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1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计 被引量:4
1
作者 陈天 张旭 +1 位作者 廖永亮 于绍欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期716-720,共5页
利用二维半导体工艺及器件模拟工具,从结掺杂浓度、P阱与P环间距、P环尺寸控制3个方面分析了半绝缘多晶硅终端结构的击穿电压,提出了应用于1 200V沟槽栅场截止型IGBT的终端解决方案。从结的深度和终端长度两方面,将SIPOS终端技术与标准... 利用二维半导体工艺及器件模拟工具,从结掺杂浓度、P阱与P环间距、P环尺寸控制3个方面分析了半绝缘多晶硅终端结构的击穿电压,提出了应用于1 200V沟槽栅场截止型IGBT的终端解决方案。从结的深度和终端长度两方面,将SIPOS终端技术与标准的场环场板终端技术进行了对比。结果表明,采用SIPOS终端结构并结合降低表面场技术,使得终端尺寸有效减小了58%,并且,采用SIPOS技术的终端区域击穿电压受结深的影响较小,有利于实际制造工艺的控制和IGBT器件稳定性的提升。 展开更多
关键词 IGBT sipos 终端 场环 场板
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用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管 被引量:2
2
作者 王军 杨晓智 《半导体情报》 2001年第2期40-42,共3页
论述了 SIPOS钝化的原理、生产 SIPOS晶体管的工艺步骤 。
关键词 sipos 掺氧多晶硅 平面高压技术 高压晶体管
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SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响 被引量:2
3
作者 石青宏 厉策 +1 位作者 王军 何慧强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期37-39,共3页
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词 sipos 纵向结构 晶体管 电压特性 半绝缘多晶硅 掺氧多晶硅 膜结构
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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究 被引量:3
4
作者 刘红侠 郝跃 朱秉升 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期309-311,共3页
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
关键词 掺氧半绝缘多晶硅 LPCVD 薄膜淀积
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金属场板加SIPOS电阻场板的新型终端技术
5
作者 尹贤文 何林 黄平 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第6期4-7,共4页
本文介绍了一种金属场板结合SIPOS电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80%以上。对这种终端结构的设计,采用了一种简单方法。根据实验结果,对金属场板和SIPOS电阻场板的互补功能进行了详细的分析。
关键词 金属场板 sipos 电阻场板 终端设备
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半绝缘多晶硅薄膜的钝化与性能研究 被引量:1
6
作者 赵毅红 陈荣发 刘伯实 《真空》 CAS 北大核心 2004年第6期8-11,共4页
通过LPCVD的方法,在Si基体表面制备了掺氧半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS),分析了钝化机理,讨论了不同流量比与沉积速率、含氧量的关系以及SIPOS膜的含氧量对膜系结构、电阻率、折射率的性能影响,获得了最佳钝化条件,测试结果表明SIPOS薄膜晶... 通过LPCVD的方法,在Si基体表面制备了掺氧半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS),分析了钝化机理,讨论了不同流量比与沉积速率、含氧量的关系以及SIPOS膜的含氧量对膜系结构、电阻率、折射率的性能影响,获得了最佳钝化条件,测试结果表明SIPOS薄膜晶体管击穿电压高、可靠性好、性能更稳定,可以满足现代生产的需要。 展开更多
关键词 LPCVD 掺氧半绝缘多晶硅 薄膜 钝化 性能
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SIPOS薄膜工艺及其稳定性研究 被引量:3
7
作者 魏敦林 《电子与封装》 2009年第7期37-41,共5页
SIPOS半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用,其不仅能够提升器件的反向击穿电压,而且也极大地提高了器件的可靠性。文章阐述了SIPOS薄膜的器件钝化机理,工艺过程中各参数对薄膜特性及应用的影响。同... SIPOS半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用,其不仅能够提升器件的反向击穿电压,而且也极大地提高了器件的可靠性。文章阐述了SIPOS薄膜的器件钝化机理,工艺过程中各参数对薄膜特性及应用的影响。同时通过实验设计DOE对LPCVD(化学气相沉积)系统的各个参数进行工程实验,分析了相关参数对薄膜沉积速率及特性的影响,并通过对实验结果的模型推导,得出相关工艺参数与产品电学性能之间的关系实验模型,并进一步阐述了工艺稳定性控制的方法,为SIPOS薄膜在工艺的实际工程应用中以及工艺的稳定性控制上提供可靠的技术支持。 展开更多
关键词 掺氧半绝缘多晶硅 钝化 低压化学气相沉积 氧含量 沉积速率 实验设计
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一种基于SIPOS结构的高压深结复合终端
8
作者 王振硕 李学宝 +1 位作者 马浩 吴昊天 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期591-596,共6页
