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基于灰色系统理论的时序数据挖掘技术 被引量:29
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作者 刘斌 刘思峰 党耀国 《中国工程科学》 2003年第9期32-35,共4页
阐述了嵌入知识的数据挖掘思想和数据挖掘技术现状 ,结合灰色系统理论首次提出了时序数据挖掘的灰色系统方法集 (GDMS) ,并以灰色系统中的GM (1 ,1 )模型为例 ,介绍了其具体算法。应用此算法对上海市 2 0 0 2~ 2 0 0 5年的上网户数进... 阐述了嵌入知识的数据挖掘思想和数据挖掘技术现状 ,结合灰色系统理论首次提出了时序数据挖掘的灰色系统方法集 (GDMS) ,并以灰色系统中的GM (1 ,1 )模型为例 ,介绍了其具体算法。应用此算法对上海市 2 0 0 2~ 2 0 0 5年的上网户数进行了预测。 展开更多
关键词 灰色系统 嵌入知识 gdms 预测 时序数据挖掘技术
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辉光放电质谱法在高纯材料分析中的应用 被引量:18
2
作者 王爽 白杉 +7 位作者 徐平 王树英 郭雅尘 左文家 张腾月 周渊名 梁雪松 洪梅 《中国无机分析化学》 CAS 2019年第2期24-34,共11页
高纯材料是现代高新技术发展的基础,在电子、光学和光电子等尖端科学领域发挥着重要作用。采用固体样品直接分析的辉光放电质谱法(GDMS),在高纯金属、高纯半导体材料的痕量和超痕量杂质分析中有着非常广泛的应用。综述了GDMS法对高纯金... 高纯材料是现代高新技术发展的基础,在电子、光学和光电子等尖端科学领域发挥着重要作用。采用固体样品直接分析的辉光放电质谱法(GDMS),在高纯金属、高纯半导体材料的痕量和超痕量杂质分析中有着非常广泛的应用。综述了GDMS法对高纯金属、高纯半导体材料进行的元素分析,并对分析过程中工作参数、溅射时间、干扰峰等因素的影响进行了阐述。同时,也详述了应用GDMS法对高纯金属钛、镉,高纯半导体硅,分别进行的痕量杂质元素分析,结果显示放电稳定性良好,典型元素含量的相对标准偏差均在较为理想范围内。GDMS应用前景广泛,未来,GDMS将在除固体样品之外的其他样品类型的分析领域中发挥重要作用。 展开更多
关键词 辉光放电质谱法 高纯金属 高纯半导体 应用
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辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素 被引量:14
3
作者 普朝光 肖绍泽 张震 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1997年第4期67-70,共4页
本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限,是鉴定起统金属或半导体材料纯度(8N)的理想手段。
关键词 辉光放电质谱仪 痕量杂质 锗半导体 纯度
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超高纯银的制备研究 被引量:10
4
作者 刘丹 李轶轁 +1 位作者 贺昕 熊晓东 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期37-41,共5页
采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质... 采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质成分进行了分析。结果表明,控制电解液中的银含量在500-540 g/L,电流密度600-1000 A/m^2,温度为30-40℃,同极极间距为10 cm,多孔钛网作阴极,可以得到总杂质含量小于1×10^-6的6N超高纯银。 展开更多
关键词 有色金属冶金 高纯银 电解精炼 离子交换 辉光放电质谱法
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高纯材料中痕量元素分析的发展趋势 被引量:6
5
作者 刘灿辉 《四川有色金属》 2002年第3期17-19,共3页
本文综述了我国高纯材料中痕量元素分析的发展趋势 ,开展对世界三家公司生产研制的先进分析仪器 :电感耦合等离子体质谱 ,辉光放电质谱进行调研 。
关键词 痕量元素分析 发展趋势 高纯材料 电感耦合等离子体质谱 辉光放电质谱 金属材料
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辉光放电质谱法在高纯碳化硅原料及制品的微量杂质成分测定中的应用
6
作者 郑翰 相宇博 +4 位作者 曹会彦 石会营 龚剑锋 吴吉光 马昭阳 《耐火与石灰》 2024年第3期15-19,共5页
