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B离子掺杂TiO2催化剂(TiO(2-x)Bx)光催化活性的研究 被引量:20
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作者 龙绘锦 孟庆巨 +2 位作者 元晶 杨文胜 曹亚安 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期657-661,共5页
采用溶胶-凝胶法制备出纳米TiO2和TiO2-xBx催化剂.光催化实验证明,TiO2-xBx催化剂的紫外、可见光催化活性均高于TiO2.XRD,XPS和Raman结果表明,B离子是以取代式掺杂占据了TiO2的O2-的晶格位置.UV-Vis和PL谱的结果表明,B离子的2p轨道与O... 采用溶胶-凝胶法制备出纳米TiO2和TiO2-xBx催化剂.光催化实验证明,TiO2-xBx催化剂的紫外、可见光催化活性均高于TiO2.XRD,XPS和Raman结果表明,B离子是以取代式掺杂占据了TiO2的O2-的晶格位置.UV-Vis和PL谱的结果表明,B离子的2p轨道与O的2p轨道形成混合价带,产生可见光响应,B离子的掺入有效地阻止了光生载流子的复合,促进了其分离,是TiO2-xBx催化剂紫外、可见光催化活性提高的主要原因. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 硼离子掺杂 TiO2-xbx催化剂 光催化活性
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CVD金刚石薄膜的掺硼研究 被引量:12
2
作者 杨小倩 胡晓君 +3 位作者 沈荷生 张志明 李荣斌 何贤昶 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期16-18,28,共4页
采用固体三氧化二硼 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行 p型掺杂 ,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究 .结果表明 ,硼确实已掺入金刚石膜中 ;在SEM下... 采用固体三氧化二硼 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行 p型掺杂 ,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究 .结果表明 ,硼确实已掺入金刚石膜中 ;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞 ;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极 ,测试了在不同温度下电流随温度的变化。 展开更多
关键词 CVD 金刚石薄膜 掺杂 电学性能 掺硼
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硼掺杂SiC的制备、表征及其可见光分解水产氢性能(英文) 被引量:11
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作者 董莉莉 王英勇 +2 位作者 童希立 靳国强 郭向云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第1期135-140,共6页
采用原位碳热还原法制备了硼掺杂的β-SiC(Bx SiC)光催化剂,并考察了其可见光下光催化分解水制氢的性能.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱、扫描电镜及紫外-可见吸收光谱等测试方法对所制备催化剂的晶型、形貌、表面性质及能带结构进... 采用原位碳热还原法制备了硼掺杂的β-SiC(Bx SiC)光催化剂,并考察了其可见光下光催化分解水制氢的性能.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱、扫描电镜及紫外-可见吸收光谱等测试方法对所制备催化剂的晶型、形貌、表面性质及能带结构进行了表征.分析结果表明,硼原子掺杂进入SiC晶格并取代了Si位点,在价带上方形成了浅受主能级,从而导致了带隙宽变窄.浅受主能级作为空穴的捕获中心可抑制光生电子和空穴的复合.因此,与SiC相比,硼掺杂SiC光催化剂在可见光下催化分解水产氢的活性大大提高.当B/Si的摩尔比为0.05时,硼掺杂SiC表现出最高的光催化产氢活性. 展开更多
关键词 Β-SIC 硼掺杂 光催化 产氢 可见光
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B微合金化对CoNiV中熵合金微观组织和力学性能的影响及其机理
4
