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Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能研究 被引量:8
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作者 谭威 林旭平 +1 位作者 马景陶 张宝清 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期196-198,共3页
研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响,并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低,呈"S"型曲线。当MoSi2含量为30%~35%(体积分数,下同)时,电阻率由1010Ω·cm骤降至1... 研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响,并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低,呈"S"型曲线。当MoSi2含量为30%~35%(体积分数,下同)时,电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm。MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用,当其含量超过30%时,导电相形成连通网络结构,使复合陶瓷电阻率迅速下降。复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成,Mo5Si3相同样起导电相作用。 展开更多
关键词 二硅化钼 氮化硅 导电陶瓷
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Ti3SiC2/Cu复合材料的制备与摩擦磨损性能 被引量:7
2
作者 刘可心 王蕾 +1 位作者 杨晨 金松哲 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期2844-2852,共9页
以Ti3SiC2陶瓷粉和Cu粉作为原料,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备Ti3SiC2/Cu块体复合材料,研究不同Ti3SiC2添加含量及烧结温度对Ti3SiC2/Cu复合材料的组织、致密度和显微硬度的影响,研究SPS后Ti3SiC2/Cu复合材料的摩擦磨损性能。研究表... 以Ti3SiC2陶瓷粉和Cu粉作为原料,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备Ti3SiC2/Cu块体复合材料,研究不同Ti3SiC2添加含量及烧结温度对Ti3SiC2/Cu复合材料的组织、致密度和显微硬度的影响,研究SPS后Ti3SiC2/Cu复合材料的摩擦磨损性能。研究表明:采用SPS工艺制备的Ti3SiC2/Cu复合材料的Ti3SiC2在Cu中分布均匀,但随着Ti3SiC2含量的增加和烧结温度的升高,组织中出现团聚趋势,部分Ti3SiC2与Cu在界面处发生互溶现象,互溶增强了Ti3SiC2与基体的结合能力;Ti3SiC2含量和烧结温度对Ti3SiC2/Cu复合材料的致密度和显微硬度影响较大,当烧结温度为900℃时,Ti3SiC2/Cu复合材料的致密度达到99.7%,接近完全致密,Ti3SiC2/Cu复合材料的硬度较纯Cu提高了2倍左右;对于不同Ti3SiC2含量的Ti3SiC2/Cu复合材料的磨损机制也有所差异,当Ti3SiC2含量较低时(1vol%~5vol%),磨损机制为磨粒磨损和黏着磨损;随着Ti3SiC2含量的增加(10vol%~15vol%),Ti3SiC2发挥了本身的自润滑性,Ti3SiC2/Cu复合材料的摩擦磨损性能有所改善,磨损机制转为犁削磨损和轻微黏着磨损;当Ti3SiC2含量增加到20vol%时,Ti3SiC2/Cu复合材料的磨损表面变得均匀而平整,表明Ti3SiC2/Cu复合材料的耐磨性提高。 展开更多
关键词 导电陶瓷 Ti3SiC2/Cu 复合材料 放电等离子烧结(SPS) 摩擦磨损
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溶胶-凝胶法制备BaPbO_3导电陶瓷膜及其导电性能 被引量:7
3
作者 王歆 陆裕东 庄志强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1140-1142,1157,共4页
