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纳米二氧化钛薄膜的制备及特性研究 被引量:30
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作者 崔晓莉 江志裕 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2002年第5期17-21,共5页
纳米二氧化钛薄膜由于具有优良的光催化活性而受到人们的重视。采用阳极电沉积的方法在ITO基体上制备二氧化钛纳米薄膜。研究了阳极电流密度和沉积时间对纳米二氧化钛薄膜结构和附着力的影响 ,利用扫描电子显微技术和X射线衍射技术分析... 纳米二氧化钛薄膜由于具有优良的光催化活性而受到人们的重视。采用阳极电沉积的方法在ITO基体上制备二氧化钛纳米薄膜。研究了阳极电流密度和沉积时间对纳米二氧化钛薄膜结构和附着力的影响 ,利用扫描电子显微技术和X射线衍射技术分析了二氧化钛薄膜的表面形貌和组织结构 ,探讨了其光催化活性和亲水性。结果表明 ,纳米二氧化钛薄膜是由纳米级的颗粒组成 ,颗粒间存在纳米级小孔 ,该薄膜对于波长为 4 0 0~ 70 0nm的可见光是透明的 ,具有优良的光催化活性和亲水性。 展开更多
关键词 纳米二氧化钛薄膜 制备 特性 研究 阳极电沉积 光催化活性 亲水性
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CVD法氮化硅薄膜制备及性能 被引量:36
2
作者 杨辉 马青松 葛曼珍 《陶瓷学报》 CAS 1998年第2期91-96,共6页
氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料,具有优秀的光电性能、钝化性能和机械性能,将在微电子、光电和材料表面改性领域获得广泛应用。本文着重评述了制备氮化硅薄膜的几种化学气相沉积方法和一些性能。
关键词 氮化硅薄膜 化学气相沉积 性能
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TiN薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展 被引量:40
3
作者 季鑫 宓一鸣 周细应 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2009年第4期81-84,共4页
综述了TiN薄膜的制备方法及进展,介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各种TiN薄膜的制备方法,评述了各种制备工艺的优缺点。介绍了TiN薄膜在超硬耐磨、耐腐蚀等方面研究的新进展,最后对TiN薄膜的... 综述了TiN薄膜的制备方法及进展,介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各种TiN薄膜的制备方法,评述了各种制备工艺的优缺点。介绍了TiN薄膜在超硬耐磨、耐腐蚀等方面研究的新进展,最后对TiN薄膜的应用范围和领域作了展望。 展开更多
关键词 TIN薄膜 气相沉积 激光熔融 离子镀
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TiO_2和SiO_2薄膜应力的产生机理及实验探索 被引量:30
4
作者 顾培夫 郑臻荣 +1 位作者 赵永江 刘旭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期6459-6463,共5页
对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力,包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄... 对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力,包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素,低聚集密度产生张应力,而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数,适当地控制张应力或压应力,可使累积应力趋向于零. 展开更多
关键词 薄膜应力 离子辅助淀积 聚集密度
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ZrO_2薄膜残余应力实验研究 被引量:29
5
作者 邵淑英 范正修 +1 位作者 范瑞瑛 邵建达 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期437-441,共5页
采用ZYGOMarkⅢ GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO2 薄膜中的残余应力进行了研究 ,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参量对ZrO2 薄膜残余应力的影响。实验结果表明 :随着沉积温度及沉积速率的升高 ,ZrO2 薄膜中残余应力状态... 采用ZYGOMarkⅢ GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO2 薄膜中的残余应力进行了研究 ,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参量对ZrO2 薄膜残余应力的影响。实验结果表明 :随着沉积温度及沉积速率的升高 ,ZrO2 薄膜中残余应力状态由张应力变为压应力 ,且压应力值随着沉积温度升高而增大。同时用X射线衍射技术测量分析了不同沉积条件下ZrO2 薄膜的微结构组织 ,探讨了ZrO2 展开更多
关键词 二氧化锆薄膜 薄膜物理 残余应力实验 沉积温度 沉积速率 电子束蒸发法 X射线衍射技术
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沉积温度对电子束蒸发沉积ZrO_2薄膜性质的影响 被引量:20
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作者 邵淑英 范正修 +2 位作者 范瑞瑛 贺洪波 邵建达 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期701-704,共4页