作者 南勇 关旭 +4 位作者 闫海乐 唐帅 贾楠 赵骧 左良 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期1647-1655,共9页
B微合金化可显著改善金属材料的力学性能,但是其对CoNiV合金的影响仍不清楚。本工作系统研究了(CoNiV)100-xBx(x=0、0.1和0.2,原子分数,%)合金静态拉伸力学性能以及形变前后晶体结构、微观组织及微观硬度特征,揭示了微量B元素掺杂对CoNi... B微合金化可显著改善金属材料的力学性能,但是其对CoNiV合金的影响仍不清楚。本工作系统研究了(CoNiV)100-xBx(x=0、0.1和0.2,原子分数,%)合金静态拉伸力学性能以及形变前后晶体结构、微观组织及微观硬度特征,揭示了微量B元素掺杂对CoNiV合金微观组织和力学性能的影响规律及作用机制。结果表明,微量B元素掺杂可以同步提升CoNiV合金的强度和塑性。0.2%B掺杂可使CoNiV合金屈服强度、极限抗拉强度和断裂延伸率分别提升12%、10%和30%。微量B元素掺杂对CoNiV合金的晶体结构、晶粒尺寸与分布、晶体学取向及塑性变形机制影响较小。(CoNiV)99.8B0.2合金室温下晶体结构仍旧为fcc结构,静态拉伸过程塑性变形机制仍为位错滑移,无应力诱发马氏体相变和形变孪生现象。纳米压痕测试结果表明,微量B元素掺杂可显著提升CoNiV合金晶界/孪晶界硬度,证实了B元素在CoNiV合金中的晶界强化作用。晶界/孪晶界强度的提升,一方面可增加位错穿过阻力,另一方面能够增加其阻碍裂纹扩展的能力,这是B掺杂使CoNiV合金强度和塑性同时提升的根源。另外,固溶到基体中的B元素也对位错运动起到一定钉扎作用,有利于合金强度的提升。 展开更多
关键词 中熵合金 CoNiV b掺杂 晶界强化 力学性能 强韧化
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钇对石墨烯储氢性能的影响 被引量:3
5
作者 李媛媛 赵新新 +3 位作者 宓一鸣 孙改丽 吴建宝 汪丽莉 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1658-1665,共8页
应用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究过渡金属钇(Y)修饰对石墨烯储氢性能的影响。考虑Y原子在石墨烯上易形成团簇,采用B原子掺杂有效阻止了团簇形成。通过模拟计算得到的改性体系稳定、储氢性能优异,可吸附6个H_2分子,平均吸附能... 应用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究过渡金属钇(Y)修饰对石墨烯储氢性能的影响。考虑Y原子在石墨烯上易形成团簇,采用B原子掺杂有效阻止了团簇形成。通过模拟计算得到的改性体系稳定、储氢性能优异,可吸附6个H_2分子,平均吸附能范围为-0.539到-0.655 eV(per H_2),理论上满足理想的氢吸附能范围。经Bader电荷初步计算和基于Y/B/graphene(G)体系吸附H_2分子的电子态密度及电荷差分密度图分析得,Y原子与石墨烯间通过电荷转移产生结合,与H_2分子则发生典型的Kubas型相互作用。Y原子改变了H_2分子与石墨烯基的电荷分布,成为连接两者电子云的桥梁,从而增强了H_2分子的吸附能。改性石墨烯体系吸附的均为氢分子,有利于在环境温度和压力条件下进行循环控制,是具有良好发展前景的储氢材料之一。 展开更多
关键词 石墨烯 Y修饰 氢分子吸附 第一性原理 b掺杂
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硼高效掺杂LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2正极材料及其性能提升机制 被引量:3
6
作者 朱华威 余海峰 +3 位作者 江仟仟 杨兆峰 江浩 李春忠 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期609-618,共10页
高键能异质原子的高效掺杂是稳定高电压LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2(NCM)三元正极材料并提升其电化学性能的有效策略。借助含硼前体在二次颗粒表面富集及随后高温煅烧强化B3+体相扩散的策略,构建了硼离子高效掺杂NCM正极材料(NCM-B)。引入B—O... 高键能异质原子的高效掺杂是稳定高电压LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2(NCM)三元正极材料并提升其电化学性能的有效策略。借助含硼前体在二次颗粒表面富集及随后高温煅烧强化B3+体相扩散的策略,构建了硼离子高效掺杂NCM正极材料(NCM-B)。引入B—O键(键能:809 kJ·mol^−1)抑制了电化学反应过程中晶格氧析出,进而稳定材料的氧离子框架;此外,表面残余的高锂离子导体Li2O-B2O3包覆层可以在一定程度上稳定电极-电解液界面。与改性前NCM相比,改性后的NCM-B正极材料在3.0~4.5 V电压区间的可逆比电容量可以达到193.7 mA·h·g^−1,在10 C大功率下,比电容量仍保持120 mA·h·g^−1(NCM仅为78.2 mA·h·g^−1)。1 C下连续循环100圈后,比电容量保持率从73%提升到90%。表面富集和扩散强化的思想也有望实现其他正极材料的高效掺杂。 展开更多