以可溶性无机盐为原料,乙二胺四乙酸、柠檬酸和酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶技术,在Al2O3衬底上制备了导电性能优良的钙钛矿结构BaPbO3(BPO)导电薄膜。利用X射线衍射和扫描电镜测试分析了热处理工艺对薄膜微结构的影响,... 以可溶性无机盐为原料,乙二胺四乙酸、柠檬酸和酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶技术,在Al2O3衬底上制备了导电性能优良的钙钛矿结构BaPbO3(BPO)导电薄膜。利用X射线衍射和扫描电镜测试分析了热处理工艺对薄膜微结构的影响,用四探针法测定了薄膜方阻。结果表明:升高热处理温度和增加热处理次数的工艺会导致薄膜中Pb/Ba摩尔比降低和膜厚下降,从而使BPO薄膜方阻升高,薄膜导电性能下降。尤其是在膜层较薄的情况下,这种影响更加显著。采用在670℃保温10min的单次热处理方法,获得了方阻为4.65Ω/□的单一钙钛矿结构BPO相导电陶瓷薄膜。 展开更多
关键词 铅酸钡薄膜 导电陶瓷 薄膜方阻 溶胶-凝胶法
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纳米TiN-Al_2O_3基复相陶瓷的电学及力学性能 被引量:5
4
作者 杨治华 贾德昌 +4 位作者 褚雷阳 段小明 罗芳 周玉 张培峰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1480-1483,1492,共5页
以纳米Al2O3和TiN为原料,以SiO2为助烧剂,热压烧结后获得TiN-Al2O3复相陶瓷。TiN-Al2O3复相陶瓷具有较优异的力学性能:三点弯曲强度最高达到565.8MPa,断裂韧性在4~6MPa·m1/2之间。复相陶瓷中立方TiN均匀地分布在Al2O3基体中,TiN... 以纳米Al2O3和TiN为原料,以SiO2为助烧剂,热压烧结后获得TiN-Al2O3复相陶瓷。TiN-Al2O3复相陶瓷具有较优异的力学性能:三点弯曲强度最高达到565.8MPa,断裂韧性在4~6MPa·m1/2之间。复相陶瓷中立方TiN均匀地分布在Al2O3基体中,TiN颗粒主要分布在Al2O3晶界处。当TiN颗粒的体积含量为5%时,TiN-Al2O3复相陶瓷的电阻率在1012~104Ω·cm范围内,其加载电压可达0.75kV/mm。 展开更多
关键词 导电陶瓷 氧化铝-氮化钛复合陶瓷 导电性能 力学性能
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导电陶瓷Ti_3SiC_2-Cu-C复合材料的制备与性能研究 被引量:6
5
作者 许少凡 许少平 +1 位作者 江沣 张中宝 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期35-38,共4页
用粉末冶金法制备了一定含量的镀铜和不镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料,以及Cu-C复合材料,对它们的物理和力学性能进行了测试,并在滑动速度为10m/s,载荷为4.9N的干摩擦条件下进行了36h磨损试验,结果表明:镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料的导电性、... 用粉末冶金法制备了一定含量的镀铜和不镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料,以及Cu-C复合材料,对它们的物理和力学性能进行了测试,并在滑动速度为10m/s,载荷为4.9N的干摩擦条件下进行了36h磨损试验,结果表明:镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料的导电性、硬度、抗弯强度和耐磨性优于不镀铜Ti3SiC2-Cu-C复合材料和Cu-C复合材料。 展开更多
关键词 导电陶瓷 复合材料 电阻率 抗弯强度 耐磨性
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放电等离子烧结制备Ti_3SiC_2导电陶瓷及性能表征 被引量:6
6
作者 姜树祥 刘可心 许婉芬 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期71-74,共4页
以Ti粉、Si粉和C粉为反应原料,采用机械合金化和放电等离子制备Ti_3Si C2导电陶瓷块体材料,并对试样进行性能表征。研究表明:随着烧结温度的提升,块体的相对密度和硬度随之增加,当烧结温度为1100℃时,块体的相对密度约为98.9%,当温度继... 以Ti粉、Si粉和C粉为反应原料,采用机械合金化和放电等离子制备Ti_3Si C2导电陶瓷块体材料,并对试样进行性能表征。研究表明:随着烧结温度的提升,块体的相对密度和硬度随之增加,当烧结温度为1100℃时,块体的相对密度约为98.9%,当温度继续提升时,Ti_3Si C2开始分解,致使块体相对密度下降;烧结温度为1300℃时,块体硬度值达到最佳值,约为6.7 GPa。 展开更多
关键词 TI3SIC2 导电陶瓷 放电等离子烧结
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复相导电陶瓷的导电机理分析 被引量:5
7