将辉光放电质谱法(GDMS)用于高纯碳化硅原料和制品中微量杂质成分的检测,结果发现:1)GDMS法比化学分析法对Fe、Al杂质检出限更低,含量的检测结果更准确,检测精密度更高;2)无烟煤及石油焦作为碳源制备的碳化硅均含有较多的Fe、Al杂质,无... 将辉光放电质谱法(GDMS)用于高纯碳化硅原料和制品中微量杂质成分的检测,结果发现:1)GDMS法比化学分析法对Fe、Al杂质检出限更低,含量的检测结果更准确,检测精密度更高;2)无烟煤及石油焦作为碳源制备的碳化硅均含有较多的Fe、Al杂质,无烟煤碳化硅中含Ca元素较多,石油焦碳化硅中含V元素也较多。碳化硅颗粒研磨成微粉过程会引入Fe、Cr、Mn、Ti等杂质;3)Al元素在SiC中多以Al_(2)O_(3)、AlN存在,酸碱清洗、除杂过程很难将其除去,用GB/T 3045—2017化学分析法对Al元素的检测结果会严重偏低。 展开更多
关键词 辉光放电质谱法 碳化硅 无烟煤 石油焦
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辉光放电质谱法测定超高纯铝中痕量杂质元素 被引量:3
7
作者 陈胜洁 姚力军 +2 位作者 王学泽 钟伟华 杨辉 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1085-1089,共5页
采用辉光放电质谱法(GDMS)分析超高纯铝样品(含铝量≥99.9995%)中B,Mg,Si,P,Cl,Ti等44种主要杂质元素,并且与电感耦合等离子体质谱法(ICPM S)进行对比,主要杂质元素含量检测结果一致。本工作对质谱干扰的排除和预溅射过程时间的确定进... 采用辉光放电质谱法(GDMS)分析超高纯铝样品(含铝量≥99.9995%)中B,Mg,Si,P,Cl,Ti等44种主要杂质元素,并且与电感耦合等离子体质谱法(ICPM S)进行对比,主要杂质元素含量检测结果一致。本工作对质谱干扰的排除和预溅射过程时间的确定进行了讨论,采用高纯铝标样对高纯铝中26种主要元素相对灵敏度因子(RSF)进行校正和验证,并考察了检测结果的准确性和精密度。结果表明,GDMS是超高纯铝样品直接测定的最有效手段之一。 展开更多
关键词 gdms 超高纯铝 相对灵敏度因子 ICPMS
原文传递
数字地电数据综合服务软件(GDMS)设计与实现
8
作者 唐小勇 黄建明 王新刚 《内陆地震》 2006年第3期271-275,共5页
数字地电的原始观测数据文件类型特殊,转换后文件个数较多。根据不同类型数据有不同的处理方法以及需要保存电子观测日志和上传电子月报文件的特点和要求,利用Visual Basic 6.0开发工具,设计了一个带有多个电子表格的ACCESS库,编制了一... 数字地电的原始观测数据文件类型特殊,转换后文件个数较多。根据不同类型数据有不同的处理方法以及需要保存电子观测日志和上传电子月报文件的特点和要求,利用Visual Basic 6.0开发工具,设计了一个带有多个电子表格的ACCESS库,编制了一套针对地震台站管理数字地电观测数据的配套软件。这套软件由6个模块组成,只介绍了两个主要模块的主要程序段。 展开更多
关键词 地电数字数据 gdms 电子表格
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图形数据库管理系统GDMS的设计与实现 被引量:1
9
作者 迟忠先 刘友红 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 1992年第12期950-952,共3页
1.引言 在许多应用领域中,有大量的图形信息,它们与数据和文字信息紧密地联系着,如何存贮、管理这些图形信息以及如何与数据库连接是一个迫切需要解决的问题。目前微机上运行的Auto CAD,dBASE Ⅲ等工具都不适用于这一目的。本文根据Hype... 1.引言 在许多应用领域中,有大量的图形信息,它们与数据和文字信息紧密地联系着,如何存贮、管理这些图形信息以及如何与数据库连接是一个迫切需要解决的问题。目前微机上运行的Auto CAD,dBASE Ⅲ等工具都不适用于这一目的。本文根据Hypertext思想。设计并实现了一个通用的图形数据库管理系统GDMS。 展开更多
关键词 图形数据库 管理系统 设计 gdms
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GDMS在陶瓷熔块化学分析中的应用
10
作者 王超 《江苏陶瓷》 CAS 2019年第1期24-26,共3页
针对陶瓷熔块化学组成难确定,传统分析化学、X射线荧光光谱分析测试受限的实际问题,尝试采用辉光放电质谱法(GDMS)测试其化学组成。结果表明:1 000V、3 mA辉光源、钽勺为辅助电极条件下,Astrum GDMS设备可以快速、准确、高效测定陶瓷熔... 针对陶瓷熔块化学组成难确定,传统分析化学、X射线荧光光谱分析测试受限的实际问题,尝试采用辉光放电质谱法(GDMS)测试其化学组成。结果表明:1 000V、3 mA辉光源、钽勺为辅助电极条件下,Astrum GDMS设备可以快速、准确、高效测定陶瓷熔块的化学组成,为釉料配方的准确计算提供了可靠依据。熔块中杂质元素的分析确认,有利于发现工作过程中可能存在的污染源,在陶瓷工艺改进及环保领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 gdms 熔块 化学分析 环保
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辉光放电飞行时间质谱仪离子光学系统的改进及其性能的初步测试