关键词 LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2 高电压 硼掺杂 锂离子电池
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B在Hg_(0.75)Cd-(0.25)Te中掺杂效应的第一性原理研究 被引量:2
7
作者 唐冬华 薛林 +1 位作者 孙立忠 钟建新 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期383-392,共10页
基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂效应.结果表明B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中存在着两种主要形态:第一种是在完整的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中B稳定存在于六角间隙位置... 基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂效应.结果表明B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中存在着两种主要形态:第一种是在完整的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中B稳定存在于六角间隙位置而非替位.此时,B形成容易激活的三级施主使材料表现为n型.另一种是在有Hg空位存在的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中B更容易与Hg空位结合形成缺陷复合体,其束缚能达到了0.96 eV这种复合体在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中形成单施主也使材料表现为n型.考虑到辐照损伤形成的Hg空位受主,这种B与Hg空位的复合体是制约B离子在MCT中注入激活的一个重要因素. 展开更多
关键词 碲镉汞(MCT) b掺杂 第一性原理 形成能
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B掺杂对Ti薄膜结构与性能的影响 被引量:2
8
作者 张玲 何智兵 +3 位作者 廖国 谌家军 许华 李俊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期420-427,共8页
采用双靶共溅射方法制备了微量B掺杂的Ti薄膜样品,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的掺杂原子浓度、表面形貌、晶型结构、晶粒尺寸和应力进行了分析表征.研究表明:掺杂后的Ti薄膜晶粒得到明显细化,并随着掺杂... 采用双靶共溅射方法制备了微量B掺杂的Ti薄膜样品,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的掺杂原子浓度、表面形貌、晶型结构、晶粒尺寸和应力进行了分析表征.研究表明:掺杂后的Ti薄膜晶粒得到明显细化,并随着掺杂浓度的增大,薄膜的晶粒尺寸呈减小趋势,当掺杂浓度为5.50 at%时,Ti薄膜晶粒尺寸减小为1.3 nm,呈现出致密的柱状结构.B掺杂后的Ti薄膜应力由压应力转变为张应力. 展开更多
关键词 Ti薄膜 b掺杂 表面形貌 磁控溅射
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基于第一性原理计算的B掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构研究 被引量:1
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作者 郑树凯 吴国浩 刘磊 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期29-32,38,共5页
