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题名提高高厚径比通孔电镀铜均匀性的溶液流动性研究
被引量：2
- 1
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作者
陈超
王翀
何为
唐耀
张伟华
陶应国
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机构
电子科技大学材料与能源学院
珠海方正科技高密电子有限公司
四川海英电子科技有限公司
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出处
《印制电路信息》
2022年第2期19-24,共6页
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基金
国家自然科学基金委项目(Nos.51801018和61974020)
珠海市创新团队项目(No.ZH0405190005PWC)
+2 种基金
广东省重点领域研发计划项目(No.2019B090910003)
珠海市科技项目(No.ZH01084702180040HJL)
四川省科技项目(No.2019ZHCG0020)的资助
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文摘
随着高端印制电路板的层数不断增多,通孔厚径比不断提高,现有技术已经很难满足当前微通孔金属化需求。传统通孔电镀采用的龙门线或垂直连续电镀线,主要采用底部打气或喷流的方式实现镀液的对流,很难促进高厚径比通孔内的物质输运。文章通过设计螺旋桨转动对流仿真模型,研究了镀槽中桨叶形成镀液对流对高厚径比通孔电镀的效果。螺旋桨转动形成的强制对流使镀液在电镀槽中形成环流,板件两面的镀液间形成压差推动镀液在通孔内流动,有效提高了电镀活性组分在微通孔内的输运效率。并通过实验槽电镀实验,对比了传统扰流和螺旋桨扰流下的电镀通孔效果,在相同的施镀条件下螺旋桨扰流的电镀通孔均匀能力更高。
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关键词
通孔电镀
高厚径比
流体仿真
强制对流
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Keywords
through hole electroplating
High Aspect Ratio
Fluid Simulation
Forced Convection
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名数值模拟方法在周期换向脉冲电镀通孔中的应用
被引量：1
- 2
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作者
张远航
安茂忠
杨培霞
张锦秋
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机构
哈尔滨工业大学化工与化学学院
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出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期130-136,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(No.21972037)
城市水资源和和环境重点实验室(哈尔滨工业大学)项目(No.2021TS07)资助。
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文摘
5G通信技术的升级使得通信背板层数增加,板上通孔的厚径比也相应增加,使用传统直流电沉积进行互连难度提高。而周期换向脉冲电镀方法对高厚径比通孔均匀电镀有明显的改善。通过使用数值模拟方法对周期换向脉冲在通孔电镀中的参数进行了研究,并使用正交实验方法对周期换向脉冲电镀的各参数对通孔均镀能力的影响主次顺序和影响规律进行了分析。筛选出了优水平组合为:正向峰值电流密度1 A·dm^(-2),正反向峰值电流密度比1:4,反向峰宽1 ms,正反向峰宽比30:1,正向占空比1,反向占空比1,正向峰个数2,反向峰个数3。研究结果表明,与直流电镀相比,数值模拟方法优化后的周期换向脉冲电镀参数能够有效提高通孔的均镀能力,并且能够应用于实际电沉积通孔中。该实验结果可为数值模拟方法对周期换向脉冲电镀的优化提供理论支持和新思路。
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关键词
数值模拟
通孔电镀
周期换向脉冲电镀
均镀能力
正交实验
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Keywords
numerical simulation
through hole electroplating
periodic pulse reverse electroplating
throwing power
orthogonal test
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TQ153
[化学工程—电化学工业]
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题名印制板用硫酸铜电镀技术
被引量：1
- 3
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作者
蔡积庆
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机构
江苏南京
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出处
《印制电路信息》
2013年第7期36-40,70,共6页
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文摘
概述了PCB用CuSO4电镀技术及其课题以及贯通孔电镀的课题和对策。
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关键词
印制电路板
硫酸铜电镀
贯通孔电镀
课题
对策
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Keywords
PCB
CuSO4electroplating
through hole electroplating
Project
Solution
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高深径比TSV填孔电镀技术
被引量：2
- 4
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作者
牛通
李浩
崔凯
王从香
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机构
南京电子技术研究所
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出处
《电子机械工程》
2020年第1期55-59,共5页
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文摘
随着电子器件朝着小型化、多功能化、高功率密度方向发展,硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术越来越受到业界的重视。填孔电镀技术是TSV的核心技术之一。文中探讨了填孔电镀的机理以及TSV电镀药水中各种添加剂对填充效果的影响,对比了国内外TSV电镀设备的现状,重点分析了TSV铜柱内空洞形成的原因和应对措施。分析认为导致空洞的主要原因有2个方面:一是电流聚集效应;二是物质(铜离子)的质量传输效应。在此基础上,实现了直径30μm、深度210μm的TSV无空洞填充,可为国内TSV技术的发展提供参考。
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关键词
硅穿孔
填孔电镀
添加剂
自底向上填充
空洞
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Keywords
through silicon via(TSV)
hole filling electroplating
additive
bottom up filling
cavity
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分类号
TG335.22
[金属学及工艺—金属压力加工]
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