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AlN陶瓷粉末制备方法特点和进展 被引量:23
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作者 林健凉 曲选辉 +2 位作者 黄栋生 秦明礼 李笃信 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期576-579,共4页
本文就国内外AlN粉末合成的研究情况 ,综述了直接氮化法、Al2 O3 碳热还原法、自蔓延高温合成法、等离子体法、气溶胶法等主要的几种AlN粉末制备方法的特点和研究进展 。
关键词 制备 直接氮化法 碳热还原法 氮化铝陶瓷粉末
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反应烧结氮化硅-碳化硅复合材料的氮化机理 被引量:21
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作者 李勇 朱晓燕 +3 位作者 王佳平 陈俊红 薛文东 孙加林 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期447-451,共5页
为分析反应烧结氮化硅结合碳化硅(Si3N4-SiC)材料中微观结构和氮化硅分布不均匀的原因,对在隔焰燃气氮化梭式窑中应用反应烧结氮化方法制备的氮化硅结合碳化硅复合材料进行结构研究和热力学分析。结果表明:材料中的氮化硅以纤维状和柱... 为分析反应烧结氮化硅结合碳化硅(Si3N4-SiC)材料中微观结构和氮化硅分布不均匀的原因,对在隔焰燃气氮化梭式窑中应用反应烧结氮化方法制备的氮化硅结合碳化硅复合材料进行结构研究和热力学分析。结果表明:材料中的氮化硅以纤维状和柱状两种形状存在。Si的氮化机理为:Si首先被氧化成气态SiO,降低了体系的氧分压,当氧分压足够低时,Si与N2直接反应形成柱状Si3N4,气态SiO亦可与N2反应生成氮化硅,这是一个气-气反应,故生成的Si3N4为纤维状。氮化反应前SiO主要分布于材料孔隙和表面,因而生成的氮化硅分布不均匀,导致了反应烧结Si3N4-SiC材料结构的不均匀。 展开更多
关键词 反应烧结 氮化硅 碳化硅 氮化反应机理 直接氮化 一氧化硅氮化
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铝粉直接氮化法制备氮化铝粉末 被引量:16
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作者 姜珩 康志君 +2 位作者 谢元锋 夏扬 吕宏 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期396-400,共5页
采用直接氮化法对铝粉进行氮化,分别研究了添加剂、反应温度、保温时间对合成产物的影响。运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线荧光光谱分析(XRF)对合成产物进行了表征,研究结果表明:提高反应温度、延长保温时间可以有效... 采用直接氮化法对铝粉进行氮化,分别研究了添加剂、反应温度、保温时间对合成产物的影响。运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线荧光光谱分析(XRF)对合成产物进行了表征,研究结果表明:提高反应温度、延长保温时间可以有效促进铝粉转化为氮化铝,提高合成产物的氮含量。同时提高反应温度可以促进添加剂的挥发,减小杂质元素的残留量。在1000℃下保温3 h后,对多孔疏松的合成产物进行球磨24 h处理,最终可以得到氮含量大于32%,Cl的残余含量低于0.3%,K的残余含量低于0.1%,平均粒度小于2μm氮化铝粉末。同时在多孔疏松状合成产物表面观察到了氮化铝晶须的存在,这说明铝粉直接氮化法也可以制备出氮化铝晶须。 展开更多
关键词 氮化铝粉末 直接氮化法 添加剂 氮化铝晶须
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硅粉常压直接氮化制备氮化硅粉的研究 被引量:11
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作者 尹少武 王立 +2 位作者 刘传平 童莉葛 孙淑凤 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期230-235,共6页
