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题名半导体光刻技术及设备的发展趋势
被引量：8
- 1
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作者
姚达
刘欣
岳世忠
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机构
中国电子科技集团公司第四十七研究所
中国人民解放军
北京大学软件与微电子学研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期193-196,共4页
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文摘
随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。
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关键词
光刻
光刻机
分辨率
掩模
焦深
曝光
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Keywords
lithography
mask aligner
resolution
mask
depth of focus （dof）
exposure
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名大焦深人工晶体的设计
被引量：7
- 2
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作者
饶丰
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机构
江苏检验检疫车辆灯具检测实验室
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2012年第5期485-492,共8页
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基金
国家自然科学基金资助项目(No.60438030
No.60777011)
江苏检验检疫基金资助项目(No.2011KJ24)
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文摘
运用Zemax光学设计软件构建Liou-Brennan眼模型,设计了增大焦深的非球面、折射型多焦点和衍射型多焦点人工晶体,并用点列图和视锐度分析了所设计的人工晶体的光学质量。对于非球面人工晶体,在3 mm瞳孔下,当人眼无球差时,最佳视锐度相当高,但焦深仅为1.4 m-1;当人眼球差为0.4λ时,最佳视锐度可达0.9,焦深达2.2 m-1,同时在整个焦深范围内视觉质量均优越。对于衍射型和折射型多焦点人工晶体,在明视条件下,虽然视远和视近时视觉质量良好,但是中间距离的视锐度<0.5。衍射型多焦点人工晶体只有81%的光能用于成像,远近焦点能量均分,且与瞳孔大小无关;折射型多焦点人工晶体的远近焦点能量与瞳孔大小相关。设计的人工晶体均能增大人眼的焦深,但各有优缺点,临床上应该酌情选用。
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关键词
眼视光学
人工晶体
焦深
多焦点
眼模型
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Keywords
ophthalmic optics
Intraocular Lenses （IOL）
depth of focus （dof）
multi-focus
eye model
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分类号
O435.2
[机械工程—光学工程]
R776
[理学—光学]
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题名先进封装步进投影光刻机焦深研究
被引量：1
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作者
章磊
周畅
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机构
上海微电子装备有限公司
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出处
《电子工业专用设备》
2013年第2期21-24,54,共5页
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文摘
对先进封装步进投影光刻机的焦深进行评估。投影光刻机是IC制造与先进封装行业的关键设备,对后道封装而言,厚胶工艺是典型工艺,最厚部分可达0.1 mm以上,大焦深能够保证光刻机容纳各种工艺误差,能够保证封装光刻机用于曝光厚光刻胶时仍拥有较好的侧壁陡度。
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关键词
投影光刻机
焦深
分辨率
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Keywords
Stepper exposure tool
depth of focus（dof）
Resolution
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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