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一种高精度RC振荡器的设计 被引量：14
1
作者 邓玉清 葛兴杰 宣志斌 《电子与封装》 2019年第1期28-31,共4页
提出了一种基于CSMC 0.25μm CMOS工艺、输出高精度方波信号的低成本RC振荡器。采用正负温度系数电阻的线性叠加,产生不受温度影响的充电电流,消除了温度对精度的影响。增加修调电容,补偿工艺偏差对精度的影响,实现高精度的振荡输出。采... 提出了一种基于CSMC 0.25μm CMOS工艺、输出高精度方波信号的低成本RC振荡器。采用正负温度系数电阻的线性叠加,产生不受温度影响的充电电流,消除了温度对精度的影响。增加修调电容,补偿工艺偏差对精度的影响,实现高精度的振荡输出。采用Spectre对电路进行温度扫描和电压变化仿真,结果表明在宽温度范围(-55～125℃)和宽电源电压范围(2.7～5.5 V)得到了非常稳定的振荡输出,受温度影响的频偏最大为1%,受电源电压变化的频偏仅为0.26%,适合电源管理芯片应用。 展开更多
关键词 高精度 RC振荡器 cmos工艺
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集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器 被引量：14
2
作者 王倩 毛陆虹 +2 位作者 张欢 张世林 谢生 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期462-467,共6页
提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,... 提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃～50℃范围内,脉冲周期从1.841μs～0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。 展开更多
关键词 无源RFID 温度传感器 高分辨率 cmos工艺
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低压CMOS带隙电压基准源设计 被引量：4
3
作者 朱磊 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 付永朝 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期246-249,264,共5页
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏... 在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC0.35μmCMOS工艺实现,采用HSPICE进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体工艺 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比
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与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计 被引量：11
4
作者 毛陆虹 陈弘达 +6 位作者 吴荣汉 唐君 梁琨 粘华 郭维廉 李树荣 吴霞宛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期193-197,共5页
用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm ... 用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm COMS工艺制做了该探测器 ,实际测试了该器件的频率响应和波长响应 ,探测器频率响应在 1GHz以上 ,峰值波长响应在 0 .6 9μm. 展开更多
关键词 光电探测器 器件模拟 cmos工艺 兼容 设计
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0.6μm CMOS静态分频器电路设计 被引量：7
5
作者 窦建华 钱立旺 +1 位作者 王志功 梁帮立 《电气电子教学学报》 2004年第1期35-37,共3页
分频器目前已经广泛用于光纤通信系统和无线通信系统 ,本文提出了一个利用 0 .6 μm CM OS工艺实现的 1∶ 2静态分频器设计方法。在设计高速分频电路时 ,由于源极耦合逻辑电路比传统的 CMOS静态逻辑电路具有更高的速度 ,所以我们采用了... 分频器目前已经广泛用于光纤通信系统和无线通信系统 ,本文提出了一个利用 0 .6 μm CM OS工艺实现的 1∶ 2静态分频器设计方法。在设计高速分频电路时 ,由于源极耦合逻辑电路比传统的 CMOS静态逻辑电路具有更高的速度 ,所以我们采用了源极耦合逻辑电路来实现 D触发器的设计 ,并用 Smart Spice进行了仿真。测试结果表明 ,当电源电压为 5.0 V,输入信号峰峰值为 1 .6 V时 ,电路可以工作在 580 MHz,功耗为 1 2 m W。本文提出的电路适用于 SDH STM- 1 /4的光纤通信系统。 展开更多
关键词 cmos 静态分频器 电路设计 源极耦合逻辑 D触发器
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PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计 被引量：5
6
作者 陆生礼 孙伟锋 +3 位作者 易扬波 谭悦 吴建辉 时龙兴 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期72-77,共6页
设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结... 设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m 展开更多
