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光亮硫酸盐镀锌工艺研究 被引量：9
1
作者 肖鑫 郭贤烙 +2 位作者 易翔 付海旭 王乾才 《腐蚀与防护》 CAS 2000年第11期498-501,共4页
采用霍尔槽试验对硫酸盐镀锌光亮剂、载体光亮剂、辅助光亮剂进行筛选 ,研究成功了一种光亮硫酸盐镀锌工艺。探讨了主盐、缓冲剂、工艺条件的影响 ,检测了镀液、镀层性能。本工艺所得镀层光亮、细致 ,操作电流密度范围宽 ,适用于板材、... 采用霍尔槽试验对硫酸盐镀锌光亮剂、载体光亮剂、辅助光亮剂进行筛选 ,研究成功了一种光亮硫酸盐镀锌工艺。探讨了主盐、缓冲剂、工艺条件的影响 ,检测了镀液、镀层性能。本工艺所得镀层光亮、细致 ,操作电流密度范围宽 ,适用于板材、线材、带材等形状简单零件的镀锌。 展开更多
关键词 硫酸盐镀锌 光亮剂 霍尔槽试验 性能检测
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Te掺杂的GaSb材料载流子特性研究
2
作者 金姝沛 胡雨农 +2 位作者 刘铭 孙浩 王成刚 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期561-568,共8页
非故意掺杂的GaSb材料呈现p型导电,限制了GaSb材料在InAs/GaSb超晶格红外探测器等领域的应用。探究N型GaSb薄膜电学特性对估算超晶格载流子浓度以及制备超晶格衬底、缓冲层、电极接触层等提供了一定的理论依据。Te掺杂能够以抑制GaSb本... 非故意掺杂的GaSb材料呈现p型导电,限制了GaSb材料在InAs/GaSb超晶格红外探测器等领域的应用。探究N型GaSb薄膜电学特性对估算超晶格载流子浓度以及制备超晶格衬底、缓冲层、电极接触层等提供了一定的理论依据。Te掺杂能够以抑制GaSb本征缺陷的方式实现N型GaSb薄膜的制备,利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术,设置GaTe源温分别为420℃、450℃、480℃,分别在GaSb衬底与GaAs衬底上生长不同GaTe源温度下掺杂的GaSb薄膜,通过霍尔测试探究GaSb薄膜的电学特性。在77 K的霍尔测试中,发现在GaAs衬底上生长的GaSb薄膜均显示为N型半导体,载流子浓度随源温升高而增加。与非故意掺杂的GaSb相比,源温为420℃、450℃时由于载流子浓度增加而导致的杂质散射,迁移率大幅提高,且随温度升高而增加,但在480℃时,由于缺陷密度减小,迁移率大大减小。在GaSb衬底上生长7000ABe掺杂的GaSb缓冲层,再生长5000ATe掺杂的GaSb薄膜。结果发现,由于P型缓冲层的存在,当源温为420℃时,薄膜显示为P型半导体,空穴载流子的存在导致薄膜整体载流子浓度增加,且空穴和电子的补偿作用使迁移率大幅降低。源温为450℃、480℃时,薄膜仍为N型半导体,载流子浓度随温度增加,且为GaAs衬底上生长的GaSb薄膜载流子浓度的2~3倍;迁移率在450℃时最高,480℃时减小。设置GaTe源温为450℃时GaSb薄膜的载流子浓度较高且迁移率较高,参与超晶格材料的制备能够使整个材料的效果最佳。 展开更多
关键词 GaTe掺杂 GASB 载流子浓度 霍尔测试
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ITO对新型AlGaInP红光LED特性的影响 被引量：6
3
作者 张勇辉 郭伟玲 +3 位作者 秦园 李瑞 丁天平 沈光地 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2401-2405,共5页
用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)薄膜,制作了以300nmITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压先下降后上升,并且两... 用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)薄膜,制作了以300nmITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,对LED样品进行了40s快速热退火处理。随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压先下降后上升,并且两者都在435℃达到最优值。通过霍尔测试研究退火对ITO薄膜电学特性的影响,发现这是由于ITO在经过435℃退火后,电阻率最小,载流子浓度最大,因而减小了ITO的体电阻和p型欧姆接触电阻,降低了LED工作电压,同时增加了ITO做为电流扩展层的电流扩展效果,提高了LED光强。 展开更多
关键词 光学器件 发光二极管 快速热退火 霍尔测试 氧化铟锡
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In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响 被引量：1
4
作者 刘航 介万奇 +1 位作者 徐亚东 杨睿 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1023-1028,1036,共7页
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In∶ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In∶ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生... 采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In∶ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In∶ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响。红外透过光谱分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60%,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收。然而,I-V测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级。同时Hall测试分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的V Zn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级。对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的。 展开更多
