期刊文献+
共找到90篇文章
< 1 2 5 >
每页显示 20 50 100
航天电子抗辐射研究综述 被引量:70
1
作者 冯彦君 华更新 刘淑芬 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1071-1080,共10页
辐射是影响航天电子设备高可靠长寿命运行的重要因素,是当前航天电子技术的研究重点。首先介绍了造成各种辐射效应的空间辐射环境,以及总剂量、单粒子、位移损伤和航天器带电等辐射效应的内在物理原理;然后,综述了当前最新的抗辐射措施... 辐射是影响航天电子设备高可靠长寿命运行的重要因素,是当前航天电子技术的研究重点。首先介绍了造成各种辐射效应的空间辐射环境,以及总剂量、单粒子、位移损伤和航天器带电等辐射效应的内在物理原理;然后,综述了当前最新的抗辐射措施、辐射试验方法、抗辐射加固保障等技术,最后指出抗辐射研究的方向。 展开更多
关键词 航天电子 辐射效应 抗辐射加固 抗辐射加固保障
下载PDF
耐高温耐辐射的碳化硅半导体探测器 被引量:10
2
作者 靳根 陈法国 +2 位作者 杨亚鹏 徐园 王希涛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期909-912,共4页
在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是Si... 在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时,探测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展,关于二元半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是SiC晶体,因其禁带宽度大、晶体原子离位能大以及电子空穴迁移率高等特点,最有希望在将来代替Si作为耐高温耐辐照半导体探测器的材料。 展开更多
关键词 碳化硅 半导体探测器 耐高温 耐辐照
下载PDF
星用微电子器件辐射效应及加固途径分析 被引量:7
3
作者 王长河 《半导体情报》 1996年第4期6-14,共9页
在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括:CM... 在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括:CMOS/体硅电路,CMOS/SOS电路,GaAsMESFET及其电路,电荷耦合器件等。 展开更多
关键词 电离辐射 瞬态辐射 抗辐射加固 微电子器件
下载PDF
坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能 被引量:7
4
作者 沈琦 陈红兵 +3 位作者 王金浩 蒋成勇 潘建国 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期844-848,852,共6页
以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射... 以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射线辐照硬度。结果表明,该单晶在可见光区具有良好的光学透过性,其光致发光与X射线激发发射光的峰值波长位于475 nm左右,其光致发射衰减时间为842 ns;以CsI∶Tl晶体为基准样品,测得γ射线激发发光的光产额相当于基准样品的51.5%~57.4%,在γ射线辐照条件下其辐照硬度达107rad。 展开更多
关键词 钨酸镉 坩埚下降法 衰减时间 辐照硬度
下载PDF
一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计 被引量:6
5
作者 曹靓 王文 封晴 《电子与封装》 2017年第7期25-27,共3页
随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重。特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作。提出了一种带自刷新功能的三模冗余... 随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重。特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作。提出了一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计,改进了传统三模冗余触发器设计只表决修正输出不刷新错误数据的不足。 展开更多
关键词 单粒子翻转 抗辐射加固 触发器 三模冗余
下载PDF
电源系统抗伽玛总剂量辐射能力评估方法 被引量:5
6
作者 范如玉 韩峰 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期536-540,共5页
为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力,研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量,提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法,用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定... 为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力,研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量,提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法,用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定度。应用QMU方法对电源系统抗伽玛总剂量能力进行了评估,将评估结果和实验结果进行了比较,验证了方法的可行性。 展开更多
关键词 电子系统 抗辐射能力 评估方法 QMU方法 蒙特卡罗方法
下载PDF
SiC中子探测器的研究进展 被引量:5
7
作者 胡青青 杨俊 +1 位作者 刘国福 罗晓亮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期72-77,共6页
相比于气体、闪烁体及常规半导体中子探测器,基于第三代半导体材料SiC的中子探测器具有体积小、响应快、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点。其中抗高温和耐辐照是应用于核反应堆堆芯、高能物理试验和太空等高温高压以及强辐射环... 相比于气体、闪烁体及常规半导体中子探测器,基于第三代半导体材料SiC的中子探测器具有体积小、响应快、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点。其中抗高温和耐辐照是应用于核反应堆堆芯、高能物理试验和太空等高温高压以及强辐射环境下的中子探测器需要突破的瓶颈。论文总结和分析了SiC的材料特性,SiC中子探测器的结构、工作原理、国内外发展现状以及存在的问题,并对我国中子探测器的发展趋势进行了探讨。 展开更多
关键词 碳化硅 中子探测器 耐高温 抗辐射 进展
下载PDF
硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究 被引量:3
8
作者 张建新 陈永平 梁平治 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期83-85,共3页
为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能... 为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果。辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段(600nm^800nm)基本不衰减。另外,暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加,当辐照剂量达到1×1014cm-2时,短波光电流仅为辐照前的80%,暗电流为辐照前的40倍。实验中还发现,薄钝化的二极管的光电流衰减最小,其暗电流增加最显著。结果表明,钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关。 展开更多
