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题名工艺参数对Si深槽刻蚀的影响
被引量：6
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作者
杨小兵
王传敏
孙金池
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机构
北京微电子技术研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期424-427,共4页
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文摘
采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响。通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因素,其大小直接影响了深槽的垂直度;适当增加刻蚀阶段钝化气体通入时间对减小线宽损失有很大的作用,但增加过多会产生长草效应;合适的刻蚀和钝化工艺重叠时间,不仅可以减小侧壁表面的起伏度,还可以一定程度上减小线宽损失。采用刻蚀/钝化比为7:5、刻蚀阶段钝化气体通入时间为25min、刻蚀、钝化工艺重叠时间分别为0.5、1s的工艺条件,成功地实现了一个垂直度达(90±0.1)°、深40μm、线宽损失小于50nm的Si深槽刻蚀结构。
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关键词
bosch技术
Si深槽刻蚀
刻蚀/钝化比
长草效应
刻蚀和钝化工艺重叠时间
钝化气体
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Keywords
bosch technology
etching of deep Si trenches
etch and deposition ratio
grass effect
etch and deposition overrun time
passivation gas
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
TN304.12
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题名消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法
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作者
康建波
商庆杰
王利芹
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《电子工艺技术》
2023年第4期10-12,43,共4页
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基金
国家强基项目(亚毫米波3D集成与系统验证)。
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文摘
硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口宽度的差,从原来的22μm减小到13μm。利用优化后的工艺配方对硅通孔和硅腔(宽为1 500μm)同时进行刻蚀时,发现硅腔刻蚀后会产生硅针,不能应用到实际生产。经过多轮次Bosch工艺参数调整,把Bosch工艺沉积步骤的偏置功率设置为10 W,同时解决了硅通孔侧壁刻蚀损伤和硅腔刻蚀出现硅针问题,最终成功应用到MEMS环形器系列产品当中。
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关键词
硅通孔刻蚀
TSV技术
bosch工艺
刻蚀损伤
硅腔
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Keywords
silicon via etching
TSV technology
bosch process
etching damage
silicon cavity
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术
被引量：4
- 3
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作者
邓建国
刘英坤
段雪
苏丽娟
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第8期480-483,共4页
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文摘
提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。
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关键词
感应耦合等离子体
“bosch”工艺
硅
双层侧壁保护
各向异性刻蚀
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Keywords
inductively-coupled plasma （ICP）
＂bosch＂ technology
silicon
double side-wall protection
nonisotropic etching
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN304.12
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题名多次热氧化削减硅通孔内壁扇贝纹
被引量：3
- 4
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作者
王硕
杨发顺
马奎
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机构
贵州大学大数据与信息工程学院
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第6期1131-1137,共7页
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基金
国家自然科学基金(61664004)。
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文摘
硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法刻蚀工艺不可避免地会在硅通孔的内部形成扇贝纹,其尺度一般在几十纳米到几百纳米不等。扇贝纹会导致后续填充的各层材料以及它们之间的界面不平滑,从而严重影响TSV的性能以及三维集成系统的可靠性。高温热氧化时,较高氧气流量可确保硅通孔内部氧气浓度基本均匀,扇贝纹凸起处的二氧化硅生长速率相对较快。交替循环进行高温热氧化和腐蚀二氧化硅,可有效削减硅通孔内壁的扇贝纹。对深宽比为8∶1的硅通孔,经过四次高温热氧化(每次氧化的工艺条件为:1150℃、湿氧氧化10 min)和四次腐蚀二氧化硅后,内壁的扇贝纹起伏最大值从最初的400 nm降到了90 nm。实验结果表明该方法削减扇贝纹的效果十分明显。
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关键词
扇贝纹
硅通孔
bosch刻蚀技术
高温热氧化
三维集成
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Keywords
scallop pattern
through silicon via
bosch etching technology
high temperature thermal oxidation
three-dimensional integration
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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