ZrO2 薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成。利用X射线衍射 (XRD)仪和原子力显微镜 (AFM)检测了ZrO2 薄膜的晶体结构和表面形貌 ,发现室温下沉积ZrO2 薄膜样品为非晶结构 ,随着沉积温度升高 ,ZrO2 薄膜出现明显的结... ZrO2 薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成。利用X射线衍射 (XRD)仪和原子力显微镜 (AFM)检测了ZrO2 薄膜的晶体结构和表面形貌 ,发现室温下沉积ZrO2 薄膜样品为非晶结构 ,随着沉积温度升高 ,ZrO2 薄膜出现明显的结晶现象 ,在薄膜中同时存在四方相及单斜相。薄膜表现为自由取向生长 ,晶粒尺寸随沉积温度升高而增大。同时发现薄膜中的残余应力随沉积温度的升高 ,由张应力状态变为压应力状态 ,这一变化主要是薄膜结构变化引起的内应力的作用结果。同时讨论了不同沉积温度对ZrO2 薄膜光学性质的影响。 展开更多
关键词 薄膜物理学 ZRO2薄膜 电子束蒸发 沉积温度
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CdS多晶薄膜的制备及其性能的研究 被引量:15
7
作者 黎兵 蔡亚平 +3 位作者 朱居木 郑家贵 蔡伟 冯良桓 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期497-500,共4页
采用化学池沉积法,同时在3种衬底(载玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出了CdS薄膜的能隙宽度E0和... 采用化学池沉积法,同时在3种衬底(载玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出了CdS薄膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea.结果表明:沉积膜表观均匀、密实,结晶取向性以SnO2玻片衬底为佳;能隙宽度E0=2.23eV;电导激活能Ea=0.92~1.01eV. 展开更多
关键词 薄膜 化学池沉积 光电材料 硫化镉 多晶薄膜
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离子束辅助技术获得高激光损伤阈值的增透膜 被引量:15
8
作者 王聪娟 晋云霞 +2 位作者 王英剑 邵建达 范正修 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期683-686,共4页
采用合适的离子束辅助沉积(IBAD)参数在K9基底上镀制了高激光损伤阈值的中心波长1053 nm的增透膜,分别从光谱性能、吸收性能、抗激光损伤阈值(LIDT)以及退火后的影响等方面与未进行离子束辅助沉积的薄膜进行对比分析。实验结果发现,采... 采用合适的离子束辅助沉积(IBAD)参数在K9基底上镀制了高激光损伤阈值的中心波长1053 nm的增透膜,分别从光谱性能、吸收性能、抗激光损伤阈值(LIDT)以及退火后的影响等方面与未进行离子束辅助沉积的薄膜进行对比分析。实验结果发现,采用离子辅助制备的薄膜放置80 d后具有更好的光谱稳定性,与未进行离子束辅助镀制的薄膜相比,平均吸收下降了57%,吸收值偏高的奇异点明显减少;损伤阈值提高了60%,用Leica偏振光学显微镜观察50%损伤几率的能量下破斑形貌,发现经过离子束辅助制备的样品破斑形状整齐且缺陷点少;未进行离子束辅助制备的样品退火后吸收降低,阈值提高,但奇异点没有减少,辅助样品变化不大。由此可知,离子辅助有助于制备高性能基频增透膜。 展开更多
关键词 薄膜 离子辅助沉积 弱吸收 激光损伤阈值
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YBCO超导带材研究进展 被引量:18
9
作者 陶伯万 熊杰 +1 位作者 刘兴钊 李言荣 《中国材料进展》 CAS CSCD 2009年第4期16-22,共7页
简要回顾了高温超导带材的发展历史,然后系统地总结了YBCO超导带材的构成、基带、过渡层和超导层的制备方法,并介绍了当前国内外的研究水平和新近取得的进展,尤其是国内最近的重要进展。在此基础之上,对YBCO超导带材的应用和市场前景进... 简要回顾了高温超导带材的发展历史,然后系统地总结了YBCO超导带材的构成、基带、过渡层和超导层的制备方法,并介绍了当前国内外的研究水平和新近取得的进展,尤其是国内最近的重要进展。在此基础之上,对YBCO超导带材的应用和市场前景进行了展望。 展开更多
关键词 高温超导 涂层导体 YBCO 薄膜生长
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直流磁控溅射制备铝薄膜的工艺研究 被引量:14
10
作者 陈国良 郭太良 《真空》 CAS 北大核心 2007年第6期39-42,共4页
采用直流磁控溅射方法,以高纯Al为靶材,高纯Ar为溅射气体,在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜,并对铝膜的沉积速率、结构和表面形貌进行了研究。结果表明:Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大;随着溅射气压的增... 采用直流磁控溅射方法,以高纯Al为靶材,高纯Ar为溅射气体,在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜,并对铝膜的沉积速率、结构和表面形貌进行了研究。结果表明:Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大;随着溅射气压的增加,沉积速率先增大,在一定气压时达到峰值后继续随气压的增大而减小。X射线衍射图谱表明Al膜结构为多晶态;用扫描电子显微镜对薄膜进行表面形貌的观察,溅射功率为2600 W,溅射气压为0.4 Pa时制备的Al膜较均匀致密。 展开更多
关键词 磁控溅射 铝薄膜 沉积速率 多晶态 表面形貌
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CdSe薄膜的制备及性能表征 被引量:17
11