为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与SIPOS(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层SIPOS结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电... 为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与SIPOS(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合终端结构。所提新结构是在VLD与JTE的复合终端上方覆盖一层SIPOS结构,可以实现终端电场更为均衡,受界面电荷的影响更小,同时具有更高的击穿电压。以3.3 kV耐压等级的终端为例,利用仿真软件TCAD对所提出的新型终端复合结构进行了工艺和结构上的仿真,并且对影响新结构击穿电压的关键因素进行了分析。结果表明,随着SIPOS结构氧含量的减少,新结构的击穿电压不断提高,并且当界面电荷浓度为4×10^(11) cm^(-2)时,新结构仍能满足芯片耐压等级要求。 展开更多
关键词 终端结构 sipos 界面电荷 功率器件 复合终端
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用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn^+pp^+结构钝化的分析
9
作者 姜岩峰 李思渊 +2 位作者 刘肃 曹磊 薄建军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期686-690,共5页
用半绝缘多晶硅 ( SIPOS) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 SIPOS层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 SIPOS层上生长了一层 Si O2 .实际测... 用半绝缘多晶硅 ( SIPOS) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 SIPOS层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 SIPOS层上生长了一层 Si O2 .实际测量证实了这种新方法的合理性 .分析了各主要工艺对钝化效果的影响 ,综合优化指出 :在淀积 SIPOS层时 ,掺氧量要高 ,而淀积温度不应太高 .用此方法钝化的 4H- Si C n+ pp+ 结构 ,击穿电压接近理想值 。 展开更多
关键词 复合层 钝化层 碳化硅 sipos 二氧化硅
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几种电动、气动阀门调试技术分析 被引量:1
10
作者 汪伟 《科技创新与应用》 2014年第23期84-85,共2页
作者根据参加建设国电常州电厂1#机组工程项目为基础,重点介绍了几种主要阀门的调试方法。该项目使用电动门232只,调节门127只,使用了当前华东地区各电厂的流行配置的阀门。
关键词 Rotork IQ sipos FISHER 气动阀门 调试
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SIPOS 5 FLASH型电动门常见故障及处理方法 被引量:1
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作者 高岩 《安徽电力科技信息》 2010年第5期34-37,共4页
铜陵发电厂在4号机组锅炉侧主要使用了SIPOS 5电动执行机构,目前使用的SIPOS 5 FLASH型电动门分为经济型和专业型。SIPOS 5电动门的电源板采用变频原理,当环境温度较高时,工作不稳定,而且停送电易发生故障;以下介绍电动门故障处理... 铜陵发电厂在4号机组锅炉侧主要使用了SIPOS 5电动执行机构,目前使用的SIPOS 5 FLASH型电动门分为经济型和专业型。SIPOS 5电动门的电源板采用变频原理,当环境温度较高时,工作不稳定,而且停送电易发生故障;以下介绍电动门故障处理详细情况。 展开更多
关键词 sipos 常见故障 电动门 SH型 FLA 电动执行机构 铜陵发电厂 4号机组
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新品快递
12
《自动化信息》 2005年第11期8-13,共6页
GE超声波流量计;SIPOS 5 Flash新一代变频智能型电动执行机构;福禄克最新推出1508绝缘测试仪;赫斯曼为公路隧道提供先进的网络技术;NI发布业界首款PCI Express数据采集设备;核安全级WT3000N、MV2000TN差压,压力变送器;横河新推AD... GE超声波流量计;SIPOS 5 Flash新一代变频智能型电动执行机构;福禄克最新推出1508绝缘测试仪;赫斯曼为公路隧道提供先进的网络技术;NI发布业界首款PCI Express数据采集设备;核安全级WT3000N、MV2000TN差压,压力变送器;横河新推ADMAG AXF电磁流量计;…… 展开更多
关键词 EXPRESS 新品 超声波流量计 电动执行机构 数据采集设备 sipos Flash 绝缘测试仪 压力变送器 ADMAG
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SIPOS执行机构应用中故障分析及处理
13
作者 李珂 寇江涛 +1 位作者 雷欣涛 田翠峰 《电工技术》 2015年第9期65-67,共3页
以SIPOS 5FLASH系列执行机构在1 030MW火电机组中的应用为例,简要介绍其结构组成,阐述其一般故障、控制单元故障及机械传动单元故障的故障现象、分析、处理及预防措施,并阐明了控制单元、减速箱的在线及离线处理方法及注意事项,有一定... 以SIPOS 5FLASH系列执行机构在1 030MW火电机组中的应用为例,简要介绍其结构组成,阐述其一般故障、控制单元故障及机械传动单元故障的故障现象、分析、处理及预防措施,并阐明了控制单元、减速箱的在线及离线处理方法及注意事项,有一定的推广意义。 展开更多
关键词 sipos 5 FLASH卡涩 电源板 减速箱 齿轮箱
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半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用
14
作者 尹贤文 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第1期45-52,共8页
本文对LPCVD半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜工艺进行了研究,分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了SIPOS薄膜在高压功率器件领域的应用。
关键词 LPCVD 半绝缘多晶硅 高压功率器件 sipos 薄膜
