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基于InO_x纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极
被引量：
1
1
作者
朱丹
李德杰
王健
《真空电子技术》
2009年第3期44-46,59,共4页
介绍了基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层。InOx纳米岛状结构引入了InOx/C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电...
介绍了基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层。InOx纳米岛状结构引入了InOx/C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电压的作用下,当有足够的传导电流通过InOx/C复合层时,通过电流热效应作用,复合层的某些导电通道被烧断,形成电子发射区域。本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无,从而控制阴极电子发射的有无。
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关键词
平面显示
栅控
电子发射
inox
纳米岛
C
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题名
基于InO_x纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极
被引量：
1
1
作者
朱丹
李德杰
王健
机构
清华大学电子工程系
出处
《真空电子技术》
2009年第3期44-46,59,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60571015/F010501)
文摘
介绍了基于InOx纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极,并对其制备工艺和发射性能进行讨论。引入射频溅射的ZnO作为通道层,并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层。InOx纳米岛状结构引入了InOx/C复合活性层的不均匀性;在栅极以及源漏极电压的作用下,当有足够的传导电流通过InOx/C复合层时,通过电流热效应作用,复合层的某些导电通道被烧断,形成电子发射区域。本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无,从而控制阴极电子发射的有无。
关键词
平面显示
栅控
电子发射
inox
纳米岛
C
Keywords
Flat
panel
display
Gate
control
Electron
emission
inox
nanoislands
C
分类号
O462 [理学—电子物理学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于InO_x纳米岛/C的栅控薄膜电子发射阴极
朱丹
李德杰
王健
《真空电子技术》
2009
1
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