作者 黄平 李婧 +3 位作者 梁建 赵君芙 马淑芳 许并社 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期60-65,共6页
室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光... 室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。 展开更多
关键词 电化学沉积 CDSE薄膜 禁带宽度 沉积电压
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氧化锌薄膜的电化学沉积法制备及受激发射研究 被引量:13
12
作者 张宇 王刚 +7 位作者 崔一平 翁健 马懿 徐岭 徐骏 陈坤基 张海黔 顾宁 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期97-100,共4页
采用一种简单的电化学沉积法 ,在三电极化学池中 ,以单一的硝酸锌水溶液作为电沉积液 ,制备了高光学质量的半导体ZnO薄膜。透射光谱测量表明其光学带隙为 3 35eV ,4 0 0~ 2 0 0 0nm波段的光学透过率大于 80 %。X射线衍射 (XRD)和原子... 采用一种简单的电化学沉积法 ,在三电极化学池中 ,以单一的硝酸锌水溶液作为电沉积液 ,制备了高光学质量的半导体ZnO薄膜。透射光谱测量表明其光学带隙为 3 35eV ,4 0 0~ 2 0 0 0nm波段的光学透过率大于 80 %。X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM)研究表明 ,ZnO薄膜为纤锌矿结构的无序多晶颗粒膜 ,微晶尺寸小于 2 5 0nm。当用 35 5nm的皮秒脉冲激光作为抽运源垂直入射薄膜表面时 ,可以检测到 4 0 0nm附近的近紫外受激发射光 ,其强度随入射强度呈超线性增长关系 ,阈值在 196 8kW /cm2 处 ,并且激光发射是多模的和各个方向的 ,还与被激发的面积有关 。 展开更多
关键词 薄膜物理学 氧化锌薄膜 电化学沉积 受激发射 随机激光
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多波段激光滤光膜的研制 被引量:16
13
作者 贺才美 付秀华 +1 位作者 孙钰林 李美萱 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1550-1554,共5页
针对光学仪器对多光谱光轴测试的特殊要求,采用电子束真空镀膜的方法并加以离子辅助沉积系统,通过对材料的光学特性、膜系设计和监控厚度误差的分析,优化工艺参数,在多光谱ZnS基底上,成功镀制多波段激光滤光膜,实现了多波段光谱的分束... 针对光学仪器对多光谱光轴测试的特殊要求,采用电子束真空镀膜的方法并加以离子辅助沉积系统,通过对材料的光学特性、膜系设计和监控厚度误差的分析,优化工艺参数,在多光谱ZnS基底上,成功镀制多波段激光滤光膜,实现了多波段光谱的分束。所镀膜层在30。角入射条件下,可见400~700 nm波长范围内平均透射率高于90%,1064 nm和1 540 nm波长处的透射率都低于5%,在红外波长10.6μm透射率高于92%,并且解决了膜层牢固性问题,能够承受激光光源的照射和恶劣的环境测试,完全满足光学仪器的使用要求。 展开更多
关键词 薄膜 激光滤光膜 真空镀膜 离子辅助沉积 光学特性
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CIS(CIGS)薄膜材料的研究进展 被引量:10
14
作者 杜晶晶 龙飞 +1 位作者 邹正光 李建军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期9-12,共4页
以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池。首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CI... 以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池。首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CIS(CIGS)薄膜电池的发展情况,并展望了CIS(CIGS)电池的发展趋势。 展开更多
关键词 CIS CIGS 薄膜沉积研究进展
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Electrochemically switched ion exchange performances of capillary deposited nickel hexacyanoferrate thin films 被引量:13
15
作者 郝晓刚 郭金霞 +1 位作者 刘世斌 孙彦平 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2006年第3期556-561,共6页
Thin films of capillary deposited nickel hexacyanoferrate(NiHCF) were investigated as electrochemically switched ion exchange(ESIX) materials. The films were generated on platinum and graphite substrates based on the ... Thin films of capillary deposited nickel hexacyanoferrate(NiHCF) were investigated as electrochemically switched ion exchange(ESIX) materials. The films were generated on platinum and graphite substrates based on the ternary reagent diagram. In 1 mol/L KNO3 solution, cyclic voltammetry(CV) combined with energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDS) was