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大功率三电平变频器损耗计算及散热分析 被引量:53
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作者 景巍 谭国俊 叶宗彬 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第2期134-140,共7页
准确计算功率器件损耗可优化变频器的散热设计。功率器件的导通和开关特性对温度比较敏感,损耗计算必须考虑结温的影响。本文分析了中点钳位式(NPC)三电平变频器功率器件导通和开关规律,在此基础上建立了一套实用的损耗计算方法。通过... 准确计算功率器件损耗可优化变频器的散热设计。功率器件的导通和开关特性对温度比较敏感,损耗计算必须考虑结温的影响。本文分析了中点钳位式(NPC)三电平变频器功率器件导通和开关规律,在此基础上建立了一套实用的损耗计算方法。通过热阻等效电路计算了功率器件的结温。对一台1MVA NPC三电平变频器在逆变和整流两种典型工况下进行了试验分析,采用红外热成像仪对功率器件的温度进行测量,计算和测量结果误差率在5%以内,验证了损耗计算的准确性。 展开更多
关键词 三电平变频器 igbt模块 损耗 结温 散热 热阻
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IGBT模块寿命评估研究综述 被引量:34
2
作者 张军 张犁 成瑜 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第12期2560-2575,共16页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力电子系统实现电能变换与控制的核心组件之一。然而,工业界反馈的数据表明,应用于高可靠性场合的IGBT模块可靠性并不高,其热疲劳失效将会导致整个系统的非计划停机。对IGBT模块的预期使用寿命进行评估,将... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力电子系统实现电能变换与控制的核心组件之一。然而,工业界反馈的数据表明,应用于高可靠性场合的IGBT模块可靠性并不高,其热疲劳失效将会导致整个系统的非计划停机。对IGBT模块的预期使用寿命进行评估,将有助于指导电力电子装置的定期维修,降低经济损失。相关研究表明,IGBT模块的失效和温度关系密切,因此该文从热特性角度阐述IGBT模块的寿命评估。具体涉及热疲劳失效机理、热网络的建立与应用、热参数的辨识与监测、结温的估算及用于寿命预测的失效物理和解析模型五个方面。最后总结了现有研究存在的难点,并对IGBT模块的寿命评估研究发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 igbt模块 寿命评估 失效机理 热网络模型 热参数监测 结温估算
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大功率半导体激光器驱动电源 被引量:20
3
作者 李季 陈结祥 +2 位作者 张毅 戚俊 涂碧海 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期30-34,共5页
根据半导体激光二极管的工作特性,设计了一种以VICOR电源为功率模块,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为大功率变换器件的大功率激光二极管驱动电源。该驱动电源电路简单,能有效地抑制电源的浪涌冲击,保证了激光二极管不受外界的电干扰。在线... 根据半导体激光二极管的工作特性,设计了一种以VICOR电源为功率模块,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为大功率变换器件的大功率激光二极管驱动电源。该驱动电源电路简单,能有效地抑制电源的浪涌冲击,保证了激光二极管不受外界的电干扰。在线保护机制可实时对半导体激光器工作监控,半导体激光器的慢启动电路、温控电路保证了半导体激光器安全工作。该电源已应用于机载激光雷达样机系统中,通过一年多的使用,半导体激光二极管工作正常,性能稳定可靠。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 驱动电源 激光二极管电源 功率模块 igbt 浪涌损伤 技术指标
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关于快速脉冲充电技术的研究 被引量:20
4
作者 刘玉杰 姜印平 孟祥适 《蓄电池》 2004年第2期71-73,76,共4页
直流恒压恒流蓄电池充电设备容易造成电池过充或充电不足,且充电时间较长。本文简述了快速脉冲充电技术的理论基础,并根据需要设计了一套能有效防止过充和欠充的充电系统。
关键词 脉冲充电 阀控密封铅酸蓄电池 igbt模块
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智能功率模块IGBT-IPM及其应用 被引量:13
5
作者 黄挚雄 李志勇 危韧勇 《电气传动自动化》 2002年第2期19-21,25,共4页
介绍了一种新型的大功率电力电子器伯IGBT-IPM智能功率模块。给出了模块的内部电路结构及功能特点 ,逐一讨论了IPM的内置电气功能 ,提出了完整的应用电路实例 ,对使用中应注意的问题进行了较详细的说明。
关键词 智能功率模块 igbt-IPM 电子电力器件 驱动电路 双极性晶体管
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考虑多热源耦合的风电变流器IGBT模块结温评估模型 被引量:28