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对B掺杂锐钛矿相TiO2的晶胞参数、B—O键长、电荷布居、能带结构、电子态密度及吸收光谱进行了计算。结果表明,B掺杂使TiO2晶格发生畸变,晶胞体积略有减小;B掺杂后TiO2的禁带宽度仅减小0.02eV,且在其... 利用基于密度泛函理论的第一性原理,对B掺杂锐钛矿相TiO2的晶胞参数、B—O键长、电荷布居、能带结构、电子态密度及吸收光谱进行了计算。结果表明,B掺杂使TiO2晶格发生畸变,晶胞体积略有减小;B掺杂后TiO2的禁带宽度仅减小0.02eV,且在其价带底引入了掺杂能级;B掺杂可促进TiO2在紫外光区和可见光区的光吸收。 展开更多
关键词 锐钛矿相TIO2 b掺杂 第一性原理计算 电子结构 吸收光谱
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B掺ZnO薄膜的制备及其光学性能研究 被引量:1
10
作者 王玉新 刘佳慧 +2 位作者 宋欣 蔺冬雪 李真 《光电子.激光》 CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1119-1123,共5页
利用溶胶-凝胶法(sol-gel)在玻璃和硅衬底上生长了B掺杂量分别为0 at%、0.5 at%、1.0 at%、2.0 at%、3.0 at%、4.0 at%的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、紫外-可... 利用溶胶-凝胶法(sol-gel)在玻璃和硅衬底上生长了B掺杂量分别为0 at%、0.5 at%、1.0 at%、2.0 at%、3.0 at%、4.0 at%的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、紫外-可见(ultraviolet-visible,UV-Vis)分光光度计等测试手段对薄膜的结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明:所制备的样品在2θ=34.4°左右出现了ZnO晶体的(002)衍射峰,说明制得的样品具有六方纤锌矿结构。并且(002)衍射峰的半高宽先变小后变大,这说明衍射峰的强度是先加强后减弱,证明其晶粒尺寸是先增大后减小。当B掺杂量为3.0 at%时,样品沿(002)方向择优取向生长最为明显,薄膜上的晶粒生长均匀、致密。B掺氧化锌(BZO)薄膜在可见光区的透过率随B^(3+)的掺杂量的增加先增加后减小,并出现轻微蓝移的现象。当掺入B^(3+)的量为3.0 at%时,薄膜结晶质量最好,表面最为均匀、致密,透过率达到90%。 展开更多
关键词 薄膜 b掺杂 溶胶-凝胶法 光学性能
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B掺杂对La-Fe-Si合金微观结构及磁热效应的影响 被引量:1
11
作者 卢倩倩 侯雪玲 王晓晨 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1497-1502,共6页
研究了小剂量B元素的掺杂及热处理对La-Fe-Si快淬条带微观结构及磁热性能的影响。结果表明:B的掺杂促进了La(Fe,Si)_(13)相的形成,相比于未掺杂B的La-Fe-Si合金,La-Fe-Si-B合金在热处理前就已经获得较多的相,当B的掺杂量为0.08,快速凝... 研究了小剂量B元素的掺杂及热处理对La-Fe-Si快淬条带微观结构及磁热性能的影响。结果表明:B的掺杂促进了La(Fe,Si)_(13)相的形成,相比于未掺杂B的La-Fe-Si合金,La-Fe-Si-B合金在热处理前就已经获得较多的相,当B的掺杂量为0.08,快速凝固过程中获得的La(Fe,Si)_(13)相的相对含量最多。B的掺杂有利于快速凝固过程中微观组织结构的细化,这些细化的微观组织缩短了热处理过程中进行包析反应(α-Fe+LaFeSi→ La(Fe,Si)_(13)的元素扩散路径,有利于快速反应生成La(Fe,Si)_(13)相。在热处理过程中,B的掺杂优化了合金的微观组织结构,与没有掺杂B的La-Fe-Si合金相比,其居里温度和磁热效应得到提高。当B的掺杂量由0增加到0.08,合金快淬条带的居里温度由210K提高到233K,最大等温磁熵变由5.47J/kg·K提高到9.40J/kg·K。 展开更多
关键词 La-Fe-Si合金 b掺杂 熔体快淬 居里温度 磁熵变
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B原子掺杂调控CuIn纳米合金电子结构以实现电化学CO_(2)还原宽电位活性
12
作者 王娇 朱芳芳 +7 位作者 陈必义 邓爽 胡博琛 刘洪 武猛 郝金辉 李龙华 施伟东 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期132-140,共9页