作者 吴炳辉 周立娟 +4 位作者 刘晓燕 张泳昌 尹凯俐 马在强 张玉瑶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3537-3542,共6页
讨论了复相导电陶瓷改性问题的研究,详细介绍了N型、P型、电子离子弥补型以及加入连通导电相型导电陶瓷各自典型的机理和电阻率的变化。分析表明:非半导体导电陶瓷是通过加入掺杂物引起基体晶格畸变或发生取代引起电子、离子的浓度变化... 讨论了复相导电陶瓷改性问题的研究,详细介绍了N型、P型、电子离子弥补型以及加入连通导电相型导电陶瓷各自典型的机理和电阻率的变化。分析表明:非半导体导电陶瓷是通过加入掺杂物引起基体晶格畸变或发生取代引起电子、离子的浓度变化来影响电阻率的变化;半导体导电陶瓷是通过掺杂第五主族元素或第三主族元素分别形成N型半导体或P型半导体,产生大量的多余电子或可移动空穴,明显降低了材料的电阻率;连通导电相型导电陶瓷是在基体中掺杂导电相形成网状的导电连通相,从而为电子的转移提供了导电通道;最后对ZrB_2改性SiC基导电陶瓷进行了展望。 展开更多
关键词 导电陶瓷 电阻率 导电机理
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Ba_(1-x)K_xPbO_3系导电陶瓷的电性能研究 被引量:5
8
作者 陆裕东 王歆 庄志强 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期643-646,共4页
采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明:... 采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒'S'形状变化, 当掺杂量为3%~5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应. 展开更多
关键词 BAPBO3 导电陶瓷 受主掺杂 电导率 阻温特性 Sol—Gel
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La_xBa_(1-x)CoO_3系导电陶瓷的显微结构与电特性关系的研究 被引量:3
9
作者 王成建 肖鸣山 黄佶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期506-508,共3页
通过X射线衍射分析和扫描电镜观察,得到了LaxBa1-xCoO3系导电陶瓷的显微结构,并发现当X从0到1变化时,相结构随之发生六方—立方—多相结构变化。在显微结构形状上,呈现出晶粒通道网络。
关键词 导电陶瓷 显微结构 电特性 LaBaCoO3
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Ti_4O_7功能陶瓷材料研究与应用现状 被引量:5
10
作者 王译文 王海斗 +3 位作者 马国政 陈书赢 何鹏飞 丁述宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期143-151,共9页
TinO2n-1是一类应用前景广阔、极具研究价值的高性能导电陶瓷材料。它具有独特的物理、化学和电化学性能,晶体结构中的氧缺陷除了使其拥有自身的陶瓷特性外,还赋予其类金属的导电性能,打破了其因导电性能差而限制陶瓷材料的进一步推广... TinO2n-1是一类应用前景广阔、极具研究价值的高性能导电陶瓷材料。它具有独特的物理、化学和电化学性能,晶体结构中的氧缺陷除了使其拥有自身的陶瓷特性外,还赋予其类金属的导电性能,打破了其因导电性能差而限制陶瓷材料的进一步推广应用。Ti_4O_7是TinO2n-1中导电性能最佳的材料,同时它还拥有诸多优异的性质如敏锐的光响应能力、较强的耐酸腐蚀性和较好的电化学稳定性,这些独特的性质引起了材料研究者对其的高度关注,并将其广泛应用于电化学、热电材料、储能材料、光催化降解等领域。目前,研究人员基于Ti_4O_7的电子导电性和化学稳定性,主要将其用作电池电极和电催化载体材料,生产工艺已逐渐成熟并实现商业化。然而,Ti_4O_7的生产制备工艺还存在许多不足。粒径大小、孔隙率和结晶程度等因素均会对Ti_4O_7的性能产生影响。工业上主要采用高温还原钛源前驱体的方法,经过高温处理后的Ti_4O_7通常存在颗粒团聚、烧结严重、比表面积大的问题,这严重影响了Ti_4O_7的性能。为解决高温处理引发的固有问题,研究人员在制备工艺的设计优化方面不断进行尝试,在优化高温合成方法的同时,也探索了一些中低温合成制备途径,但依旧存在产物纯度不高、生产能耗大等问题,工艺细节还需深入研究。目前制备工艺的主要研究方向为:(1)提高制备产物的纯度;(2)细化晶粒,控制粉体粒径大小;(3)制备出形貌可控的粉体。针对Ti_4O_7制备过程中出现的问题,研究人员不断引入新技术。在溶胶凝胶法的基础上利用静电纺丝技术制备出高比表面积的核壳结构中空管道材料,烧结温度降低了近20%;首次采用微波辐射的加热方式,微波下辐射30 min即可制备出形貌可控的Ti_4O_7。近两年,随着研究的不断深入,Ti_4O_7的各项优异性能得到了进一步开发和应用,在锂离子电池 展开更多