6
作者 李辉 刘盛权 +3 位作者 李洋 杨东 梁媛媛 刘静 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2016年第2期51-56,共6页
为了更准确地描述大功率风电机组变流器IGBT模块内并联芯片的结温,提出一种考虑多热源耦合影响的变流器功率模块结温评估改进模型。从实际2 MW双馈风电机组变流器IGBT模块内部结构和材料参数出发,利用有限元方法分析IGBT模块内多芯片的... 为了更准确地描述大功率风电机组变流器IGBT模块内并联芯片的结温,提出一种考虑多热源耦合影响的变流器功率模块结温评估改进模型。从实际2 MW双馈风电机组变流器IGBT模块内部结构和材料参数出发,利用有限元方法分析IGBT模块内多芯片的结温分布和稳态热耦合影响。引入等效耦合热阻抗概念,推导功率模块芯片间热阻抗关系矩阵,并建立考虑多芯片热源影响的IGBT模块改进热网络模型。以某H93-2MW双馈风电机组为例,对比分析了不同功率损耗下改进模型的芯片结温计算结果与有限元和常规热网络模型结果。结果表明了考虑多热源耦合影响的风电变流器功率模块内部芯片结温计算的必要性和有效性,且热耦合影响程度与不同的芯片间距密切相关,需重点关注非边缘位置芯片的热分布。 展开更多
关键词 风电 变流器 双馈发电机 功率模块 多热源耦合 结温计算 评估 模型 igbt
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基于特定集电极电流下饱和压降的IGBT模块老化失效状态监测方法 被引量:28
7
作者 李亚萍 周雒维 +2 位作者 孙鹏菊 彭英舟 蔡杰 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第14期3202-3212,共11页
为提高功率变流器的可靠性,提出一种基于特定条件下集射极饱和压降V_(CE(on))的IGBT模块老化失效状态监测方法。特定集电极电流条件指的是不同温度下的多条IC-VCE输出特性曲线的交点对应的集电极电流,监测对应的V_(CE(on)),根据V_(CE(o... 为提高功率变流器的可靠性,提出一种基于特定条件下集射极饱和压降V_(CE(on))的IGBT模块老化失效状态监测方法。特定集电极电流条件指的是不同温度下的多条IC-VCE输出特性曲线的交点对应的集电极电流,监测对应的V_(CE(on)),根据V_(CE(on))的变化可以对IGBT模块的健康状态进行评估。该方法可以忽略芯片结温对评估结果的影响。首先根据IGBT模块饱和压降的等效模型,结合IGBT模块输出特性曲线的特点,分析得出曲线交点处对应的V_(CE(on))不受温度影响,然后阐明IGBT模块老化对V_(CE(on))的影响关系。最后分别采用对IGBT模块进行加速老化实验验证方法和人为逐根剪断键合线模拟老化情况的验证方法,对不同工况下IGBT模块的V_(CE(on))进行测量和分析。实验结果表明,在特定条件下,IGBT模块的V_(CE(on))不受芯片结温的影响,只与模块老化程度有关,可作为IGBT模块老化状态监测的特征参数,实验结果与理论分析一致。 展开更多
关键词 可靠性 老化 失效 状态监测 igbt模块
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功率IGBT模块的寿命预测 被引量:27
8
作者 王彦刚 Chamund Dinesh +4 位作者 李世平 Jones Steve 窦泽春 忻兰苑 刘国友 《机车电传动》 北大核心 2013年第2期13-17,27,共6页
介绍了功率循环试验数据的威布尔分析方法,分析了现有的典型模块寿命模型,论述了寿命预测的方法:将任务曲线转化成温度曲线,利用雨流计数法,根据线性疲劳损伤积累理论和寿命模型计算功率循环寿命。最后,预测了应用于HXD1C电力机车的株... 介绍了功率循环试验数据的威布尔分析方法,分析了现有的典型模块寿命模型,论述了寿命预测的方法:将任务曲线转化成温度曲线,利用雨流计数法,根据线性疲劳损伤积累理论和寿命模型计算功率循环寿命。最后,预测了应用于HXD1C电力机车的株洲南车时代电气股份有限公司3300V/1200A IGBT模块的功率循环寿命。 展开更多
关键词 igbt模块 可靠性 功率循环试验 失效机制 寿命预测
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键合线失效对于IGBT模块性能的影响分析 被引量:26
9
作者 王春雷 郑利兵 +1 位作者 方化潮 韩立 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第S1期184-191,共8页
IGBT模块的键合线与芯片的热膨胀系数不匹配引起的键合线故障是模块失效的重要因素。本文对IGBT模块导热机理进行了分析,并建立了IGBT模块热电耦合场下的键合点温度估算模型。同时,建立了IGBT模块三维热电耦合有限元模型,进行了非线性... IGBT模块的键合线与芯片的热膨胀系数不匹配引起的键合线故障是模块失效的重要因素。本文对IGBT模块导热机理进行了分析,并建立了IGBT模块热电耦合场下的键合点温度估算模型。同时,建立了IGBT模块三维热电耦合有限元模型,进行了非线性瞬态数值计算,得到了芯片表面以及键合线结构的温度分布模型,并进行了实验验证。结果显示,相同载荷下键合点脱落会显著引起IGBT模块芯片结温的升高,芯片结温的升高降低IGBT模块的性能,进而引起模块失效。 展开更多
关键词 igbt 功率模块 键合线 热电耦合 有限元模型
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IGBT模块封装热应力研究 被引量:13
10