杂原子掺杂可以调节电子结构以调整中间体吸附并优化反应路径,是设计高效CO_(2)还原反应(CO_(2)RR)催化剂的有应用前景的方法.B原子是常用的掺杂剂,引入B原子可以有效打破*COOH和OCHO*中间体的吉布斯自由能线性关系,并且可以通过与CO_(2... 杂原子掺杂可以调节电子结构以调整中间体吸附并优化反应路径,是设计高效CO_(2)还原反应(CO_(2)RR)催化剂的有应用前景的方法.B原子是常用的掺杂剂,引入B原子可以有效打破*COOH和OCHO*中间体的吉布斯自由能线性关系,并且可以通过与CO_(2)中O原子结合来增强CO_(2)吸附能力.B掺杂碳材料、单金属和金属氧化物的研究结果表明,B原子掺杂催化剂的CO_(2)RR活性和/或选择性有明显提高,然而多数报道的单个活性位点的B掺杂催化剂仅表现出在相对狭窄的电位范围内的CO_(2)RR高性能,设计制备CO_(2)RR的宽电位高选择性催化剂仍是巨大挑战.研究表明,合金化是提供多种类的活性位点相互协调和增强催化剂固有活性,进而改善CO_(2)RR性能并调节产物分布的可行策略.引入B原子到合金中以调节电子结构,最终优化关键中间体吸附的活性位点,对于寻找具有宽电位窗口的先进催化剂具有重要意义.本文提出了一种通过B掺杂调节CuIn合金电子结构以实现宽电位高选择性的电子工程策略.所制得的B掺杂CuIn合金(CuIn(B))在–0.6 V(vs.RHE)时表现出99%的CO法拉第效率(FECO),并在一个宽的阴极电化学窗口(400 m V)内保持了超过90%的较高FECO.同时,采用X射线光电子能谱(XPS)和CO_(2)吸附实验等手段研究了CuIn(B)性能提升的原因,结果表明,B原子与CuIn之间存在强烈的相互作用,改变了CuIn的电子结构.CO_(2)吸附结果表明,CuIn(B)比CuIn拥有更强的CO_(2)吸附能力,证明它具有潜在的快速CO_(2)RR反应动力学.进一步通过密度泛函理论(DFT)模拟研究了催化剂的热力学反应能量学以揭示CO_(2)RR机制,结果表明,*COOH更倾向于在CuIn(B)上形成,且*CO与CuIn(B)催化位点的结合强度最佳,更利于CO_(2)还原反应为CO,而CuIn更利于作为HER的活性位点;决速步骤是*CO中间体向CO转移,以实现高CO选择性;热力学限制电位研究表明,CuIn(B)大大提高了CO_(2)� 展开更多
关键词 CO_(2)还原 宽电位窗口 高选择性 b原子掺杂 电子结构
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微量B元素添加对Fe_(81)Ga_(19)合金磁致伸缩性能的影响
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作者 郝宏波 魏宗英 +3 位作者 龚沛 乔禹 姚特 李晓 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期4265-4269,共5页
采用真空熔炼法制备(Fe_(81)Ga_(19))1-xBx(x=0,0.06,0.10,0.15,0.20)系列铸态合金,通过X射线衍射、扫描电镜及配套的能量色散谱、金相显微镜表征合金的微观结构、形貌及成分,利用电阻应变片法测量合金的磁致伸缩性能。结果表明,微量的... 采用真空熔炼法制备(Fe_(81)Ga_(19))1-xBx(x=0,0.06,0.10,0.15,0.20)系列铸态合金,通过X射线衍射、扫描电镜及配套的能量色散谱、金相显微镜表征合金的微观结构、形貌及成分,利用电阻应变片法测量合金的磁致伸缩性能。结果表明,微量的B元素添加提高了合金的磁致伸缩性能,在x=0.10时达到最大饱和磁致伸缩值λs=138×10^(-6)。(Fe_(81)Ga_(19))1-xBx合金结构以α-Fe体心立方为主。B元素的添加,一部分进入晶格间隙,引起晶格畸变,提高合金磁致伸缩性能,另一部分以富B析出相的形式分布在晶粒内部;合金添加B元素后,晶粒变为对磁致伸缩性能有利的大柱状晶,大柱状晶由于晶界少,减少阻碍磁畴运动的因素,有利于合金的磁致伸缩性能。 展开更多
关键词 FeGa合金 b掺杂 磁致伸缩
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B掺杂TiO_2/AC光催化剂的制备及活性 被引量:18
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作者 赵秀峰 张志红 +2 位作者 孟宪锋 刘浪 贾殿赠 《分子催化》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期292-296,共5页