11
作者 苏永选 周振 +2 位作者 杨芃原 王小如 黄本立 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1997年第3期13-19,共7页
本文介绍一种经过改进的离子光学系统,并用于垂直引出式辉光放电飞行时间质谱仪。初步研究了它的性能,包括吸引锥、透镜、直流四极杆、狭缝电位变化时对仪器灵敏度与分辨率的影响,并检测了黄铜样品谱图。结果表明,该系统不仅能有效... 本文介绍一种经过改进的离子光学系统,并用于垂直引出式辉光放电飞行时间质谱仪。初步研究了它的性能,包括吸引锥、透镜、直流四极杆、狭缝电位变化时对仪器灵敏度与分辨率的影响,并检测了黄铜样品谱图。结果表明,该系统不仅能有效地提高离子的传输效率,提高灵敏度,而且能减少高手的空间分散,改善分辨本领,同时对于质谱仪的真空系统性能的提高也有很大的作用。 展开更多
关键词 辉光放电质谱 飞行时间质谱 离子光学系统 gdms
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新标准简介
12
《电信网技术》 1998年第4期54-58,共5页
一、《900MHz/1800MHz TDMA数字蜂窝移动通信网移动台(第二阶段) 人机接口》行业标准简介 标准号:YD/T910.
关键词 管理业务 电信管理域 新标准 ISDN SIM卡 gdms 移动台 数字蜂窝移动通信 人机接口 补充业务
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辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素 被引量:16
13
作者 荣百炼 普朝光 +1 位作者 姬荣斌 鲁燕杰 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2004年第2期96-99,共4页
采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :... 采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :样品经足够长时间的溅射 ,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染 ,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据。 展开更多
关键词 高纯锑 痕量分析 杂质元素 辉光放电质谱法 半导体材料
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直流辉光放电质谱法测定氧化铝中的杂质元素 被引量:11
14
作者 胡芳菲 王长华 李继东 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期335-340,共6页
为了探索采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定非导体样品中的杂质含量,建立了de-GDMS法测定α-Al2O3粉末中杂质元素的方法.以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片,考察辉光放电条件(放电电流、放电气体流量、离子源温度... 为了探索采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定非导体样品中的杂质含量,建立了de-GDMS法测定α-Al2O3粉末中杂质元素的方法.以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片,考察辉光放电条件(放电电流、放电气体流量、离子源温度)和压片条件(两种粉末的混合比例、压片机压力等因素)对放电稳定性和灵敏度的影响,同时优化了实验条件.尝试将Al、O、Cu的总信号归一化进行计算,并用差减法计算了Al2O3粉末中的杂质含量.方法精密度在54%以内,元素检出限为0.005~0.57 μg/g.该方法的测定结果与直流电弧发射光谱法的测定结果基本吻合. 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法(dc-gdms) 氧化铝粉末 压片 归一化 杂质元素
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辉光放电质谱法相对灵敏度因子影响因素研究 被引量:9
15
作者 魏兴俭 王丽萍 +2 位作者 秦震 张海路 邓大超 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期343-350,共8页