作者 王彦刚 武力 +3 位作者 崔雪青 吴武臣 P.Jacbo M.Held 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2000年第6期52-54,39,共4页
IGBT模块封装多层结构的热不匹配将产生热应力从而影响器件可靠性。给出了IGBT模块热应力模拟结果及减小硅芯片热应力的方法 ,并计算出模块封装最佳参数及热应力与温度的关系 。
关键词 热应力 封装 可靠性 绝缘栅双极晶体管模块 igbt
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IGBT模块封装的热性能分析 被引量:21
11
作者 丁杰 唐玉兔 +2 位作者 忻力 张陈林 胡昌发 《机车电传动》 北大核心 2013年第2期9-12,34,共5页
利用ANSYS有限元分析软件建立了IGBT模块封装的有限元模型,分析了导热硅脂厚度、当量换热系数、基板厚度和材料、焊料厚度和材料、衬板厚度和材料、铜层厚度等因素对IGBT模块封装热性能的影响,并探讨了热扩展对芯片结温的影响。研究结... 利用ANSYS有限元分析软件建立了IGBT模块封装的有限元模型,分析了导热硅脂厚度、当量换热系数、基板厚度和材料、焊料厚度和材料、衬板厚度和材料、铜层厚度等因素对IGBT模块封装热性能的影响,并探讨了热扩展对芯片结温的影响。研究结果可为优化IGBT模块封装提供参考。 展开更多
关键词 igbt模块 热性能 热扩展 热传导 当量换热系数 有限元分析
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基于小波奇异熵理论的IGBT模块键合线脱落故障特征分析 被引量:21
12
作者 沈刚 周雒维 +2 位作者 杜雄 杨旭 徐铭伟 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第6期165-171,共7页
针对目前IGBT功率模块内部键合线故障需要通过复杂辅助电路才能实现识别、监测的难题,本文提出一种根据IGBT模块实时开关波形对键合线故障甚至是并联IGBT芯片故障进行评估分析的新方法。从IGBT模块结构特性入手,分析得出键合线及并联IGB... 针对目前IGBT功率模块内部键合线故障需要通过复杂辅助电路才能实现识别、监测的难题,本文提出一种根据IGBT模块实时开关波形对键合线故障甚至是并联IGBT芯片故障进行评估分析的新方法。从IGBT模块结构特性入手,分析得出键合线及并联IGBT芯片的故障特性将在模块栅极关断电压的变化上得到体现,然后对未塑封的IGBT模块进行了人为的键合线挑断试验得到了预期的分析处理数据。考虑到IGBT模块从投运至失效过程中的数据信息量极为巨大,需要对大量数据进行有效压缩并挖掘出其中的有用信息。本文采用小波奇异熵理论对栅极电压信号进行了故障特征提取,并比较了不同故障类型对特征量变化的影响。研究成果为实现IGBT模块的健康状态评估提供了重要依据。 展开更多
关键词 igbt模块 键合线 栅极电压 小波奇异熵 故障特征量
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智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块 被引量:20
13
作者 刘国友 黄建伟 +2 位作者 覃荣震 罗海辉 朱利恒 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第10期2784-2792,共9页
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片... 基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 智能电网 电子注入增强 台面栅 igbt模块 短路安全工作区
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轨道交通用高压IGBT技术特点及其发展趋势 被引量:21
14
作者 丁荣军 刘国友 《机车电传动》 北大核心 2014年第1期1-6,共6页
针对轨道交通用高压绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的应用特点,从芯片和模块两方面对轨道交通用IGBT的技术特点进行了分析。随着IGBT芯片及模块的设计与工艺技术发展,未来轨道交通用IGBT将朝更高功率密度、... 针对轨道交通用高压绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的应用特点,从芯片和模块两方面对轨道交通用IGBT的技术特点进行了分析。随着IGBT芯片及模块的设计与工艺技术发展,未来轨道交通用IGBT将朝更高功率密度、更高工作温度、更智能及更可靠的方向发展。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 芯片 模块 技术特点 技术发展 轨道交通
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计及焊料层疲劳累积效应的IGBT模块寿命评估 被引量:19
15
作者 陈民铀 陈一高 +3 位作者 高兵 赖伟 黄涛 徐盛友 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第20期6053-6061,共9页