以硼酸和钛酸丁酯为主要原料,以活性炭(AC)为载体,用溶胶-凝胶法制备了B掺杂TiO2/AC光催化剂.用X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射吸收光谱(UV-VIS)对制得的光催化剂进行了表征.以甲基橙水溶液的光催化脱色反应和氧化乐果水溶液的光催化... 以硼酸和钛酸丁酯为主要原料,以活性炭(AC)为载体,用溶胶-凝胶法制备了B掺杂TiO2/AC光催化剂.用X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射吸收光谱(UV-VIS)对制得的光催化剂进行了表征.以甲基橙水溶液的光催化脱色反应和氧化乐果水溶液的光催化降解反应,考查了不同B掺杂TiO2/AC光催化剂的活性.结果表明,所有B掺杂TiO2/AC光催化剂均为锐钛矿晶相.B的掺杂未导致TiO2/AC光催化剂的吸收带边发生明显的移动.当B-TiO2质量分数分别为2.0%和2.5%时,TiO2/AC光催化剂的活性有明显的提高.B-TiO2质量分数2.0%时活性最高.但是,当B-TiO2质量分数分别为1.5%和3.0%时,TiO2/AC光催化剂的活性降低.B的缺电子特性可能改变了TiO2能带中的电子密度,使光催化反应中光生电子和空穴的俘获方式发生变化;同时,B的缺电子特性也会使光催化剂表面的Lewis酸强度增强,导致表面吸附OH-数量和目标反应物的吸附方式发生变化.这些可能是B-TiO2/AC光催化剂活性发生变化的主要原因. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 制备 b掺杂 TiO2/AC光催化剂 活性
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掺硼浓度对金刚石薄膜电极电化学性能影响的研究 被引量:12
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作者 胡晓君 曹华珍 +1 位作者 郑国渠 曹帅 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期932-937,共6页
以不同掺硼浓度的金刚石薄膜作为电极材料,采用循环伏安法和交流阻抗法研究了电极的电化学性能,着重分析了掺硼浓度对金刚石电极电化学性能的影响。结果表明,随着掺硼浓度的增加,电极的电势窗口略微变小,背景电流也随之变大。在铁氰化... 以不同掺硼浓度的金刚石薄膜作为电极材料,采用循环伏安法和交流阻抗法研究了电极的电化学性能,着重分析了掺硼浓度对金刚石电极电化学性能的影响。结果表明,随着掺硼浓度的增加,电极的电势窗口略微变小,背景电流也随之变大。在铁氰化钾电解液中,未掺杂金刚石薄膜的电极表面进行的不是可逆反应,而硼掺杂金刚石膜电极表面在反应过程中有着良好的活性和准可逆性;并且随着掺硼浓度的增加,其动力学过程主要受扩散过程控制。金刚石膜电极对苯酚模拟有机污染物的循环伏安实验表明,所考察的三个硼浓度不断增加的电极的氧化峰电流密度分别为0.8,1.9和5.1mA?cm?2,说明在本实验范围内,金刚石膜电极对苯酚催化氧化作用随着掺硼浓度的增加而增强。 展开更多
关键词 金刚石薄膜电极 硼掺杂 循环伏安法 交流阻抗法
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绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用 被引量:11
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作者 陈新亮 薛俊明 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1072-1077,共6页
研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~1... 研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/(V.s)的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果. 展开更多
关键词 MOCVD 绒面ZnO薄膜 b掺杂 前电极 太阳电池
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B掺杂Cd_(0.5)Zn_(0.5)S光催化剂制氢性能研究 被引量:10
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作者 诸葛福瑜 靳治良 吕功煊 《分子催化》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期233-238,共6页
采用浸渍法制备了B掺杂的Cd0.5Zn0.5S光催化剂,考察了不同B掺杂量的Cd0.5Zn0.5S催化剂在可见光光照下的放氢活性和稳定性.实验结果表明,B掺杂可以显著提高催化剂的活性和稳定性.B的掺杂量对催化剂的活性有显著影响,最佳担载量为2%.在利... 采用浸渍法制备了B掺杂的Cd0.5Zn0.5S光催化剂,考察了不同B掺杂量的Cd0.5Zn0.5S催化剂在可见光光照下的放氢活性和稳定性.实验结果表明,B掺杂可以显著提高催化剂的活性和稳定性.B的掺杂量对催化剂的活性有显著影响,最佳担载量为2%.在利用XRD、PL、XPS、UV-V is等手段对催化剂表征的基础上,结合光催化性能测定结果与催化剂表征结果,初步探讨了B掺杂对Cd0.5Zn0.5S光催化剂性能的影响机制.结果表明,B掺杂显著地增强了B/Cd0.5Zn0.5S催化剂的紫外-可见漫反射和荧光光谱强度.XPS结果表明,催化剂中的B物种不是以简单氧化物的形式存在,而可能是通过某种化学反应与Cd0.5Zn0.5S光催化剂作用,使催化剂的性能得以改善. 展开更多