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功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究
15
作者 郑英兰 王颖 +1 位作者 钟玲 吴春瑜 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第1期11-14,共4页
本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表... 本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性. 展开更多
关键词 斜角造型器件 半绝缘多晶硅 漏电流 钝化
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SIPOS 5专业型电动执行机构动作行程过大故障分析及处理
16
作者 闫磊 《中国设备工程》 2021年第17期45-46,共2页
在自动化高度发达的今天,电动执行机构在工业生产中起着极其重要的作用。阀门配套安装的电动执行机构实现远程控制,来驱动阀门自动开关和调节,使介质的运动按要求受到控制,以满足生产流程的需要,实现热力系统的正常运行。
关键词 国家能源泰安热电 减温水调阀后隔离门 sipos 5 力矩关断
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SIPOS—Si异质结二极管
17
作者 王云珍 黄碧琳 张军 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1992年第4期4-6,共3页
文章主要研究n'p、p'n和p'p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。在同样掺杂条件下,异质结具有比同质结二极管更高的注入比、更高的反向击穿电压和低漏电流。
关键词 二极管 异质结 半绝缘多晶硅
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智能变频电动执行机构发展现状及其控制技术综述 被引量:4
18
作者 曹江 张春喜 +1 位作者 张志强 赵阳 《黑龙江水专学报》 2007年第4期93-96,共4页
随着控制技术、电子技术和微处理技术的发展,智能型变频电动执行机构成为现代电动执行机构的发展方向。详细论述了智能变频电动执行机构的开发背景、现状、技术关键和运行特点,对其在工业过程控制中的发展及应用前景进行了讨论与展望。... 随着控制技术、电子技术和微处理技术的发展,智能型变频电动执行机构成为现代电动执行机构的发展方向。详细论述了智能变频电动执行机构的开发背景、现状、技术关键和运行特点,对其在工业过程控制中的发展及应用前景进行了讨论与展望。并以德国西门子公司的SIPOS 5系列电动执行机构为例对智能型电动执行机构的主要特点进行了说明。 展开更多
关键词 电动执行机构 变频 sipos5
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ELECTRICAL PROPERTIES OF LPCVD POLY-SILICON DOPED WITH OXYGEN ATOMS
19
作者 潘尧令 王云珍 《Journal of Electronics(China)》 1993年第2期181-187,共7页
The electrical conductivity of LPCVD polysilicon doped with oxygen atoms(acromymSIPOS)films has been measured to study the electrical properties of SIPOS.The results showthat the electrical properties of SIPOS depend ... The electrical conductivity of LPCVD polysilicon doped with oxygen atoms(acromymSIPOS)films has been measured to study the electrical properties of SIPOS.The results showthat the electrical properties of SIPOS depend on both oxygen contents and annealing processes.The electrical conductivity decreases while the oxygen content in SIPOS increases.The temper-.ature dependence of the electrical conductivity of SIPOS during annealing shows that there aretwo kinds of conduction mechanisms,that is,conductivities of SIPOS are concerned in the reac-tion of Si-O bonds and the recrystallization of SIPOS during low temperature500℃)and hightemperature900℃)annealing,respectively.In addition,the doping effect on the conductivityof SIPOS has been studied.It has been observed that doping made the increase of conductivityin SIPOS,but the oxygen contents apparently suppressed the increase of conductivity in doped-SIPOS. 展开更多
关键词 LPCVD-sipos ELECTRICAL CONDUCTIVITY Oxygen content Doping
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SIPOS/Si异质结特性的研究
20
作者 曹广军 徐彦忠 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第2期116-118,共3页
采用红外吸收光谱分析了SIPOS薄膜中Si-O键的结构,对比分析了热退火和快速灯光退火对SIPOS中Si-O键结构的影响,并结合SIPOS/Si结构的C-V、I-V测试结果,对该结构的异质结特性进行了分析。
关键词 sipos 热退火 异质结构 半绝缘 多晶硅
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