本工作研究了辉光放电气体流速、放电电压和放电电流3个主要因素对辉光放电质谱法(GDMS)相对灵敏度因子(RSF)的影响。结果显示,在恒定的放电电流或放电电压下,重元素的RSF随放电气体流速的增大而增大,轻元素的RSF随放电气体流速的增加... 本工作研究了辉光放电气体流速、放电电压和放电电流3个主要因素对辉光放电质谱法(GDMS)相对灵敏度因子(RSF)的影响。结果显示,在恒定的放电电流或放电电压下,重元素的RSF随放电气体流速的增大而增大,轻元素的RSF随放电气体流速的增加略微减小或不变;在恒定的放电气体流速下,多数元素的RSF基本不随放电电流和放电电压改变。在400mL/min放电气体流速下,分别测定了Fe、Co、Ti、Ni、Zn、Sn、Pb 7种不同基体标准物质部分元素的RSF,结果显示,同一元素在不同基体条件下RSF的差异较小,基体效应不明显。将进一步得到的不同基体下的平均RSF应用于2种铜锌合金标准物质元素组分的测定,其主要元素的测定值与标准值的相对百分差均不超过30%。 展开更多
关键词 辉光放电质谱法(gdms) 相对灵敏度因子(RSF) 影响因素
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辉光放电质谱(GDMS)法校正高纯氧化铋中19种元素的相对灵敏度因子 被引量:9
16
作者 谭秀珍 李瑶 +2 位作者 陈晶晶 朱刘 邓育宁 《中国无机分析化学》 CAS 2019年第6期63-68,共6页
采用标准溶液加入法往高纯氧化铋中加入混合标准溶液,烘干并研磨均匀,制备了5个高纯氧化铋的控制样品。再挑取适量的粉末样品压在高纯铟薄片上,建立了辉光放电质谱(GDMS)法校正高纯氧化铋中的Mg、Al、Ca等19种元素相对灵敏度因子的方法... 采用标准溶液加入法往高纯氧化铋中加入混合标准溶液,烘干并研磨均匀,制备了5个高纯氧化铋的控制样品。再挑取适量的粉末样品压在高纯铟薄片上,建立了辉光放电质谱(GDMS)法校正高纯氧化铋中的Mg、Al、Ca等19种元素相对灵敏度因子的方法。实验考察了放电参数和制样面积对基体信号强度和稳定性的影响,优化后的辉光放电电流为1.8 mA,放电电压为950 V,压在铟薄片上的高纯氧化铋直径约为6~8 mm。通过选择合适的同位素,在4000的中分辨率下测定即可消除质谱干扰。为了验证加标回收的准确性,采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法对控制样品进行测定,所有元素的加标回收率都在80%以上。采用GDMS法测定5个控制样品并结合ICP-MS法的测定值建立工作曲线,大部分元素的线性均达到0.995以上;除Al、Ga、Sb外,大部分元素的校准相对灵敏度因子(calRSF)和仪器自带的标准相对灵敏度因子(stdRSF)的比值都在1/2~2之间,说明GDMS的半定量分析不会有数量级的差别。但对于某些需要准确测定纯度的定量分析,则必须采用基体相匹配的RSF值进行校正。 展开更多
关键词 辉光放电质谱仪(gdms) 高纯氧化铋 控制样品 相对灵敏度因子
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直流辉光放电质谱分析导体和非导体样品的高纯铟片制样方法研究 被引量:7
17
作者 谭秀珍 李瑶 +2 位作者 林乾彬 朱刘 邓育宁 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1-7,共7页
利用高纯铟薄片作为粘合剂,选取适量的样品压在In薄片上,采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定了以红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3为代表的块状非导体、粉末非导体和粉末导体这3类物质中杂质元素的含量。实验考察了取样量、放电参数... 利用高纯铟薄片作为粘合剂,选取适量的样品压在In薄片上,采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定了以红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3为代表的块状非导体、粉末非导体和粉末导体这3类物质中杂质元素的含量。实验考察了取样量、放电参数对基体信号强度及其稳定性的影响,优化后的取样量和放电参数如下:对于块状非导体-红磷样品,选取约2mm×3mm×1mm大小,用手扳压力机压在In上,并将放电电流设在1.50mA,放电电压设在850V;对于粉末非导体-Al_2O_3样品,选择压在In上的Al_2O_3粉末直径约为3mm,放电电流为1.70mA,放电电压为900V;对于粉末导体-In_2O_3和Lu_2O_3样品,则选择压在In上的In_2O_3和Lu_2O_3粉末直径约为7~8mm,放电电流为1.80mA,放电电压为950V。将实验方法应用于红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3样品的测定,其中检测红磷的杂质元素检出限要比Al_2O_3的低1个数量级;对In_2O_3独立测定5次结果的相对标准偏差均在20%内,大部分元素的测定值与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)基本一致,而Na、Al、Sn、Pb元素的测定值差别虽然有点大,但都在一个数量级上,对高纯金属产品的定级没有太大影响;Lu_2O_3中稀土元素的测定结果与ICP-MS的分析结果也基本一致。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法(dc-gdms) 高纯铟 红磷 氧化铝 氧化铟 氧化镥
