1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管 被引量：6

1

作者 王因生 李相光 +4 位作者 傅义珠 王佃利 丁晓明 盛国兴 康小虎 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期965-969,共5页

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出... 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％． 展开更多

关键词 硅 微波 功率管

下载PDF 职称材料

L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管 被引量：5

2

作者 王因生 林川 +5 位作者 王佃利 王志楠 张树丹 黄仲平 康小虎 钟志新 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期114-120,共7页

设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇... 设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇流，器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配，在L波段脉冲输出大于100W（36V），脉宽150μs，工作比10％，增益大于7．5dB，效率大于45％，器件最大输出达150W（42V）。 展开更多

关键词 微波功率晶体管 双极晶体管 多晶硅

下载PDF 职称材料

1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制 被引量：4

3

作者 应贤炜 王建浩 +3 位作者 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期207-212,共6页

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管

下载PDF 职称材料

微波功率晶体管的热失效分析 被引量：4

4

作者 刘红兵 许洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期807-809,共3页

微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)... 微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象。提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性。 展开更多

关键词 微波功率晶体管 热失效 热阻 剪切力

下载PDF 职称材料

2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管 被引量：3

5

作者 黄雒光 赵丽华 +2 位作者 刘英坤 张鸿亮 潘茹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期45-47,51,共4页

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。

关键词 硅 微波 脉冲 功率晶体管 内匹配

下载PDF 职称材料

2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管 被引量：3

6

作者 应贤炜 王佃利 +5 位作者 李相光 梅海 吕勇 刘洪军 严德圣 杨立杰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-405,共5页

针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率... 针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 千瓦 微波功率晶体管

下载PDF 职称材料

双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善 被引量：3

7

作者 傅义珠 戴学梅 +6 位作者 康小虎 盛国兴 叶宗祥 方圆 王因生 王佃利 吴鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期383-387,共5页

通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片... 通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片内微波输入功率和结温分布的均匀性。 展开更多

关键词 微波 功率晶体管 结温 热阻

下载PDF 职称材料

P波段超大功率50V GaN HEMT 被引量：3

8

作者 陈韬 刘柱 +6 位作者 王琪 顾黎明 景少红 杨兴 李忠辉 彭大青 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期439-441,共3页

报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。G... 报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,采用0.5μm栅长工艺制作。器件工作电压为50V,在P波段峰值输出功率1 500 W,漏极效率72%。 展开更多

关键词 氮化镓 微波功率管 场板

下载PDF 职称材料

硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究 被引量：2

9

作者 廖超 来萍 +1 位作者 李斌 崔晓英 《电子产品可靠性与环境试验》 2007年第6期4-7,共4页

介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理。

关键词 微波功率晶体管 功率增益 失效机理 退化

下载PDF 职称材料

1.2～1.4GHz 300W宽带硅大功率双极晶体管研制 被引量：2

10

作者 徐守利 刘英坤 +3 位作者 黄雒光 胡顺欣 邓建国 潘茹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期355-358,共4页

介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管。器件在1.2~1.4 ... 介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管。器件在1.2~1.4 GHz频带内,脉冲宽度150μs,占空比10%,工作电压40 V条件下,全频带内输出功率大于300 W,功率增益大于8.75 dB,集电极效率大于55%,并具有良好的可靠性。 展开更多

关键词 硅 L波段 微波脉冲 功率晶体管 亚微米

下载PDF 职称材料

S波段100W硅脉冲功率晶体管 被引量：2

11

作者 傅义珠 李相光 +4 位作者 张树丹 王佃利 王因生 康小虎 姚长军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期123-127,共5页

报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 ... 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。 展开更多

关键词 硅 微波功率晶体管 S波段

下载PDF 职称材料

提高微波功率双极晶体管性能的研究 被引量：2

12

作者 王建志 藩宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期443-445,共3页

通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2... 通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2.25～2.55 GHz),提高到了中高端(3.1～3.5 GHz);器件的集电结反向击穿电压50 V以上的比率由原来的17.6%提高到63.5%;器件的功率增益也从6 dB提高到7.5 dB以上,证明了该工艺方法的有效性与可行性。 展开更多

