EM)检查在高性能芯片设计中起重要作用。在Voltus进行电源网格分析时,由于在每个标准单元的电源网格视图(Power Grid View,PGV)生成过程中通常只抽取一个电流接入点(tap),从而流入每个标准单元的电流都聚集到一点。但对于大尺寸标准单元,电流实际上是分布到各个接触孔而非集中到一点,因此Power EM结果比实际情况悲观很多。本文描述了一种新的方法,即只对在关键路径上使用并具有高翻转率的大型时钟单元抽取多电流接入点(multi-tap)PGV。通过这种方法,几乎不增加运行时间和内存消耗而使得Power EM准确性得到提高。
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关键词
电源电迁移
电源格点视图
voltus
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职称材料
一种用于跨平台数字后端流程中电压降违例修复的高效自动方法
3
作者
余金金
《中国集成电路》
2020年第7期29-34,共6页
由于半导体芯片设计已经到了纳米量级,单位面积内的标准单元越来越密集。这个可以不断提升芯片的集成度,但同时也让单位面积内的电流密度或者说单位面积的功耗密度不断增加。这就需要数字后端工程师需要在电路设计中考虑电源网络和功耗...
由于半导体芯片设计已经到了纳米量级,单位面积内的标准单元越来越密集。这个可以不断提升芯片的集成度,但同时也让单位面积内的电流密度或者说单位面积的功耗密度不断增加。这就需要数字后端工程师需要在电路设计中考虑电源网络和功耗问题,目的是不要出现过大的压降。目前行业内对最终电压降的违例大多是通过手动修复的方式。这种方式的效率非常低。布局布线工具如cadence的innovus也提供了自动修复的流程。但是默认流程的修复效果不能在最终的签核(signoff)工具中得到验证。这是由于行业内大多设计公司采用了Synopsys的Starrc和PrimeTime作为signoff的工具。而这两个工具对RC参数和时序的算法与Cadence的工具不一致。这就会造成innovus内部看到的电压降情况与voltus signoff的不一致。从而达不到针对性的修复。本文基于行业内流行的跨平台数字后端流程,将signoff阶段的RC和时序数据加载到innovus当中,让innovus看到了和signoff同样的电压降情况,从而做到了自动又高效的电压降违例修复。
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关键词
电压降
innovus
voltus
数字后端
违例修复
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职称材料
题名
16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决
被引量：
1
1
作者
杨会平
蔡琰
施建安
机构
英伟达半导体科技(上海)有限公司北京分公司
出处
《电子技术应用》
北大核心
2017年第8期25-27,共3页
文摘
信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线阶段得到解决,大大缩短了后端设计收敛时间。
关键词
信号电迁移
16nm
FINFET
自动布局布线
Innovus
voltus
Keywords
signal EM
16 nm FinFET
APR
Innovus
voltus
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
采用Mult-tap标准单元PGV以获取精准的Power EM违例
2
作者
蔡琰
季昊
施建安
机构
英伟达半导体科技(上海)有限公司
出处
《电子技术应用》
北大核心
2016年第8期25-27,共3页
文摘
电源电子迁移(Power Electromigration,Power EM)检查在高性能芯片设计中起重要作用。在Voltus进行电源网格分析时,由于在每个标准单元的电源网格视图(Power Grid View,PGV)生成过程中通常只抽取一个电流接入点(tap),从而流入每个标准单元的电流都聚集到一点。但对于大尺寸标准单元,电流实际上是分布到各个接触孔而非集中到一点,因此Power EM结果比实际情况悲观很多。本文描述了一种新的方法,即只对在关键路径上使用并具有高翻转率的大型时钟单元抽取多电流接入点(multi-tap)PGV。通过这种方法,几乎不增加运行时间和内存消耗而使得Power EM准确性得到提高。
关键词
电源电迁移
电源格点视图
voltus
Keywords
power Electromigration
Power Grid View
voltus
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种用于跨平台数字后端流程中电压降违例修复的高效自动方法
3
作者
余金金
机构
燧原科技上海有限公司
出处
《中国集成电路》
2020年第7期29-34,共6页
文摘
由于半导体芯片设计已经到了纳米量级,单位面积内的标准单元越来越密集。这个可以不断提升芯片的集成度,但同时也让单位面积内的电流密度或者说单位面积的功耗密度不断增加。这就需要数字后端工程师需要在电路设计中考虑电源网络和功耗问题,目的是不要出现过大的压降。目前行业内对最终电压降的违例大多是通过手动修复的方式。这种方式的效率非常低。布局布线工具如cadence的innovus也提供了自动修复的流程。但是默认流程的修复效果不能在最终的签核(signoff)工具中得到验证。这是由于行业内大多设计公司采用了Synopsys的Starrc和PrimeTime作为signoff的工具。而这两个工具对RC参数和时序的算法与Cadence的工具不一致。这就会造成innovus内部看到的电压降情况与voltus signoff的不一致。从而达不到针对性的修复。本文基于行业内流行的跨平台数字后端流程,将signoff阶段的RC和时序数据加载到innovus当中,让innovus看到了和signoff同样的电压降情况,从而做到了自动又高效的电压降违例修复。
关键词
电压降
innovus
voltus
数字后端
违例修复
Keywords
IR Drop
innovus
voltus
physical design
violation fix
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决
杨会平
蔡琰
施建安
《电子技术应用》
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
2
采用Mult-tap标准单元PGV以获取精准的Power EM违例
蔡琰
季昊
施建安
《电子技术应用》
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
3
一种用于跨平台数字后端流程中电压降违例修复的高效自动方法
余金金
《中国集成电路》
2020
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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