作为大功率变流器的关键单元,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的高可靠性是系统稳定运行的重要保证,准确的寿命评估是提高系统可靠性的有效手段之一。然而,目前器件寿命评估多忽略焊料层疲劳造成的热阻、... 作为大功率变流器的关键单元,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的高可靠性是系统稳定运行的重要保证,准确的寿命评估是提高系统可靠性的有效手段之一。然而,目前器件寿命评估多忽略焊料层疲劳造成的热阻、热载荷增大效应,易高估器件寿命。针对该问题,该文提出计及焊料层疲劳累积效应的IGBT模块寿命评估模型,该模型考虑焊料层失效位置信息以及疲劳造成的热特性反馈效应。首先,基于IGBT模块三维电–热–力多物理场耦合模型分析不同焊料层疲劳对模块热响应影响的差异;其次,提出基于Cauer模型的考虑焊料层疲劳位置信息的热网络更新策略;然后,基于该策略建立适时更新热网络的计及焊料层疲劳对模块老化加速作用的寿命预测模型;最后,与现有寿命预测模型对比分析实际风速下风机变流器中IGBT模块的寿命评估。 展开更多
关键词 igbt模块 焊料层失效 疲劳累积 寿命预测
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IGBT模块开关损耗计算方法综述 被引量:19
16
作者 李志刚 梅霜 +1 位作者 王少杰 姚芳 《电子技术应用》 北大核心 2016年第1期10-14,18,共6页
IGBT模块开关损耗计算方法有基于物理方法的损耗计算法和基于数学方法的损耗计算法。基于物理方法的损耗计算是采用软件仿真的办法建立相应的物理模型得到开关动态波形,计算损耗;基于数学方法的损耗计算是采用各种数学的方法建模,计算... IGBT模块开关损耗计算方法有基于物理方法的损耗计算法和基于数学方法的损耗计算法。基于物理方法的损耗计算是采用软件仿真的办法建立相应的物理模型得到开关动态波形,计算损耗;基于数学方法的损耗计算是采用各种数学的方法建模,计算损耗。对各种开关损耗计算法进行讨论,并给出其相应的优缺点。 展开更多
关键词 igbt模块 开关损耗 损耗计算 损耗模型
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基于瞬态热阻的IGBT焊料层失效分析 被引量:17
17
作者 陈一高 陈民铀 +3 位作者 高兵 胡博容 赖伟 徐盛友 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期3059-3067,共9页
焊料层失效是绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolartr ansistor,IGBT)器件最主要的失效方式之一,有效的焊料层失效评估方法对提高系统可靠性尤其重要。该文提出了基于瞬态热阻的IGBT焊料层健康状态评估及失效部位判定方法,量... 焊料层失效是绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolartr ansistor,IGBT)器件最主要的失效方式之一,有效的焊料层失效评估方法对提高系统可靠性尤其重要。该文提出了基于瞬态热阻的IGBT焊料层健康状态评估及失效部位判定方法,量化分析芯片焊料层失效、DBC焊料层失效对器件整体失效的贡献。首先,利用三维有限元仿真证明该方法评估功率器件焊料层疲劳老化的可行性;然后,提取IGBT模块的结构函数曲线建立三阶Cauer模型,实现对不同焊料层失效程度的量化评估以及失效点判定;最后,搭建试验平台,分析不同工况和失效状态下瞬态热阻曲线的变化规律,验证所提出的瞬态热阻法评估IGBT焊料层失效的有效性。 展开更多
关键词 igbt模块 焊料层失效 瞬态热阻 失效定位 失效评估
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IGBT模块键合线失效研究 被引量:17
18
作者 周文栋 王学梅 +1 位作者 张波 赖伟 《电源学报》 CSCD 2016年第1期10-17,共8页
新能源技术的发展对功率变流装置的性能提出了更高的要求,IGBT模块作为变流器的核心器件,其可靠性受到了越来越广泛的重视。现有研究表明,恶劣的工作环境加速了器件的老化和失效,因此,深入研究IGBT模块的老化和失效机理是功率器件应用... 新能源技术的发展对功率变流装置的性能提出了更高的要求,IGBT模块作为变流器的核心器件,其可靠性受到了越来越广泛的重视。现有研究表明,恶劣的工作环境加速了器件的老化和失效,因此,深入研究IGBT模块的老化和失效机理是功率器件应用中需亟待解决的问题。以IGBT模块的键合线为研究对象,在建立IGBT模块电-热-力多场耦合模型的基础上,对正常工作和部分键合线脱落时的温度和剪切应力进行了综合分析,指出剪切力是键合线疲劳和失效的直接原因。最后,对比传统铝键合线模型,采用铜作为键合线材料,可以进一步提高模块的可靠性。本研究为进一步分析键合线疲劳,研究IGBT模块的失效形式和寿命提供了参考。 展开更多
关键词 igbt模块 键合线 失效机理 多物理场仿真
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基于杂散参数辨识的IGBT模块内部缺陷诊断方法 被引量:16
19
作者 周雒维 周生奇 孙鹏菊 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第5期156-163,共8页
为识别IGBT模块早期内部缺陷,增强其运行的可靠性,本文提出一种基于杂散参数辨识的IGBT模块内部缺陷的诊断方法。该方法利用最小二乘法辨识IGBT模块门极内部杂散参数因经受电、热老化而导致的变化,进而判断内部是否存在缺陷,及时制定维... 为识别IGBT模块早期内部缺陷,增强其运行的可靠性,本文提出一种基于杂散参数辨识的IGBT模块内部缺陷的诊断方法。该方法利用最小二乘法辨识IGBT模块门极内部杂散参数因经受电、热老化而导致的变化,进而判断内部是否存在缺陷,及时制定维护措施,从而有效防止运行中突发失效及由此造成的设备损坏。与现有的故障诊断方法相比,其响应时间更充裕,实验研究结果验证了其诊断结论的正确性和实用性。 展开更多
