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氧化锌晶体的研究进展 被引量：17
1
作者 宋词 杭寅 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期81-87,共7页
基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮。ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义。目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩... 基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮。ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义。目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高。 展开更多
关键词 氧化锌晶体 晶体生长 半导体 水热法 助熔剂法 气相法 坩埚下降法 紫外激光器 ZnO 纤锌矿结构
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硅酸铋（Bi_（12）SiO_（20））晶体生长的研究进展 被引量：15
2
作者 徐学武 廖晶莹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期129-138,共10页
本文介绍了光折变晶体ＢＳＯ生长研究的国内外进展．对ＢＳＯ晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述．讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍ＢＳＯ晶体批量生产的几种因素．指出坩埚下降法在实现大... 本文介绍了光折变晶体ＢＳＯ生长研究的国内外进展．对ＢＳＯ晶体生长方法、组分和结构缺陷表征、材料性能的改进等几个方面进行了综合评述．讨论了各种生长方法的优缺点以及阻碍ＢＳＯ晶体批量生产的几种因素．指出坩埚下降法在实现大尺寸优质ＢＳＯ晶体的批量生产方面已显示出优越性，它应该成为今后ＢＳＯ晶体生长研究的一个重要发展方向． 展开更多
关键词 硅酸铋 晶体生长
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硒镓银单晶体的生长及其应用 被引量：12
3
作者 朱世富 李正辉 +1 位作者 赵北君 江洪安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期296-299,共4页
本文对新型红外非线性光学晶体 AgGaSe_2多晶的合成工艺、单晶的生长方法、非线性光学性质及其应用进行了论述。AgGaSe_2晶体是一种性能优异的红外非线性光学材料,可以在很宽的范围内制成红外倍频、混频和光参量振荡器件,能提供连续可... 本文对新型红外非线性光学晶体 AgGaSe_2多晶的合成工艺、单晶的生长方法、非线性光学性质及其应用进行了论述。AgGaSe_2晶体是一种性能优异的红外非线性光学材料,可以在很宽的范围内制成红外倍频、混频和光参量振荡器件,能提供连续可调光源。 展开更多
关键词 晶体生长 硒镓银晶体 倍频
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直径2英寸氯化铈掺杂溴化镧晶体的制备与闪烁性能研究 被引量：11
4
作者 桂强 张春生 +1 位作者 邹本飞 张明荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期616-619,共4页
本文采用改进的Bridgman法,以优化的工艺成功地定向生长出了50 mm×50 mm的溴(氯)化镧(铈)晶体,即掺氯化铈的溴化镧晶体,简称LBC晶体,测量了样品的光输出、能量分辨率、闪烁时间特性等性能指标。结果表明,坩埚下降法定向生长50... 本文采用改进的Bridgman法,以优化的工艺成功地定向生长出了50 mm×50 mm的溴(氯)化镧(铈)晶体,即掺氯化铈的溴化镧晶体,简称LBC晶体,测量了样品的光输出、能量分辨率、闪烁时间特性等性能指标。结果表明,坩埚下降法定向生长50 mm的LBC晶体具有优异的闪烁性能,其能量分辨率为3.1%,光输出相当于NaI∶Tl晶体的156%,衰减时间为17 ns。 展开更多
关键词 溴化镧晶体 坩埚下降法 能量分辨率 衰减时间
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单晶体α-NaYF_4∶Dy^(3+)的制备及光谱特性（英文） 被引量：10
5
作者 姜永章 夏海平 +9 位作者 张加忠 杨硕 江东升 王成 冯治刚 张健 谷雪梅 章践立 江浩川 陈宝玖 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期121-126,共6页
以氟化钾(KF)作为助熔剂,选用70~90℃/cm的固液界面温度梯度,通过改进的助熔剂-布里奇曼方法生长出了Dy3+离子掺杂的α-NaYF4单晶体.测试了样品的X射线粉末衍射,吸收光谱,激发光谱,以及在不同紫外光激发下的发射光谱,分析了样品的的物... 以氟化钾(KF)作为助熔剂,选用70~90℃/cm的固液界面温度梯度,通过改进的助熔剂-布里奇曼方法生长出了Dy3+离子掺杂的α-NaYF4单晶体.测试了样品的X射线粉末衍射,吸收光谱,激发光谱,以及在不同紫外光激发下的发射光谱,分析了样品的的物相和光谱特性.应用色度学理论计算了Dy3+离子掺杂α-NaYF4单晶的色度坐标和色温.结果表明:当原料组份配比为30NaF-18KF-52YF3时,有利于大尺寸晶体生长.原料中KF的加入起到助熔剂作用,它改变了NaF-YF3二元系相图并且降低了α-NaYF4的熔点,使得α-NaYF4能从熔融的NaF-KF-YF3混合物中结晶出来,最后生长出透明的α-NaYF4单晶体.实验发现大多KF被排析在生长后期的晶体顶端,KF的加入没有对α-NaYF4单晶体的结构产生影响.在348nm紫外光激发下,单晶体可发射出蓝光约479nm,黄光约571nm以及弱的红光约659nm.其中1.299mol%Dy3+掺杂浓度的α-NaYF4单晶体发射的蓝、黄与红光可耦合出色坐标x=0.285,y=0.338以及色温为8 065K的白光.这些新型材料在紫外激发的白光二极管领域具有潜在的应用. 展开更多