关键词 等离子平板显示驱动 选择驱动芯片 HV-COMS器件
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新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析 被引量：8
7
作者 吴笑峰 刘红侠 +2 位作者 石立春 李迪 胡仕刚 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1354-1359,共6页
为了降低sigma-delta模数转换器功耗,针对应用于sigma-delta模数转换器环境的UMC 0.18μm工艺,提出1种由参考电压产生电路、预放大器、锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器。该比较器中输... 为了降低sigma-delta模数转换器功耗,针对应用于sigma-delta模数转换器环境的UMC 0.18μm工艺,提出1种由参考电压产生电路、预放大器、锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器。该比较器中输出采样器由传输门和2个反相器组成,可在较大程度上减少该比较器的功耗。电路采用标准UMC0.18μm工艺进行HSPICE模拟。研究结果表明:该比较器在1.8V电源电压下,分辨率为8位,在40MHz的工作频率下,功耗仅为24.4μW,约为同类比较器功耗的1/3。 展开更多
关键词 预放大锁存比较器 sigma-deltaADC 输出采样器 cmos工艺
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1.25 Gbps并串转换CMOS集成电路 被引量：5
8
作者 赵文虎 王志功 +1 位作者 吴微 朱恩 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期73-78,共6页
分析了由超高速易重用单元构造的树型和串行组合结构 ,实现了在输入半速率时钟条件下 1 0路到1路吉比特率并串转换。通过理论推导着重讨论了器件延时和时钟畸变对并串转换的影响 ,指出了解决途径。芯片基于 0 .3 5μm CMOS工艺 ,采用全... 分析了由超高速易重用单元构造的树型和串行组合结构 ,实现了在输入半速率时钟条件下 1 0路到1路吉比特率并串转换。通过理论推导着重讨论了器件延时和时钟畸变对并串转换的影响 ,指出了解决途径。芯片基于 0 .3 5μm CMOS工艺 ,采用全定制设计 ,芯片面积为 2 4.1 9mm2 。串行数据输出的最高工作速率达到 1 .62 Gbps,可满足不同吉比特率通信系统的要求。在 1 .2 5 Gbps标准速率 ,工作电压 3 .3 V,负载为 5 0 Ω的条件下 ,功耗为 1 74.84m W,输出电压峰 -峰值可达到 2 .42 V,占空比为 49% ,抖动为 3 5 ps rms。测试结果和模拟结果一致 ,表明所设计的电路结构在性能、速度、功耗和面积优化方面的先进性。文中设计的芯片具有广泛应用和产业化前景。 展开更多
关键词 cmos 吉比特以太网 并串转换 互补金属氧化物半导体工艺 集成电路
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集成于无源UHFRFID标签的超低功耗CMOS温度传感器 被引量：7
9
作者 周诗伟 毛陆虹 +2 位作者 王倩 张世林 谢生 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期940-945,共6页
本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的超低功耗CMOS温度传感器。考虑到功耗是影响标签使用的第一要素。本文结构复用标签内部电路产生的电流作为温度转换模块的偏置电流,同时采用标签内部振荡器产生的信号作为传感器计数器的时钟信号... 本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的超低功耗CMOS温度传感器。考虑到功耗是影响标签使用的第一要素。本文结构复用标签内部电路产生的电流作为温度转换模块的偏置电流,同时采用标签内部振荡器产生的信号作为传感器计数器的时钟信号,有效降低了功耗。本文设计采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS,仿真结果表明:电源电压为1.5 V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为100 nW;当温度在-20℃～80℃变化时,温度传感器分辨率为0.4℃/LSB。 展开更多
关键词 无源RFID 温度传感器 超低功耗 cmos工艺
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一种双向、数字式微型无线内窥镜系统设计 被引量：6
10
作者 谢翔 李国林 +1 位作者 张春 王志华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-129,共7页
通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况,提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计,该系统具有实时观察病人图像、全消化道检查以及提供三维深度图像数据等功能,并对方案中各硬件模块及其关键技术进行了详细的论述,... 通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况,提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计,该系统具有实时观察病人图像、全消化道检查以及提供三维深度图像数据等功能,并对方案中各硬件模块及其关键技术进行了详细的论述,设计了该系统的FPGA验证环境,验证了整个方案的正确性。系统胶囊内的数模混合芯片已采用0.18μm CMOS工艺流片。 展开更多
关键词 无线内窥镜 常规内窥镜 三维深度图像 FPGA验证 数模混合芯片 互补金属氧化物半导体工艺