关键词 MVB-Te溶剂法 In掺杂 红外透过显微成像 I-V测试 hall测试
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黑硅薄膜的电学输运特性 被引量：1
5
作者 程正喜 陈永平 马斌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3311-3317,共7页
采用飞秒激光在六氟化硫气氛中对硅表面进行扫描，在硅衬底上制备了具有超饱和硫重掺杂的黑硅薄膜。采用变温霍尔测试方法，在30-300K温度范围内测试了黑硅薄膜一硅衬底双层结构的载流子浓度温度特性和迁移率温度特性。采用双层结构的... 采用飞秒激光在六氟化硫气氛中对硅表面进行扫描，在硅衬底上制备了具有超饱和硫重掺杂的黑硅薄膜。采用变温霍尔测试方法，在30-300K温度范围内测试了黑硅薄膜一硅衬底双层结构的载流子浓度温度特性和迁移率温度特性。采用双层结构的霍尔载流子浓度模型和霍尔迁移率模型，从测试结果中分离出黑硅薄膜的载流子浓度温度特性和迁移率温度特性。采用杂质带电离载流子模型拟合黑硅薄膜的载流子浓度温度特性，得到黑硅薄膜的硫杂质带的中心能级为Eds=-159meV，高斯半高宽为50．57meV，有效硫浓度Nds=1．0cm^-3×10^20cm^-3，室温下硫的电离率为7％。计算得到的杂质带态密度分布图，此时杂质带与导带开始融合，黑硅薄膜发生了绝缘体金属转化现象，并解释了黑硅薄膜载流子浓度温度特性中随温度升高激活能增大的现象。黑硅薄膜载流子迁移率特性说明，在低温下杂质散射是主要的散射机制，在高温下声子散射是主要的散射机制。并采用硅中载流子迁移率的经验模型，将黑硅薄膜载流子迁移率分离成导带电导和杂质带电导两部分，得到杂质带的迁移率胁在1-10cm^-2／Vs。 展开更多
关键词 黑硅 电子迁移率 霍尔测试 双层结构
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4H-SiC中Al离子注入及其二次高温退火技术 被引量：1
6
作者 郑柳 潘艳 +2 位作者 夏经华 刘瑞 杨霏 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期268-272,共5页
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^(19)cm^(-3),对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试。测试... 在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^(19)cm^(-3),对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试。测试结果显示,二次退火工艺有助于进一步提升Al离子在碳化硅中的有效电激活率。在1 850℃下进行3 min首次退火后,1#样品的有效空穴浓度只有3.23×10^(17)cm^(-3)。在1 850℃下进行3 min的二次退火后,2#样品的有效空穴浓度增大到了6.4×10^(18)cm^(-3)。同时二次退火导致了Al离子总剂量的降低,二次退火时间越长,温度越高,Al离子总剂量降低越显著。 展开更多
关键词 4H-SIC Al离子注入 二次高温退火 霍尔测试 二次离子质谱(SIMS) 空穴浓度 激活率
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InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
7
作者 牛南辉 王怀兵 +4 位作者 刘建平 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期4-7,共4页
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°... 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。 展开更多
关键词 铟镓氮 镁掺杂 霍尔测试 X射线双晶衍射 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积
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一种新的航空电源监控电路设计 被引量：5
8
作者 张天伟 马存宝 +5 位作者 宋东 李红娟 翟兴彦 廖永涛 宋西民 黎明峰 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期105-106,共2页
针对 ATE测试台电源可靠性的要求 ,设计了一种高可靠性的电源监控电路。采用霍尔传感器进行电压取样 ,电路简单 ,工作稳定可靠 ,易于维护。
关键词 电源监控 霍尔传感器 自动测试台
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GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究 被引量：1
9
作者 吕晶 杨瑞霞 +1 位作者 武一宾 孙莹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期116-120,共5页
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡... 设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡法对实验结果加以验证。结果表明,平整异质结界面生长技术能有效控制高迁移率2DEG浓度分布;与范德堡法相比,非接触霍尔方法无破坏性、测试结果可靠,该结果可以用来分析多层结构的PHEMT外延材料中InGaAs沟道界面的生长情况。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 非接触霍尔测试 双平面掺杂 二维电子气面密度 霍尔测试
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