关键词 Ti4O7功能材料 导电陶瓷 微观结构 电极 电催化载体 热电材料 锂硫电池 燃料电池
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La_xBa_(1-x)CoO_3系导电陶瓷导电性研究 被引量:3
11
作者 王成建 肖鸣山 +1 位作者 张承琚 兰建胜 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期281-283,共3页
对LaxBa1-xCoO3系导电陶瓷的导电性及其导电机制进行了研究,在x=05mol处,导电陶瓷具有金属态导电性。在La0.5Ba0.5CoO3陶瓷中,存在着氧缺位和导电电子,并且此种导电陶瓷具有较高的电子和氧离子... 对LaxBa1-xCoO3系导电陶瓷的导电性及其导电机制进行了研究,在x=05mol处,导电陶瓷具有金属态导电性。在La0.5Ba0.5CoO3陶瓷中,存在着氧缺位和导电电子,并且此种导电陶瓷具有较高的电子和氧离子混合导电特性。 展开更多
关键词 导电陶瓷 金属态 导电性 氧化钴
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液相共沉淀法制备BaPbO_3导电陶瓷的研究 被引量:3
12
作者 刘心宇 曾中明 +1 位作者 万仁勇 成钧 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期547-551,共5页
利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的... 利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度 ,其合成温度约为 65 0℃左右 ;液相法制备的BaPbO3粉末的纯度高、粒度细 ;适当地提高升温速度可提高BaPbO3粉体的合成率和降低BaPbO3粉体的合成温度 ;液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为 3.4× 10 - 4 Ω·cm ,并在 75 0℃具有优良的正温度系数阻温 (PTC) 展开更多
关键词 铅酸钡 导电陶瓷 液相共沉淀法
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TiBN粉体的合成、微观结构及其导电性能研究
13
作者 陆萍 刘双宇 +1 位作者 张秋涛 张福隆 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期975-981,共7页
采用渗硼烧结法合成了一种新型TiBN粉体材料,它是B在TiN中形成的固溶体。TiBN粉体颗粒具有特殊的微纳米复合结构,由尺寸可达到纳米级的TiBN晶体和非晶所组成,非晶多分布在颗粒边界,最小厚度为2nm左右。TiBN粉体兼有陶瓷性和金属性,电阻... 采用渗硼烧结法合成了一种新型TiBN粉体材料,它是B在TiN中形成的固溶体。TiBN粉体颗粒具有特殊的微纳米复合结构,由尺寸可达到纳米级的TiBN晶体和非晶所组成,非晶多分布在颗粒边界,最小厚度为2nm左右。TiBN粉体兼有陶瓷性和金属性,电阻率为2.655×10^(-5)Ω·m,优于TiN、TiB2、TiCN等陶瓷材料。该新方法可以在580℃/1 h条件下合成出单相TiN粉体材料,合成温度比现有TiN合成温度降低500℃以上。TiBN粉体材料可用于制备电接触材料、结构陶瓷材料,同时在作为锂电池、超级电容器、燃料电池和光伏电池的电极、集电体方面有诱人的研究价值和广阔的应用前景。 展开更多
关键词 TiBN粉体 导电陶瓷 渗硼烧结
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Study on Conductivity of Ceramics LaFe_(1 - x) Ni_xO_(3-δ)
14
作者 王成建 魏建华 +4 位作者 陈延学 刘德胜 陈大卫 赵焕绥 李翠萍 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第3期200-202,共3页
The LaFe 1-x Ni x O 3-δ serial ceramics were prepared by standard solid phase reaction method. Two arm electric bridge principal and four electrode method were adopted to measure the resistivit... The LaFe 1-x Ni x O 3-δ serial ceramics were prepared by standard solid phase reaction method. Two arm electric bridge principal and four electrode method were