关键词 光电子学 钝化膜 电子辐照 抗辐射
下载PDF
一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术
9
作者 叶甜春 李博 +3 位作者 刘凡宇 李多力 李彬鸿 陈思远 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2241-2253,共13页
本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基... 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV·cm^(2))/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域。 展开更多
关键词 可配置SOI 抗辐照 总剂量效应 单粒子效应
下载PDF
硅微电子工业的发展限制及对策 被引量:3
10
作者 刘忠立 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期552-554,共3页
简要介绍了硅微电子工业的发展状态、限制及对策。为了保持硅微电子工业的继续发展,主要的对策是利用新的结构材料以及新的器件结构和器件原理。在此基础上,介绍了新形势下硅微电子器件及电路辐射加固的考虑。
关键词 硅微电子学 微电子器件 工艺限制 辐射加固
下载PDF
一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器 被引量:4
11
作者 曹靓 田海燕 王栋 《电子与封装》 2018年第9期36-38,41,共4页
数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新三模冗余... 数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新三模冗余触发器设计的基础上,进行了抗单粒子瞬态辐射效应加固设计,增强了原设计的自刷新三模冗余触发器的抗单粒子瞬态脉冲的能力,为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。 展开更多
关键词 单粒子瞬态脉冲 抗辐射加固 触发器 三模冗余
下载PDF
快速闪烁晶体在未来高能物理实验中的应用 被引量:4
12
作者 朱人元 《中国计量学院学报》 2014年第2期107-121,共15页
简要综述了快速闪烁晶体在未来高能物理实验中的应用和目前研究进展.在未来高亮度强子对撞机(HL-LHC)上通过采用高亮度、快速和高抗辐照强度的LYSO晶体为CMS的量能器升级,可以建成具有良好E/γ能量分辨率的稳定的精密电磁量能器.通过读... 简要综述了快速闪烁晶体在未来高能物理实验中的应用和目前研究进展.在未来高亮度强子对撞机(HL-LHC)上通过采用高亮度、快速和高抗辐照强度的LYSO晶体为CMS的量能器升级,可以建成具有良好E/γ能量分辨率的稳定的精密电磁量能器.通过读取PbF2,PbFCl和BSO晶体中的切伦科夫光和闪烁光,可以为未来的轻子对撞机建立具有良好的喷注能量分辨率的均匀强子量能器.有亚纳秒衰变时间的BaF2晶体将为未来的高能物理强度前沿实验建立在速率及时间分辨率提高超过10倍的晶体量热器.对新型快闪烁晶体如PbFCl,YAP:Yb,ZnO:Ga和CuI的研究可能为今后高能物理实验发挥重要作用. 展开更多
关键词 闪烁晶体 高能物理 量能器 抗辐射
下载PDF
国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法 被引量:3
13
作者 李鹏伟 吕贺 +3 位作者 张洪伟 孙明 刘凡 孙静 《航天器环境工程》 2019年第2期146-150,共5页
国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分... 国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力。 展开更多
关键词 线性电路 低剂量率辐照 辐射损伤增强因子 抗辐射能力
下载PDF
Single event effect hardness for the front-end ASICs in the DAMPE satellite BGO calorimeter 被引量:2
14
作者 高山山 蒋荻 +3 位作者 封常青 习凯 刘树彬 安琪 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2016年第1期86-91,共6页
The Dark Matter Particle Explorer (DAMPE) is a Chinese scientific satellite designed for cosmic ray studies with a primary scientific goal of indirect detection of dark matter particles. As a crucial sub-detector, t... The Dark Matter Particle Explorer (DAMPE) is a Chinese scientific satellite designed for cosmic ray studies with a primary scientific goal of indirect detection of dark matter particles. As a crucial sub-detector, the BGO calorimeter measures the energy spectrum of cosmic rays in the energy range from 5 GeV to 10 TeV. In order to implement high-density front-end electronics (FEE) with the ability to measure 1848 signals from 616 photomultiplier tubes on the strictly constrained satellite platform, two kinds of 32-channel front-end ASICs, VA160 and VATA160, are customized. However, a space mission period of more than 3 years makes single event effects (SEEs) become threats to reliability. In order to evaluate SEE sensitivities of these chips and verify the effectiveness of mitigation methods, a series of laser-induced and heavy ion-induced SEE tests were performed. Benefiting from the single event latch-up (SEL) protection circuit for power supply, the triple module redundancy (TMR) technology for the configuration registers and the optimized sequential design for the data acquisition process, 52 VA160 chips and 32 VATA160 chips have been applied in the flight model of the BGO calorimeter with radiation hardness assurance. 展开更多