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一种低成本高精度欠压保护电路
11
作者 张睿宸 隋继超 +1 位作者 贺章擎 万美琳 《微电子学与计算机》 2024年第7期74-80,共7页
提出了一种低成本、高精度欠压保护电路。采用负反馈电路将电源采样电压、带隙基准负温度系数电压和带隙基准正温度系数电压分散于两条不同的支路中;通过对电阻比例进行合理的设计,两条支路的输出电压差能够同时包含电源的采样电压和精... 提出了一种低成本、高精度欠压保护电路。采用负反馈电路将电源采样电压、带隙基准负温度系数电压和带隙基准正温度系数电压分散于两条不同的支路中;通过对电阻比例进行合理的设计,两条支路的输出电压差能够同时包含电源的采样电压和精准的带隙基准电压。在采用比较器对该两条支路输出电压差进行比较后,等效实现了对电源采样电压和基准电压的比较。所提电路结构简单,避免使用了启动电路、偏置电路等辅助电路,精准地实现电源电压与基准电压的比较,同时实现了高精度和低成本。基于HHGRACE 0.11μm工艺对上述欠压保护电路进行了设计和版图实现。后仿真结果显示,当电源电压正常为3.60 V,欠压保护点下降阈值设计为2.44 V,上升阈值设计为2.50 V时,在不同工艺角情况下,温度范围为-40℃~125℃时,欠压点最大偏差为120 mV(6σ),功耗为21μW,整个电路的面积为18000μm^(2)。 展开更多
关键词 欠压保护 带隙基准 cmos工艺 低成本 高精度
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一种CMOS阻抗谱测量电路设计
12
作者 周子超 马卓 +1 位作者 卓启越 邹望辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期437-443,共7页
为了实现待测阻抗实部与虚部的提取,设计了一款基于0.18μm CMOS工艺的阻抗谱测量电路,其通过频率响应分析法在数字域中进行累乘与累加的操作,从而得到阻抗谱。该阻抗谱测量电路由Δ-Σ调制器和数字抽取滤波器等电路组成。相较于传统阻... 为了实现待测阻抗实部与虚部的提取,设计了一款基于0.18μm CMOS工艺的阻抗谱测量电路,其通过频率响应分析法在数字域中进行累乘与累加的操作,从而得到阻抗谱。该阻抗谱测量电路由Δ-Σ调制器和数字抽取滤波器等电路组成。相较于传统阻抗谱检测电路而言,该电路采用无运放Δ-Σ调制器结构,能对电流信号进行直接转换,减少了一个跨阻放大器(TIA)和一个跨导放大器(OTA),极大程度地减小了芯片的功耗和面积。仿真结果表明,在2 MHz的采样时钟下,2 kHz的带宽内,调制器的信噪失真比(SNDR)达到66.5 dB,有效位数(ENOB)达到10.75 bit,当电源电压为1.8 V时,电路功耗低至140μW。电路的阻抗谱输出与电流呈现良好线性关系。 展开更多
关键词 阻抗谱 频率响应分析 无运放Δ-Σ调制器 cmos工艺 低功耗
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10.4~28 GHz的超宽带6位数字衰减器设计
13
作者 郝欧亚 刘章发 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期85-91,共7页
基于中芯国际40 nm CMOS工艺设计并实现了一种超宽带6位数字衰减器,其工作频率为10.4~28 GHz。该衰减器采用内嵌式开关型结构,6位衰减单元的设计采用T型、桥T型和π型三种拓扑结构。该6位衰减器可以实现0.5 dB的衰减步进,31.5 dB的动态... 基于中芯国际40 nm CMOS工艺设计并实现了一种超宽带6位数字衰减器,其工作频率为10.4~28 GHz。该衰减器采用内嵌式开关型结构,6位衰减单元的设计采用T型、桥T型和π型三种拓扑结构。该6位衰减器可以实现0.5 dB的衰减步进,31.5 dB的动态衰减范围。采用大衰减量幅度补偿电路和高匹配特性的衰减位级联结构,衰减器在10.4~28 GHz的频段范围内具有平坦的64态衰减量,衰减器的整体前仿真插入损耗为1.73~2.08 dB,后仿真插入损耗为4.32~6.31 dB,64态的输入输出回波损耗均小于-10 dB。 展开更多
关键词 衰减器 cmos工艺 超宽带 内嵌式开关 插入损耗
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用于高精度模数转换器的CMOS可变增益放大器
14
作者 李振国 苏萌 +5 位作者 田迪 肖春 侯佳力 胡毅 沈红伟 王亚彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期899-905,共7页
针对工业领域数据采集系统对大摆幅模拟信号精确采样的需求,提出了一种方便与高精度模数转换器(ADC)集成的CMOS可变增益放大器(VGA)。该VGA基于反相放大器结构,在5 V单电源供电的条件下支持最大±10 V信号输入。对传递函数的设计和... 针对工业领域数据采集系统对大摆幅模拟信号精确采样的需求,提出了一种方便与高精度模数转换器(ADC)集成的CMOS可变增益放大器(VGA)。该VGA基于反相放大器结构,在5 V单电源供电的条件下支持最大±10 V信号输入。对传递函数的设计和电路结构的优化可保证VGA高线性度的同时不降低信噪比(SNR)。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计并流片,面积为0.23 mm^(2),5 V供电时功耗为1.5 mW。在输入信号1 kHz、采样率200 kS/s条件下,将VGA与16 bit逐次逼近寄存器(SAR)ADC进行联合测试,测试结果表明信噪比达到89.80 dB,总谐波失真(THD)为-102.31 dB。该VGA具有输入范围大、精度高、面积小的特点,为工业信号采集应用提供了高集成度的解决方案。 展开更多
关键词 可变增益放大器(VGA) cmos工艺 宽摆幅 模数转换器(ADC) 低噪声 低失真
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低功耗非易失性存储器存储单元及存储芯片架构
15
作者 王浩 郭术明 聂筱敏 《中国集成电路》 2024年第6期37-42,55,共7页