adopted to measure the resistivity. The results indicate that LaFe 1-x Ni x O 3-δ ceramics are of metallic state conductivity when x varies from 0 6 to 0 8. There are oxygen vacancies and conductive electrons in the ceramics, which results in highly mixed conductivity of electrons and oxygen ions. The amount of oxygen vacancies depends on the sintering techniques, so the proper increase of sintering temperature can decrease the room temperature resistivity. A phase transition is found at around 120 K in the low temperature experiment. 展开更多
关键词 Rare earths conductive ceramics Metallic state conductivity Oxygen vacancy conductive electrons Oxygen ions
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稀土La对导电陶瓷BaPbO_3组织和电性能的影响 被引量:1
15
作者 刘心宇 曾中明 +1 位作者 万仁勇 成钧 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期140-143,共4页
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO_3导电陶瓷;用XRD及SEM对粉末的结构和组织进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba_(1-x)La_xPbO_3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO_3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明:采用液... 采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO_3导电陶瓷;用XRD及SEM对粉末的结构和组织进行了研究,从而确定了液相共沉淀法制取Ba_(1-x)La_xPbO_3的合成温度;同时讨论了稀土La对BaPbO_3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明:采用液相共沉淀法能明显降低Ba_(1-x)La_xPbO_3粉末的合成温度,提高粉体的合成率,其合成温度大约在650℃左右;添加稀土La对BaPbO_3的电阻率的影响呈“W”形状变化,当x=10%mol时Ba_(1-x)La_xPbO_3的焙烧温度、组织、电阻率均达到最佳。 展开更多
关键词 稀土 BAPBO3 导电陶瓷 液相共沉淀法
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制备条件对镓掺杂氧化锌薄膜的透明导电性影响 被引量:3
16
作者 吴木营 刘敏霞 +2 位作者 李洪涛 杨雷 张伟风 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第6期707-711,共5页
用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质... 用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质的变化情况以及氮气氛下不同退火温度下的光电性质,结果表明:镓掺杂氧化锌薄膜在450℃的基底温度、2%的掺杂浓度和700℃的退火温度等条件下实现了0.84×10-4Ω.cm的低电阻率和大于90%的可见光透过率,其光学带隙随退火温度的上升也有一定程度的增大. 展开更多
关键词 工艺条件 导电陶瓷 透明导电氧化物 镓掺杂氧化锌薄膜 射频磁控溅射
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共沉淀法制备La-BaPbO_3导电陶瓷的研究 被引量:2
17
作者 刘心宇 曾中明 +1 位作者 万仁勇 成钧 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期234-237,共4页