以平均粒径为2.8μm的硅粉为原料,添加氮化硅粉作为稀释剂,对常压氮气下直接氮化制备Si3N4粉的工艺进行了研究,借助于氮氧测定仪、XRD、SEM等检测方法,分析了硅粉常压直接氮化制备Si3N4粉过程中稀释剂种类、稀释剂添加比例、氮化温度、... 以平均粒径为2.8μm的硅粉为原料,添加氮化硅粉作为稀释剂,对常压氮气下直接氮化制备Si3N4粉的工艺进行了研究,借助于氮氧测定仪、XRD、SEM等检测方法,分析了硅粉常压直接氮化制备Si3N4粉过程中稀释剂种类、稀释剂添加比例、氮化温度、氮化时间等因素对硅的氮化过程的影响。研究结果表明:硅粉在流动常压氮气下,当氮化温度高于1410℃时,硅的转化率迅速增加,氮化产物中β相含量也增加;通过控制稀释剂的添加种类和添加比例、氮化时间和氮化温度,可合成高α相含量的Si3N4。采用平均粒径为2.8μm的硅粉,在常压氮气下,当添加30%的α-Si3N4粉作为稀释剂、氮化温度为1550℃、氮化时间为10min时,合成了氮含量为39.4%,游离硅为0.7%,主要为α相、含部分β相的Si3N4粉。 展开更多
关键词 氮化硅 直接氮化 常压氮化 制备
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氮化硅粉体制备方法研究进展 被引量:8
5
作者 刘萍 徐恩霞 +1 位作者 谢宏旭 曹雨后 《耐火材料》 CAS 北大核心 2020年第5期457-460,共4页
综述了氮化硅粉体的制备方法和国内外研究现状,并对目前大规模采用的硅粉直接氮化法和碳热还原二氧化硅法存在的问题进行了分析。
关键词 氮化硅粉体 制备方法 研究现状 直接氮化法 碳热还原法
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直接氮化法制备氮化铝纳米线 被引量:6
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作者 王稳稳 程仁志 +4 位作者 胡晓阳 张迎九 宋平新 田永涛 李新建 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期221-226,共6页
在氮、氢混合气气流中(氢气10%,体积比),以铝和氯化铵混合粉体为原料,在水平管式炉中采用直接氮化法合成了氮化铝纳米线。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对纳米线的形貌和结构进行了检测与分析;研究... 在氮、氢混合气气流中(氢气10%,体积比),以铝和氯化铵混合粉体为原料,在水平管式炉中采用直接氮化法合成了氮化铝纳米线。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对纳米线的形貌和结构进行了检测与分析;研究了铝和氯化铵的比例(质量比)、反应温度、升温速度等因素对生成物的种类、形貌和氮化铝纳米线产量的影响。研究发现,所获得的AlN纳米线为单晶六方纤锌矿结构,表面不光滑且有非晶层,而AlN纳米线依照Vapor-Solid(VS,气-固)生长机制生长。获得了较为优化的制备氮化铝纳米线的工艺条件,利用VS生长机制和气相过饱和度概念对上述影响氮化铝纳米线生长的条件进行了初步的机理分析。 展开更多
关键词 氮化铝纳米线 铝粉 氯化铵 直接氮化
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直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜 被引量:4
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作者 姜洪波 高濂 李景国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期495-499,共5页
首先采用溶胶-凝胶法在Al_2O3_基体上制备了TiO_2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO_2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al_2O_3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的... 首先采用溶胶-凝胶法在Al_2O3_基体上制备了TiO_2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO_2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al_2O_3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h. 展开更多
关键词 直接氮化法 纳米晶TiN薄膜 TIO2薄膜
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基于流态化技术硅粉直接氮化制备氮化硅粉 被引量:4
8
作者 尹少武 王立 +1 位作者 童莉葛 孙淑凤 《北京化工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期70-74,共5页