基于传统的0.18um单栅Logic CMOS工艺实现超低功耗非易失性存储器芯片的设计与验证,该存储芯片采用差分结构单元,无需增加光罩,利用双向的F-N隧穿原理进行编程擦除机理,可实现EEPROM功能。最终的测试结果显示该芯片具有超低的待机、编... 基于传统的0.18um单栅Logic CMOS工艺实现超低功耗非易失性存储器芯片的设计与验证,该存储芯片采用差分结构单元,无需增加光罩,利用双向的F-N隧穿原理进行编程擦除机理,可实现EEPROM功能。最终的测试结果显示该芯片具有超低的待机、编程和读取功耗,读取速度最高达100MHz,Cycling可达100K,且具有非常优秀的数据保持能力,非常适用于低成本低功耗的应用场景。 展开更多
关键词 cmos工艺 低功耗 非易失性存储器 双向F-N隧穿 数据保持
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基于0.18μm CMOS工艺的低功耗采样保持电路
16
作者 韩昌霖 丁浩 吴建飞 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期355-361,共7页
基于0.18μm CMOS工艺设计了一款用于ADC前端的采样保持电路,电路采用输入缓冲器-采样开关-输出缓冲器三级结构实现。为提高采样保持电路的保持平稳度,设计了信号馈通和时钟馈通消除结构。为改善频率响应,设计了无源负反馈结构并研究了... 基于0.18μm CMOS工艺设计了一款用于ADC前端的采样保持电路,电路采用输入缓冲器-采样开关-输出缓冲器三级结构实现。为提高采样保持电路的保持平稳度,设计了信号馈通和时钟馈通消除结构。为改善频率响应,设计了无源负反馈结构并研究了器件参数对电路性能的影响。仿真结果表明,该馈通消除结构能够提升保持阶段的平稳度,负反馈可将增益提升36 dB。该电路在800 MS/s采样率、122.6 MHz正弦波输入条件下,增益为0 dB,3 dB带宽为1 GHz,信号失真比为48 dB,有效位数为7.7 bit。最终版图面积为202μm×195μm,功耗为37.22 mW,实现了低功耗的设计目标。 展开更多
关键词 ADC cmos工艺 低功耗 采样保持电路 馈通消除
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CMOS二维风速计控制及检测电路的研究 被引量：4
17
作者 程海洋 秦明 《微纳电子技术》 CAS 2004年第6期38-43,共6页
针对CMOS二维风速风向传感器的工作原理,分析了传感器的控制电路及其特点,并根据该类传感器的特点,重点探讨了信号检测处理电路的形式和特点。拟采用恒温差或者温度平衡控制模式实现对加热器的控制,用斩波放大技术或热Σ-Δ调制技术构... 针对CMOS二维风速风向传感器的工作原理,分析了传感器的控制电路及其特点,并根据该类传感器的特点,重点探讨了信号检测处理电路的形式和特点。拟采用恒温差或者温度平衡控制模式实现对加热器的控制,用斩波放大技术或热Σ-Δ调制技术构建信号处理电路,用标准CMOS工艺实现传感器和控制处理电路的系统集成。 展开更多
关键词 cmos 二维风速计 硅热流量传感器 斩波放大器 检测电路
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基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路 被引量：5
18
作者 朱朝晖 任俊彦 徐鼎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期130-132,共3页
介绍了 ESD保护结构的基本原理 ,并提出一个基于 CMOS工艺用于 IC卡芯片的保护电路。讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释。
关键词 cmos工艺 IC卡 ESD保护电路 集成电路
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应用于RFID的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量：6
19
作者 吴翔 邓芳明 +1 位作者 何怡刚 丁青锋 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第2期106-108,112,共4页
针对融合射频识别（RFID）的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,... 针对融合射频识别（RFID）的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,再通过计数器,将频率信号转换为数字信号。传感器电路利用MOS管工作在亚阈值区,并采用动态阈值技术获得超低功耗。测试结果显示：所设计的温度传感器仅占用0.051 mm2,功耗仅为101 n W,在0~100℃范围内误差为-1.5~1.2℃。 展开更多
关键词 温度传感器 射频识别技术 互补金属氧化物半导体工艺
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CMOS电路参数的统计优化设计 被引量：3
20
作者 甘学温 冯小敏 +2 位作者 肖志广 杜刚 李佑斌 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期126-128,共3页
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型，并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小... 本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型，并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件． 展开更多
关键词 实验设计 工艺因数 阈值电压 优化设计 cmos IC
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