采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷 ;用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究 ,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1 -xLaxPbO3的合成温度 ;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明 :采... 采用化学液相共沉淀法制备了掺稀土La的BaPbO3导电陶瓷 ;用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究 ,从而确定了液相共沉淀法制取Ba1 -xLaxPbO3的合成温度 ;同时讨论了稀土La对BaPbO3粉末合成过程及其电性能的影响。结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低Ba1 -xLaxPbO3粉末的合成温度 ,提高粉体的合成率 ,其合成温度大约在 65 0℃左右 ;添加稀土La对BaPbO3的电阻率的影响呈W形状变化 ,当x =0 1时Ba1 -xLaxPbO3的焙烧温度、形貌。 展开更多
关键词 稀土 BAPBO3 导电陶瓷 液相共沉淀法 铅酸钡
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机械合金化制备Ti3AlC2导电陶瓷 被引量:3
18
作者 赵秋植 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期62-65,共4页
以Ti、Al、C单质粉体为实验原料,掺杂适量的Si元素,采用高能球磨机制备Ti3AlC2导电陶瓷粉体,研究球磨转速和原料配比对合成Ti3AlC2导电陶瓷的影响。研究表明:在球磨转速为550 r/min,球料比5∶1和球磨时间3 h的球磨工艺下,可成功制备出T... 以Ti、Al、C单质粉体为实验原料,掺杂适量的Si元素,采用高能球磨机制备Ti3AlC2导电陶瓷粉体,研究球磨转速和原料配比对合成Ti3AlC2导电陶瓷的影响。研究表明:在球磨转速为550 r/min,球料比5∶1和球磨时间3 h的球磨工艺下,可成功制备出Ti3AlC2含量为92.4 wt%的混合粉体,通过增加适量Al元素可以促进Ti3AlC2的合成;原料粉体按3Ti/1Al/0.1Si/1.8C的化学计量比进行机械合金化,所得粉体中Ti3AlC2的含量高达95.1 wt%,并且Si原子替代部分Al原子而形成Ti3Al(Si)C2固溶体。 展开更多
关键词 TI3ALC2 机械合金化 导电陶瓷 固溶体
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LaCrO_3导电陶瓷的研制
19
作者 王永增 杨国武 +2 位作者 张昂 李忠升 周騄騄 《河北陶瓷》 2000年第1期11-14,27,共5页
LaCrO3导电陶瓷是一种能在氧化气氛中使用的高温发热体新材料。本文作者按照实际使用的样品尺寸研究了含Ca+ 2 的LaCrO3导电陶瓷的低温烧结性和导电性关系。结果表明 ,Ca+ 2 含量 <1 2 %时 ,低温烧结的LaCrO3烧结体电阻率明显降低 ,... LaCrO3导电陶瓷是一种能在氧化气氛中使用的高温发热体新材料。本文作者按照实际使用的样品尺寸研究了含Ca+ 2 的LaCrO3导电陶瓷的低温烧结性和导电性关系。结果表明 ,Ca+ 2 含量 <1 2 %时 ,低温烧结的LaCrO3烧结体电阻率明显降低 ,当Ca+ 2 含量 >1 2 %时 ,烧结体电阻率升高。在采用注浆成形工艺中 ,找到了顺利脱模的添加剂和操作方法 ,从而解决了生产大尺寸样品的注浆成形问题。 展开更多
关键词 铬酸镧 导电陶瓷 稀土元素 发热体
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ZnO基导电陶瓷的溶胶掺杂制备 被引量:1
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作者 曾亦可 厉媛玥 +1 位作者 绕韫华 刘梅冬 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第2期110-114,共5页
用Co、Nb、Y元素对ZnO材料进行掺杂制备出ZnO基导电陶瓷样品。研究了掺杂含量及掺杂方式对ZnO基导电陶瓷电阻率的影响。用溶胶一凝胶法制得Y(NO3)3含Ti掺杂剂溶胶且与Y2O3固相氧化物掺杂进行了比较。结果表... 用Co、Nb、Y元素对ZnO材料进行掺杂制备出ZnO基导电陶瓷样品。研究了掺杂含量及掺杂方式对ZnO基导电陶瓷电阻率的影响。用溶胶一凝胶法制得Y(NO3)3含Ti掺杂剂溶胶且与Y2O3固相氧化物掺杂进行了比较。结果表明,Y(NO3)3含Ti溶胶掺杂可制备出室温电阻率很低的ZnO基导电陶瓷,其室温电阻率可达3.38x10-2Ω·m,溶胶引入量为0.05%mol。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 掺杂 氧化锌 导电陶瓷 制备
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