used to determine the influence of experimental conditions on the electroactivity of the NiHCF thin film on Pt substrates. The ion selectivity, ion-exchange capacity and the regenerability of NiHCF films on Pt and graphite substrates were investigated. The experiment results show that the NiHCF thin films from Ni2+-poor growth conditions have double peaks CV curves and contain relatively larger amount of potassium; while those from Ni2+-rich growth conditions are single peak CV curves and contain relatively smaller amount of potassium. It is demonstrated that the NiHCF thin films of capillary chemical deposition have good ESIX performances. 展开更多
关键词 离子交换 薄膜 毛细管化学沉积 表面化学
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原子层沉积技术的发展现状及应用前景 被引量:14
16
作者 魏呵呵 何刚 +2 位作者 邓彬 李文东 李太申 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期413-420,共8页
随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,... 随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,仍然备受关注并被广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等诸多领域。本文简要介绍了ALD技术的原理、沉积周期、特征、优势、化学吸附自限制ALD技术和顺次反应自限制ALD技术及ALD本身作为一种技术的发展状况(T-ALD,PEALD和EC-ALD等);重点叙述了ALD技术在半导体领域(高k材料、IC互连技术等)、光学薄膜方面、纳米材料方面、催化剂的应用和新成果。最后,对ALD未来的发展应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 原子层沉积技术 薄膜沉积 高K材料 光学薄膜 催化剂
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离子束溅射沉积Ta_2O_5光学薄膜的实验研究 被引量:10
17
作者 刘洪祥 熊胜明 +1 位作者 李凌辉 张云洞 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期41-43,55,共4页
根据择优溅射的理论,在不同的通氧方式下,详细分析了离子辅助对离子束溅射沉积Ta2O5薄膜光学特性的影响。结果表明,在薄膜生长的过程中,由于氩离子的轰击作用,薄膜中的氧原子被优先溅射出来,造成了薄膜化学剂量比失调、吸收增加。但是,... 根据择优溅射的理论,在不同的通氧方式下,详细分析了离子辅助对离子束溅射沉积Ta2O5薄膜光学特性的影响。结果表明,在薄膜生长的过程中,由于氩离子的轰击作用,薄膜中的氧原子被优先溅射出来,造成了薄膜化学剂量比失调、吸收增加。但是,通过优化辅助离子源中氧气的比例,可获得合理化学剂量比、低损耗的Ta2O5薄膜。 展开更多
关键词 离子束溅射 光学薄膜 离子辅助沉积 光学特性
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宽束冷阴极离子源及其应用 被引量:11
18
作者 严一心 卢进军 +2 位作者 刘卫国 刘吉祥 王树棠 《西安工业大学学报》 CAS 1989年第4期1-5,共5页
本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子... 本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 离子源 辉光放电 离子束辅助淀积 薄膜淀积
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光学薄膜制备技术 被引量:6
19
作者 司磊 王玉霞 刘国军 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2004年第2期37-40,共4页
本文综述了光学薄膜制备技术的发展与现状 ,着重介绍了真空蒸镀、离子辅助沉积、离子束溅射等传统与现代技术 ,包括工作原理。
关键词 光学薄膜 沉积 溅射
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薄膜沉积机理的计算机模拟应用和发展 被引量:6
20
作者 宋鹏 陆建生 +2 位作者 瑚琦 赵明娟 杨滨 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第F09期154-157,共4页
薄膜技术作为材料制备的一种新技术,在现代科技领域中有着广泛应用。人们对薄膜的沉积机理通过理论和实验进行了比较深入的研究,其中计算机模拟变得日趋重要。主要阐述目前薄膜沉积机理的计算机模型:LG模型、Eden模型、DLA模型及RLA模型... 薄膜技术作为材料制备的一种新技术,在现代科技领域中有着广泛应用。人们对薄膜的沉积机理通过理论和实验进行了比较深入的研究,其中计算机模拟变得日趋重要。主要阐述目前薄膜沉积机理的计算机模型:LG模型、Eden模型、DLA模型及RLA模型,相应计算机模拟技术的发展以及面临的问题和发展方向。 展开更多
关键词 薄膜技术 沉积机理 计算机模拟技术 物理气相沉积 化学气相沉积 PVD CVD
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