关键词 space electronics single event effects radiation hardness heavy ion pulsed laser
原文传递
深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能 被引量:2
15
作者 周昕杰 李蕾蕾 +1 位作者 徐睿 于宗光 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期518-521,共4页
当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 ... 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础. 展开更多
关键词 总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固
下载PDF
Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 被引量:1
16
作者 唐海马 郑中山 +3 位作者 张恩霞 于芳 李宁 王宁娟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第10期380-385,共6页
In order to improve the total-dose radiation hardness of the buried oxide of separation by implanted oxygen silicon- on-insulator wafers, nitrogen ions were implanted into the buried oxide with a dose of 1016 cm-2, an... In order to improve the total-dose radiation hardness of the buried oxide of separation by implanted oxygen silicon- on-insulator wafers, nitrogen ions were implanted into the buried oxide with a dose of 1016 cm-2, and subsequent annealing was performed at 1100 ℃. The effect of annealing time on the radiation hardness of the nitrogen implanted wafers has been studied by the high frequency capacitance-voltage technique. The results suggest that the improvement of the radiation hardness of the wafers can be achieved through a shorter time annealing after nitrogen implantation. The nitrogen-implanted sample with the shortest annealing time 0.5 h shows the highest tolerance to total-dose radiation. In particular, for the 1.0 and 1.5 h annealing samples, both total dose responses were unusual. After 300-krad(Si) irradiation, both the shifts of capacitance-voltage curve reached a maximum, respectively, and then decreased with increasing total dose. In addition, the wafers were analysed by the Fourier transform infrared spectroscopy technique, and some useful results have been obtained. 展开更多
关键词 silicon-on-insulator wafers radiation hardness nitrogen implantation
下载PDF
掺锑钨酸铅晶体性能的测量 被引量:1
17
作者 邵明 陈宏芳 +3 位作者 李澄 吴冲 许咨宗 汪兆民 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第8期551-554,共4页
钨酸铅晶体是新一代对撞机谱仪CMS的电磁量能器的主体。为达到所要求的测量精度,对晶体的各项性能提出了很高的要求。本文主要介绍了对几块全尺寸(23cm长)掺锑钨酸铅晶体荧光性能和抗辐照能力的评估和测量方法,并给出了测量... 钨酸铅晶体是新一代对撞机谱仪CMS的电磁量能器的主体。为达到所要求的测量精度,对晶体的各项性能提出了很高的要求。本文主要介绍了对几块全尺寸(23cm长)掺锑钨酸铅晶体荧光性能和抗辐照能力的评估和测量方法,并给出了测量结果。 展开更多
关键词 钨酸铅晶体 掺杂 抗辐照能力 对撞机 CMS
下载PDF
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响 被引量:2
18
作者 谷文萍 张林 +4 位作者 杨鑫 全思 徐小波 杨丽媛 刘盼芝 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1445-1449,共5页
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射... 分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和Si N钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固
下载PDF
熔体组成与PbWO_4:Y^(3+)晶体闪烁性能稳定性的关系 被引量:1
19
作者 张昕 廖晶莹 +5 位作者 谢建军 沈炳孚 邵培发 倪海洪 李长泉 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1117-1123,共7页
部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额... 部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则. 展开更多
关键词 熔体组成 PbWO4:Y^3+晶体 闪烁性能 稳定性 钨酸铅 掺杂 光产额 辐照硬度
下载PDF
一种单粒子效应加固RS触发器电路设计 被引量:1
20
作者 王佳 李萍 +2 位作者 郑然 魏晓敏 胡永才 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第9期55-58,63,共5页
提出了一种结构新颖的RS触发器电路结构.基于双互锁存储单元结构,实现了单粒子翻转加固.为进一步消除单粒子瞬态的影响,提出的电路采用了一个保护门电路和一个施密特触发器.该电路基于一种0.25μm商用标准CMOS工艺进行了电路设计和版图... 提出了一种结构新颖的RS触发器电路结构.基于双互锁存储单元结构,实现了单粒子翻转加固.为进一步消除单粒子瞬态的影响,提出的电路采用了一个保护门电路和一个施密特触发器.该电路基于一种0.25μm商用标准CMOS工艺进行了电路设计和版图物理实现.Spectre仿真结果表明提出的RS触发器对一个单粒子事件完全免疫,输出电压波形不受单粒子翻转和单子瞬态脉冲的影响.与三模冗余结构相比,在同等可靠性的情况下,该触发器面积减小27.8%,功耗降低43.1%. 展开更多
关键词 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子瞬态脉冲 辐射加固 触发器
下载PDF
上一页 1 2 5 下一页 到第
使用帮助 返回顶部