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掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性 被引量：4
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作者 李晓苇 江晓利 +4 位作者 孟涛 代秀红 赵晓辉 董国义 韩理 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1581-1583,共3页
利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过... 利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过程会变慢，即衰减时间增加；S＋Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快，说明了增感中心起深电子陷阱作用，当掺杂位置接近表面90％Ag时，光电子衰减时间突然减小，说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。 展开更多
关键词 氯化银 浅电子陷阱 S+Au增感 掺杂 光电子衰减谱
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