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低温载流子冻析效应及其对半导体器件电性能的影响
被引量：
4
1
作者
吴金
魏同立
+1 位作者
郑茳
肖志雄
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期228-235,共8页
结合载流子热激发和场致激发的电离理论，对计算电离杂质浓度的物理模型和计算方法进行了修正，由于考虑了载流子的费米统计分布、载流子对杂质电离能的屏蔽作用、ＰｏｏｌｅＦｒｅｎｋｅｌ强场理论和自加热等物理效应的影响，因而可精...
结合载流子热激发和场致激发的电离理论，对计算电离杂质浓度的物理模型和计算方法进行了修正，由于考虑了载流子的费米统计分布、载流子对杂质电离能的屏蔽作用、ＰｏｏｌｅＦｒｅｎｋｅｌ强场理论和自加热等物理效应的影响，因而可精确描述低温下载流子冻析效应、浅能级杂质的陷阱行为及其对低温器件交直流性能的影响。
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关键词
冻析效应
陷阱效应
半导体器件
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职称材料
半导体的低温载流子冻析效应
2
作者
卫静婷
陈利伟
《内江师范学院学报》
2016年第6期81-84,共4页
根据半导体的电中性条件,并考虑了杂质浓度对杂质电离能的影响,利用计算机求解方法,得到费米能级的位置随温度和掺杂浓度的变化规律,从而得到不同掺杂浓度下杂质的离化率随温度的变化规律,对半导体的载流子低温冻析效应进行了详细的分析.
关键词
载流子统计分布
杂质电离
冻析效应
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职称材料
杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
3
作者
李春霞
徐静平
+1 位作者
吴海平
黎沛涛
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期470-473,共4页
文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅...
文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。
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关键词
碳化硅
MOS场效应晶体管
杂质离化
迁移率
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职称材料
变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性
被引量：
1
4
作者
王春安
闫俊虎
《信息记录材料》
2010年第3期56-59,共4页
采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K^400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(|RH|)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(|RH|T3/4)-1/T低...
采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K^400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(|RH|)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(|RH|T3/4)-1/T低温杂质电离区的曲线斜率得到施主杂质电离能为Ei=0.012eV。
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关键词
浅掺杂n型锗薄膜
变温霍尔效应
禁带宽度
杂质电离能
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职称材料
题名
低温载流子冻析效应及其对半导体器件电性能的影响
被引量：
4
1
作者
吴金
魏同立
郑茳
肖志雄
机构
东南大学微电子中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期228-235,共8页
基金
博士点基金
文摘
结合载流子热激发和场致激发的电离理论，对计算电离杂质浓度的物理模型和计算方法进行了修正，由于考虑了载流子的费米统计分布、载流子对杂质电离能的屏蔽作用、ＰｏｏｌｅＦｒｅｎｋｅｌ强场理论和自加热等物理效应的影响，因而可精确描述低温下载流子冻析效应、浅能级杂质的陷阱行为及其对低温器件交直流性能的影响。
关键词
冻析效应
陷阱效应
半导体器件
Keywords
Low
Temperature,
impurity
ionization
,
Shallow
impurity
Energy,Carriers
Freeze-out
and
Trapping
Effect
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半导体的低温载流子冻析效应
2
作者
卫静婷
陈利伟
机构
广东开放大学广东理工职业学院
出处
《内江师范学院学报》
2016年第6期81-84,共4页
文摘
根据半导体的电中性条件,并考虑了杂质浓度对杂质电离能的影响,利用计算机求解方法,得到费米能级的位置随温度和掺杂浓度的变化规律,从而得到不同掺杂浓度下杂质的离化率随温度的变化规律,对半导体的载流子低温冻析效应进行了详细的分析.
关键词
载流子统计分布
杂质电离
冻析效应
Keywords
carrier
statistical
distribution
impurity
ionization
freeze-out
effect
分类号
O471.2 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
3
作者
李春霞
徐静平
吴海平
黎沛涛
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学电机电子工程系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期470-473,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60176030)
文摘
文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。
关键词
碳化硅
MOS场效应晶体管
杂质离化
迁移率
Keywords
SiC
MOSFET
impurity
ionization
Mobility
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性
被引量：
1
4
作者
王春安
闫俊虎
机构
广东技术师范学院电子与信息学院
出处
《信息记录材料》
2010年第3期56-59,共4页
文摘
采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性。根据77K^400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(|RH|)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(|RH|T3/4)-1/T低温杂质电离区的曲线斜率得到施主杂质电离能为Ei=0.012eV。
关键词
浅掺杂n型锗薄膜
变温霍尔效应
禁带宽度
杂质电离能
Keywords
shallow
n-Ge
sample
temperature-dependent
hall
measurement
band
gap
donor
impurity
ionization
energy
分类号
O482.4 [理学—固体物理]
TQ58 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温载流子冻析效应及其对半导体器件电性能的影响
吴金
魏同立
郑茳
肖志雄
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1994
4
下载PDF
职称材料
2
半导体的低温载流子冻析效应
卫静婷
陈利伟
《内江师范学院学报》
2016
0
下载PDF
职称材料
3
杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
李春霞
徐静平
吴海平
黎沛涛
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
4
变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性
王春安
闫俊虎
《信息记录材料》
2010
1
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职称材料
已选择
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