关键词 微波 功率晶体管 浅结 击穿电压 镇流电阻

下载PDF 职称材料

微波功率晶体管的发展与分析 被引量：2

13

作者 赵正平 《半导体情报》 1992年第1期1-13,共13页

本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。... 本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。 展开更多

关键词 微波器件 功率晶体管 场效应晶体管

下载PDF 职称材料

硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索 被引量：1

14

作者 潘金辉 来萍 +1 位作者 李斌 廖超 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第1期28-31,共4页

首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一... 首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论。分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散。 展开更多

关键词 微波功率晶体管 参数退化 功率增益 饱和压降 击穿电压

下载PDF 职称材料

改善微波功率器件可靠性的方法 被引量：1

15

作者 冯彬 潘宏菽 《电子产品可靠性与环境试验》 2016年第3期29-32,共4页

微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄,因而其击穿电压往往较低,从而对器件的大功率输出和抗烧毁... 微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄,因而其击穿电压往往较低,从而对器件的大功率输出和抗烧毁能力造成了一定的不利影响。因此,从提高击空电压、镇流电阻设计、降低基区电阻设计、预匹配的选择和宽带半导体材料的采用等方面对提高硅微波双极功率器件的可靠性的具体措施进行了研究,对于改善硅微波双极功率器件的性能、提高其可靠性具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 微波 功率晶体管 浅结 镇流电阻 击穿电压 预匹配

下载PDF 职称材料

一种提高微波功率晶体管高频增益的新方法

16

作者 郭本青 张庆中 《电子质量》 2004年第9期76-78,共3页

利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题。在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内表现出明显的效果。最终使器件具备更高的可靠性,更优的增益特性。

关键词 增益特性 微波功率晶体管 发射极 高频 宽频带 器件 旁路电容 整流 电阻 高可靠性

下载PDF 职称材料

硅微波功率晶体管镇流电阻的设计

17

作者 蔡树军 《半导体情报》 1994年第3期11-15,共5页

从热稳定条件出发，对扩散镇流电阻的设计进行了详细的计算和分析，讨论了在保证器件增益前提下提高器件热稳定性的措施，器件应用显示出了良好的结果，最后提出了一种新的没有热崩现象存在的高可靠器件的设想。

关键词 功率晶体管 镇流电阻 热稳定性

下载PDF 职称材料

微小物体表面温度测量与功率管热阻测试

18

作者 朱德忠 琚诒光 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期92-99,共8页

讨论利用红外显微测温仪测量物体微小表面真实温度的方法。通过分析测量 目标大小，响应波长范围和物体表面发射率对红外探测器响应特性的影响．提出计算非 黑体表面真实温度的表达式，并且得到满意的实验验证。利用该红外系统成功地测... 讨论利用红外显微测温仪测量物体微小表面真实温度的方法。通过分析测量 目标大小，响应波长范围和物体表面发射率对红外探测器响应特性的影响．提出计算非 黑体表面真实温度的表达式，并且得到满意的实验验证。利用该红外系统成功地测量了 微波功率管芯片表面的发射率分布以及在直流热耗散下芯片结区的温度分布，计算了峰 值热阻和平均热阻，为微波功率管的热设计提供了实验依据。 展开更多

关键词 温度测量 表面真实温度 红外测温仪 微波功率管 热阻 微小物体

原文传递

采用目标函数计算GaAsMESFET小信号等效电路的新方法 被引量：1

19

作者 顾聪 高一凡 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期35-38,共4页

提出了一种计算GaAsMESFET器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算,且作为非本征元件的函数。等效电路由集中元件构成,在整个测量频率范围内适用。非本征元件可以作为优化标准本征元件的方差,构成目标函数,... 提出了一种计算GaAsMESFET器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算,且作为非本征元件的函数。等效电路由集中元件构成,在整个测量频率范围内适用。非本征元件可以作为优化标准本征元件的方差,构成目标函数,进行迭代计算。在0至10GHz频宽内选取10多个不同的偏置点,计算结果与测量的S参数相吻合。 展开更多

关键词 MESFET 微波功率管 目标函数 砷化镓 等效电路

下载PDF 职称材料

1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管 被引量：1

20

作者 王因生 丁晓明 +5 位作者 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-360,397,共6页

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功... 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。 展开更多

关键词 硅 微波 功率管 镇流电阻

下载PDF 职称材料