关键词 光学材料 光谱 布里奇曼方法 α-NaYF4单晶体 白光发射 紫外光
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过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体闪烁性能的研究 被引量：9
6
作者 费一汀 孙仁英 范世 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期357-362,共6页
本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi4Si3O12及Fe、Cr掺杂Bi4Si3O12晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi4Si3O12晶体闪烁性能的规律．
关键词 坩埚下降法 掺杂 BSO晶体 闪烁性能 铁 铬
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大尺寸氟化钙单晶的光谱特性 被引量：9
7
作者 段安锋 沈永宏 刘景和 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期85-87,共3页
采用坩埚下降法成功生长了φ100mmCaF2晶体,研究了不同条件生长单晶的缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中引入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH–两倍振动吸收带,而且在可见–紫外波段也形成强烈的... 采用坩埚下降法成功生长了φ100mmCaF2晶体,研究了不同条件生长单晶的缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中引入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH–两倍振动吸收带,而且在可见–紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。 展开更多
关键词 氟化钙晶体 下降法 化学腐蚀 位错
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自发成核Bridgman法生长LaBr_3∶Ce晶体 被引量：8
8
作者 史宏声 秦来顺 +3 位作者 魏钦华 陈晓峰 任国浩 舒康颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期231-233,共3页
本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达φ25mm×30mm的LaBr3∶Ce单晶,晶体透明,无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题,指出了原料处理的关键,并指出了自发成核条件下晶体最有可能的生长取向为[001]方向,该方向对抑制晶... 本文用垂直Bridgman自发成核的方法生长了尺寸达φ25mm×30mm的LaBr3∶Ce单晶,晶体透明,无宏观缺陷。分析了晶体生长中主要的问题,指出了原料处理的关键,并指出了自发成核条件下晶体最有可能的生长取向为[001]方向,该方向对抑制晶体开裂非常有利。 展开更多
关键词 bridgman法 LaBr3:Ce晶体 自发成核 晶体取向 晶体开裂
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LaBr_3∶Ce晶体生长及物理特性的研究 被引量：9
9
作者 丁言国 包汉波 +2 位作者 李正国 秦来顺 舒康颖 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期476-481,共6页
利用垂直Bridgman法生长了尺寸为25 mm×80 mm的LaBr3∶3%Ce晶体,晶体的熔点为786℃,XRD表明晶体存在(100)解理面,晶体的择优生长方向为[001]。热膨胀测试表明晶体[100]方向热膨胀系数比较大,在室温至600℃范围内平均热膨胀系数达... 利用垂直Bridgman法生长了尺寸为25 mm×80 mm的LaBr3∶3%Ce晶体,晶体的熔点为786℃,XRD表明晶体存在(100)解理面,晶体的择优生长方向为[001]。热膨胀测试表明晶体[100]方向热膨胀系数比较大,在室温至600℃范围内平均热膨胀系数达22.9×10-6/K。晶体经加工后,透过率可达到65%。室温下晶体的光致发光呈双发射峰,分别位于358 nm和380 nm。晶体呈单指数衰减,衰减极快,衰减时间拟合为18.3 ns。 展开更多
关键词 bridgman法 LaBr3 Ce晶体 晶体生长 解理面 光谱
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室温核辐射探测器用碲锌镉晶体生长研究进展 被引量：7
10
作者 杨帆 王涛 +3 位作者 周伯儒 席守智 查钢强 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第4期561-569,共9页
碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一,基于该晶体的探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携等优点。而大面积CZT像素探测器的快速发展以及对高能、大剂量X射线探测的需求,对CZT材料的质量和尺寸提... 碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一,基于该晶体的探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携等优点。而大面积CZT像素探测器的快速发展以及对高能、大剂量X射线探测的需求,对CZT材料的质量和尺寸提出了更高的要求。本文从CZT晶体的基本物性参数入手,探讨了大尺寸CZT晶体生长的影响因素,对两种主要的CZT生长方法——布里奇曼法和移动加热器法的研究进展进行了综述。 展开更多