关键词 igbt模块 可靠性 缺陷 参数辨识
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Partial Discharge Measurement and Analysis in High Voltage IGBT Modules Under DC Voltage 被引量:16
20
作者 Pengyu Fu Zhibin Zhao +4 位作者 Xiang Cui Teng Wen Haoyu Wang Xuebao Li Peng Zhang 《CSEE Journal of Power and Energy Systems》 SCIE 2018年第4期513-523,共11页
Insulation performance of high voltage IGBT modules is one of the key attributes in power system applications.However,the existing standards of IGBT devices and research on the evaluation of insulation performance of ... Insulation performance of high voltage IGBT modules is one of the key attributes in power system applications.However,the existing standards of IGBT devices and research on the evaluation of insulation performance of high voltage IGBT modules are insufficient;for example,partial discharge resistance under DC voltage blocking condition is not considered.In this paper,a new test was proposed to allow the measurement of partial discharges in all the components of IGBT modules under DC voltage.The topology of the measuring circuit is arranged in the polarity discrimination way to exclude the interference,and the voltage and discharge current waveforms during the partial discharge process are measured by the wideband time domain measurement technique.According to the proposed test,the discharge phenomenon of the IGBT modules below the rating voltage were detected.A comprehensive waveform analysis on the voltage and discharge current was performed,and the influence of the applied voltage on the waveform parameters was obtained.The waveform parameters are influenced by the applied voltage and insulation structure,which enables the discrimination of the causes of the observed partial discharge in the IGBT module under DC voltage by the waveform analysis technique.Based on the waveform analysis technique,the types and causes of the observed partial discharges were discussed and inferred,and the correctness of the inference was further verified by observation.The proposed test and waveform analysis technique provide the possibility to evaluate and distinguish partial discharges in the high voltage IGBT module under DC voltage,which may be helpful to insulation performance evaluation and insulation defect diagnosis in high voltage IGBT module. 展开更多
关键词 DC voltage high voltage igbt module insulation performance partial discharge measurement waveform analysis wideband time domain measurement
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