关键词 Cd0.5Zn0.5S b掺杂 光催化 制氢
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硼在纳米晶氧化钛中的掺杂状态 被引量:4
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作者 赵燕宁 刘岗 +3 位作者 孙成华 李峰 逯高清 成会明 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期125-129,共5页
用两步水热合成方法制备硼掺杂纳米晶TiO_2粉体,研究了硼在纳米晶氧化钛中的掺杂状态.结果表明,一定硼源加入和水热过程是在TiO_2粉体中实现有效硼掺杂的必要条件.当硼含量较高时,硼原子在TiO_2表面形成具有可调节TiO_2能带结构的B-Ti-... 用两步水热合成方法制备硼掺杂纳米晶TiO_2粉体,研究了硼在纳米晶氧化钛中的掺杂状态.结果表明,一定硼源加入和水热过程是在TiO_2粉体中实现有效硼掺杂的必要条件.当硼含量较高时,硼原子在TiO_2表面形成具有可调节TiO_2能带结构的B-Ti-O表面掺杂态,可有效提高TiO_2的可见光吸收性能,而且可见光吸收强度随着硼掺杂量的增大而提高. 展开更多
关键词 无机非金属材料 纳米晶TiO2 两步水热合成 硼掺杂态 可见光吸收
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LiFeP_(0.95)B_(0.05)O_(4-δ)/C的制备及电化学性能研究 被引量:7
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作者 任兆刚 瞿美臻 于作龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期230-234,共5页
以柠檬酸为螯合剂和碳源,采用溶胶-凝胶法合成了B在P位掺杂的LiFeP0.95B0.05O4-δ/C复合材料.通过XRD、CV、恒流充放电测试等手段对晶体结构和电化学性能进行研究.结果表明,复合材料具有单一的橄榄石型晶体结构,B在P位掺杂可提高材料的... 以柠檬酸为螯合剂和碳源,采用溶胶-凝胶法合成了B在P位掺杂的LiFeP0.95B0.05O4-δ/C复合材料.通过XRD、CV、恒流充放电测试等手段对晶体结构和电化学性能进行研究.结果表明,复合材料具有单一的橄榄石型晶体结构,B在P位掺杂可提高材料的导电性能,降低电极极化,能有效改善材料的循环性能和高倍率性能.650℃下合成的LiFeP0.95B0.05O4-δ/C复合材料在0.2、5、10C的首次放电比容量分别为149.3、123.4和112.1mAh/g,其容量保持率分别为99.3%(0.2C,20次)、91.65%(5C,150次)和92.9%(10C,150次),不同倍率下持续充放电30次后,0.2C放电容量仍能恢复至初始值. 展开更多
关键词 锂离子电池 正极材料 磷酸铁锂 硼掺杂
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MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用 被引量:3
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作者 陈新亮 徐步衡 +3 位作者 薛俊明 赵颖 张晓丹 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2363-2368,共6页
研究了利用LPMOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出... 研究了利用LPMOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm,方块电阻为38Ω/□,透过率大于85%,迁移率为17.8cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.其应用于太阳电池背反射电池后,可使电池短路电流提高将近3mA,使20cm×20cm面积的aSi集成电池效率高达9.09%. 展开更多
关键词 MOCVD ZNO薄膜 b掺杂 背电极 太阳电池
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