关键词 核辐射探测 碲锌镉晶体 布里奇曼法 移动加热器法
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室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备 被引量：6
11
作者 王涛 徐亚东 +5 位作者 查钢强 刘伟华 徐凌燕 白旭旭 傅莉 介万奇 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2010年第4期546-550,共5页
采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的碲锌镉晶体,晶体利用率达到70%以上。晶体中Te沉淀/夹杂密度小于1×10-3cm2,电阻率达到4×1010Ω.cm。利用得到的晶体制备了平面型单元探测器,测量了对不同能量射线的分辨率,其中对... 采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的碲锌镉晶体,晶体利用率达到70%以上。晶体中Te沉淀/夹杂密度小于1×10-3cm2,电阻率达到4×1010Ω.cm。利用得到的晶体制备了平面型单元探测器,测量了对不同能量射线的分辨率,其中对241Amγ能谱的分辨率达到4.7%,对137Cs能谱的分辨率为4.2%。采用Hecht公式对探测器收集效率与偏压的关系进行了拟合,得到电子的迁移率与寿命乘积值达到2.3×10-3cm2/V。 展开更多
关键词 室温辐射探测器 碲锌镉 布里奇曼(bridgman)法
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新型压电单晶PMNT的生长、性能及应用 被引量：5
12
作者 罗豪甦 徐海清 +4 位作者 殷庆瑞 王评初 贺天厚 许桂生 殷之文 《物理》 CAS 北大核心 2002年第3期155-158,共4页
通过对PMN -PT二元体系在高温下的相结构、相稳定性以及相图的研究 ,确立了PMNT单晶的生长方法 ,用Bridgman方法生长出了大尺寸高质量的PMNT单晶 .目前制备的PMNT单晶尺寸达到40× 70mm ,晶片尺寸为2 0× 2 0× 1mm ,其... 通过对PMN -PT二元体系在高温下的相结构、相稳定性以及相图的研究 ,确立了PMNT单晶的生长方法 ,用Bridgman方法生长出了大尺寸高质量的PMNT单晶 .目前制备的PMNT单晶尺寸达到40× 70mm ,晶片尺寸为2 0× 2 0× 1mm ,其主要性能为 :介电常数ε～ 5 0 0 0 ,介电损耗tanδ <0 9%,压电系数d3 3 >15 0 0pC N ,机电耦合系数k3 3～ 94%.在准同型相界附近 ,PMNT单晶的压电活性比较高 ,但其结构比较复杂 ,实际应用时应该考虑单晶的综合性能 ,生长组成略为离开相界的PMNT单晶 .在扫描电声显微镜中 ,我们将PMNT单晶用于其压电换能器 ,明显提高了电声像的分辨率 ,充分显示出PMNT在超声成像、水声换能器以及高应变驱动器中有广泛的应用前景 . 展开更多
关键词 驰豫铁电单晶 高温相图 bridgman方法 压电性能 晶体生长 相结构 相稳定性 压电单晶 PMNT
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下降法生长大尺寸白宝石单晶 被引量：3
13
作者 殷顺湖 颜声辉 +4 位作者 柴跃 王四亭 王凤云 朱洪滨 王汇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第2期128-131,共4页
采用下降法生长出直径为120mm 白宝石单晶。对存在于晶体中的开裂、气泡与着色等问题进行了讨论。采取了相应的措施消除白宝石中的缺陷,获得了完整的白宝石单晶。
关键词 白宝石 晶体 布里奇曼法 缺陷
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弛豫型铁电单晶Pb(Mg(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)电畴结构与铁电性能的关系 被引量：4
14
作者 许桂生 罗豪甦 +2 位作者 齐振一 徐海清 殷之文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期560-565,共6页
弛豫型铁电单晶Pb(Mg1 /3 Nb2 /3)O3_PbTiO3[PMNT]的电畴结构与铁电性能随组分变化 :由纯PMN至PMNT6 7/33晶体 ,晶体铁电性能由弛豫型铁电体向正常铁电体方向转变 ,电畴结构由微畴—不规则宏畴—规则宏畴演化 ,压电性能逐步增强 .电畴... 弛豫型铁电单晶Pb(Mg1 /3 Nb2 /3)O3_PbTiO3[PMNT]的电畴结构与铁电性能随组分变化 :由纯PMN至PMNT6 7/33晶体 ,晶体铁电性能由弛豫型铁电体向正常铁电体方向转变 ,电畴结构由微畴—不规则宏畴—规则宏畴演化 ,压电性能逐步增强 .电畴类型的转化也可由电场和温度诱导 .三方相PMNT晶体 (0 0 1)与 (111)切型晶片在极化后仍维持多畴态 ,它们在压电性能上的差异可从畴壁运动与两相共存方面获得解释 .尽管受晶体组分与结构起伏的影响 ,电畴分布的不均匀性在退火与极化前后始终存在 ,但晶体生长后期的退火处理与极化条件的改善对调节电畴结构、提高压电性能仍有一定效应 . 展开更多
关键词 铌镁酸铅-钛酸铅 铁电晶体 电畴结构 铁电性能 布里奇曼法
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优质大尺寸Cr：LiCAF晶体的Bridgman法生长 被引量：6
15
作者 王英才 黄朝恩 +1 位作者 程立森 方珍意 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期10-14,共5页
