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基于SOS开关的脉冲源研制 被引量：10
1
作者 陈洪斌 孟凡宝 +6 位作者 李爱萍 陈志刚 张运俭 刘天文 陆巍 杨周炳 周传明 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期56-58,共3页
为开展高重复频率长脉冲全固态脉冲源技术研究,用SOS(semiconuctoropeningswitch)开关和脉冲变压器进行了脉冲源实验研究,由实验调试得到脉冲电压46kV(负载300Ω)和30kV(负载100Ω)、脉冲宽度80ns、重复频率1500Hz的脉冲源。
关键词 脉冲功率源 sos开关 脉冲变压器
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SOS微微秒光导开关的结构设计及实验结果 被引量：2
2
作者 潘家齐 彭文忠 +1 位作者 袁树忠 吕福云 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第1期12-15,共4页
本文讨论了微微秒光导开关电路参数对开关响应速度的影响。给出了微微秒光导开关的结构设计和实验结果。本文报道的ＳＯＳ微微秒光导开关输出电脉冲半强宽小于５ｐｓ，电脉冲幅度为ｍｖ量级。
关键词 响应速度 光导开关 sos 微微秒
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新型亚纳秒切断半导体开关器件研制 被引量：3
3
作者 马红梅 刘忠山 +2 位作者 杨勇 刘英坤 崔占东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期337-339,共3页
介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,... 介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 漂移阶跃恢复器件 等离子体 半导体切断开关 脉冲开关 脉冲发生器
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Cisco系列交换机仿真系统与SOS仿真算法设计
4
作者 广树建 刘若冰 《计算机时代》 2009年第12期49-52,共4页
提出了一个ATM交换机的计算机仿真系统,用于网络交换系统的教学、科研与设计。系统平台由主机和HUB*组成,基于Crossbar的8×8标准点数构造,对OPNET中几种最大匹配仿真算法(PIM、iSLIP、FIRM)进行了实际比较;通过对仿真结果的平均调... 提出了一个ATM交换机的计算机仿真系统,用于网络交换系统的教学、科研与设计。系统平台由主机和HUB*组成,基于Crossbar的8×8标准点数构造,对OPNET中几种最大匹配仿真算法(PIM、iSLIP、FIRM)进行了实际比较;通过对仿真结果的平均调度时延、负载的分析,找出算法的瓶颈,设计出新的SOS算法。实测证明,采用VOQ技术可将原56.8%吞吐量提高到100%,实现了计算机高效仿真交换的目的。 展开更多
关键词 思科系列 交换机仿真 仿真算法设计 sos算法
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半导体断路开关及其应用 被引量：9
5
作者 张适昌 严萍 王珏 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第B12期23-25,共3页
介绍了一种新型的半导体断路开关 ,它采用 P+ - P- N - N+ 的半导体结构 ,可完成亚 ns级的关断 ,关断电流达数 k A、承受反向电压达百 k V、重复频率达数 k Hz。在介绍SOS结构和主要特性的基础上 ,还介绍了基于
关键词 半导体 断路开关 应用 脉冲功率 sos结构
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