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辉光放电质谱测量中的相对灵敏度因子研究 被引量:8
18
作者 唐一川 周涛 徐常昆 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期664-669,共6页
辉光放电质谱(GDMS)作为高纯金属和半导体材料分析的强有力工具在国内已得到了大量应用,该文简要介绍了GDMS的基本原理和国内外应用现状,对仪器测量条件的选择、测量重复性进行了详细研究,对于含量在1 mg/kg左右的杂质,测量的重复性将... 辉光放电质谱(GDMS)作为高纯金属和半导体材料分析的强有力工具在国内已得到了大量应用,该文简要介绍了GDMS的基本原理和国内外应用现状,对仪器测量条件的选择、测量重复性进行了详细研究,对于含量在1 mg/kg左右的杂质,测量的重复性将产生约1%~5%的不确定度;对不同金属基体的系列标准物质进行对比研究,发现对于基体相同的样品,杂质元素在较宽的浓度范围内可以使用同样的校正系数进行校正,大部分元素的线性相关系数达到0.999以上,但对于不同基体的样品,测量中仍存在明显的基体效应,一些元素,尤其是轻质量数元素的相对灵敏度因子(RSF)设定值存在较大的偏差,并不适合定量分析,但绝大部分不超过2倍误差,可以满足半定量分析的要求。通过对GDMS定量分析中关键因素的研究,认为相对灵敏度因子的校正是GDMS测量结果可溯源性的关键。 展开更多
关键词 辉光放电质谱 相对灵敏度因子 定量分析 基体效应
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直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素 被引量:1
19
作者 谭秀珍 李江霖 +2 位作者 李瑶 邓育宁 朱刘 《中国无机分析化学》 CAS 北大核心 2023年第7期755-760,共6页
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2... 采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2 mm左右大小的α-Al_(2)O_(3)颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×10^(8) cps,Al、Ga的信号比约为1∶270。采用实验方法对α-Al_(2)O_(3)颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内。为了验证Ga对α-Al_(2)O_(3)颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al_(2)O_(3)粉进行测定。对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al_(2)O_(3)粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27 Al的信号强度为3.0×10^(9) cps,Al、Ga的信号比约为1∶29。γ-Al_(2)O_(3)粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致。采用Ga作辅助电极测定α-Al_(2)O_(3)颗粒和γ-Al_(2)O_(3)粉的检出限均可达ng/g。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱仪(dc-gdms) 高纯Ga 高纯α-Al 2 O 3颗粒 杂质元素
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辉光放电质谱法测定钨钛合金中的微量杂质元素 被引量:7
20
作者 汤云腾 张其凯 宋立军 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1223-1226,共4页
采用辉光放电质谱法直接测定钨钛合金中的杂质元素。对放电电流、气体流量和预溅射时间等条件进行优化,用仪器内置的标准相对灵敏度因子(RSFstd)进行半定量分析。同时用已定值的钨钛合金作为标样校正仪器,获得校正后的相对灵敏度因子(RS... 采用辉光放电质谱法直接测定钨钛合金中的杂质元素。对放电电流、气体流量和预溅射时间等条件进行优化,用仪器内置的标准相对灵敏度因子(RSFstd)进行半定量分析。同时用已定值的钨钛合金作为标样校正仪器,获得校正后的相对灵敏度因子(RSFWTi),再应用于定量分析。结果表明,未校正测量值与参考值比值在0.5~1.6之间,相对标准偏差(RSDs)小于5%,满足半定量分析要求。经RSFWTi校正的测量值与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测得的结果比较,相对偏差(RD)小于20%,该方法适用于合金中杂质元素定量分析。 展开更多
关键词 辉光放电质谱法 钨钛合金 微量杂质元素
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