本文报道了Ｃｒ：ＬｉＣａＡｌＦ＿６晶体的布里奇曼法生长工艺，获得了尺寸达Φ１０×１００ｍｍ及Φ２０×８０ｍｍ等多种掺杂浓度的优质完整单晶，测试了晶体的光谱性能和激光性能，闪光灯泵浦获得１．０７％的斜效率。
关键词 可调谐 激光晶体 晶体生长
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大尺寸高质量CsCu_(2)I_(3)晶体生长与发光性能研究
16
作者 陈鑫鑫 韩佳力 潘建国 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1106-1111,共6页
全无机CsCu_(2)I_(3)晶体属于正交晶系,空间群为Cmcm,具有一维钙钛矿结构,有望在光电器件方面获得广泛应用。本文采用重结晶提纯后的CuI为原料,通过垂直坩埚下降法生长得到1英寸(1英寸=2.54 cm)透明高质量CsCu_(2)I_(3)单晶。利用X射线... 全无机CsCu_(2)I_(3)晶体属于正交晶系,空间群为Cmcm,具有一维钙钛矿结构,有望在光电器件方面获得广泛应用。本文采用重结晶提纯后的CuI为原料,通过垂直坩埚下降法生长得到1英寸(1英寸=2.54 cm)透明高质量CsCu_(2)I_(3)单晶。利用X射线粉末衍射和热重分析研究了该晶体的物相和稳定性;通过紫外可见透过光谱、光致发光光谱、荧光寿命和荧光量子产率等表征手段研究了该晶体的发光性能。此外,还测量了100~250 K条件下的变温荧光,发现随温度升高,电子-声子的耦合增强,导致光致发光强度下降,晶体的激子结合能E_(b)为98.12 meV。研究表明CsCu_(2)I_(3)晶体具有良好的光学性能。 展开更多
关键词 钙钛矿 CsCu_(2)I_(3)晶体 重结晶提纯 坩埚下降法 荧光光谱 衰减时间 变温荧光光谱
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稀土元素(Ce、Nd和Eu)掺杂Bi_4Si_3O_(12)晶体的生长与性能 被引量：6
17
作者 费一汀 孙仁英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期37-41,共5页
本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结并解释... 本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结并解释了掺杂影响Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体闪烁性能的规律，探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。 展开更多
关键词 掺杂 稀土元素 硅酸铋晶体 晶体生长 光学性
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掺Bi钨酸镉单晶体的坩埚下降法生长及近红外发光特性 被引量：6
18
作者 虞灿 夏海平 +3 位作者 罗彩香 胡元 陈红兵 徐军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2610-2614,共5页
采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达25 mm×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色。在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396～1550 nm(中心波长为1504 ... 采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达25 mm×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色。在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396～1550 nm(中心波长为1504 nm)与较强的1037～1274 nm(中心波长为1078 nm)波段的近红外宽带发光,并测定其荧光寿命分别为238μs和294μs。从生长初期的青黄色到生长后期的血红色晶体,1504 nm波段的荧光强度逐步增强,而1078 nm波段的荧光强度逐步减弱。根据实验结果初步探讨了红外宽带发光的机理和起因,1078 nm波段的荧光发射与Bi离子的掺杂有密切关系,而弱的1504 nm荧光发射可能与晶体中的杂质或掺杂后形成的缺陷等因素有关。 展开更多
关键词 材料 CdWO4单晶 坩埚下降法 近红外宽带发光
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Sb_2O_3掺杂对提高PbWO_4晶体光学及闪烁性能的作用 被引量：6
19
作者 王绍华 沈定中 +3 位作者 任国浩 倪海洪 蔡晓琳 殷之文 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期1122-1127,共6页
采用改进的布里奇曼 (Bridgman)法生长了掺杂Sb2 O3的PbWO4 晶体。基于透射光谱、紫外激发及其发射谱、X射线激发的发射谱、光输出和辐照损伤等方面的测试 ,讨论了Sb2 O3掺杂对提高PbWO4 晶体光学及闪烁性能的作用。
关键词 掺杂 钨酸铅晶体 闪烁性能 SB2O3
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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
20
作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 吴海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 CdSe晶体 晶体生长 布里奇曼法
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