提出了一种基于流态化技术,利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉的新工艺。在常温下,以氮气为载气,将硅粉快速流化并夹带离开供料装置,硅粉和氮气组成的气-固两相流进入到预热器中,预热后的混合物从底部进入到高温悬浮床的高温区,以稀相气力... 提出了一种基于流态化技术,利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉的新工艺。在常温下,以氮气为载气,将硅粉快速流化并夹带离开供料装置,硅粉和氮气组成的气-固两相流进入到预热器中,预热后的混合物从底部进入到高温悬浮床的高温区,以稀相气力输送的方式连续穿过高温悬浮床,在高温常压下发生燃烧合成反应,最后在出口经冷却装置冷却后,由收集装置收集,得到氮化产物。借助SEM、XRD、元素分析和FTIR等方法分析了氮化产物的形貌、物相组成、化学成分以及价键结构。实验结果表明:对于平均粒径为2.7μm的硅粉,在反应温度为1653K、反应时间为2.7min时,硅的转化率为53.4%,氮化产物为非晶氮化硅粉。通过理论预测,如果将反应温度升高至1723K,硅粉氮化7.1min后,其转化率可达99%。本文提出的方法可连续制备优质氮化硅粉,而且比现有的其他制备方法具有更高的生产效率。 展开更多
关键词 流态化 氮化硅 直接氮化 合成 非晶
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原位直接氮化法制备片状AlN粉体
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作者 庞皓然 李康 +2 位作者 赵蕾 魏智磊 史忠旗 《铸造技术》 CAS 2023年第5期405-410,共6页
片状AlN粉体作为热界面材料的填料应用前景广阔,但制备工艺难度大、成本高限制了其实际应用。本文以球磨处理后得到的片状Al粉为铝源,在氮气气氛中通过原位直接氮化法成功制备出由等轴状微米颗粒结合而成的片状AlN粉体,并研究了球磨处... 片状AlN粉体作为热界面材料的填料应用前景广阔,但制备工艺难度大、成本高限制了其实际应用。本文以球磨处理后得到的片状Al粉为铝源,在氮气气氛中通过原位直接氮化法成功制备出由等轴状微米颗粒结合而成的片状AlN粉体,并研究了球磨处理、氮化温度和升温速率对产物物相组成及显微形貌的影响。结果表明,球磨处理可增强Al粉的反应活性、提升氮化速率。升高氮化温度可提升Al粉的氮化率,但过高的氮化温度则会导致产物无法保持片状形貌;提高升温速率会增大等轴状微米颗粒的粒径。当氮化温度为640℃、升温速率为5℃/min时,制备的片状AlN粉体表面最为致密、平整,有望作为热界面材料的填料使用。 展开更多
关键词 氮化铝粉体 直接氮化法 填料 粉体形貌
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直接氮化法制备AlN粉的工艺研究与性能表征 被引量:4
10
作者 乐红志 田贵山 崔唐茵 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1449-1453,共5页
本文采用一种操作简单、适合规模化且低成本的方法制备氮化铝粉末,研究了氮化烧成温度,铵盐的种类与用量对产物物相组成的影响。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)、X射线能量散射能谱仪(XEDS)对制备的样品进行了分析表征。结果... 本文采用一种操作简单、适合规模化且低成本的方法制备氮化铝粉末,研究了氮化烧成温度,铵盐的种类与用量对产物物相组成的影响。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)、X射线能量散射能谱仪(XEDS)对制备的样品进行了分析表征。结果表明:氯化铵、氟化铵可较好改善铝粉氮化质量,避免铝粉熔融结块,并得到纳米尺寸的AlN颗粒;水汽的存在对氮化反应有严重的负面影响,须要避免。 展开更多
关键词 氮化铝 铝粉 直接氮化 铵盐
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硅粉氮化输送床内气固反应过程数值模拟 被引量:2
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作者 尹少武 张朝 +2 位作者 康鹏 韩嘉维 王立 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期2256-2267,共12页
以单个硅颗粒氮化反应缩核模型为基础,本文建立了硅颗粒在输送床内反应、辐射与对流传热耦合的数学模型,并借助CFD软件FLUENT对输送床内能质传输过程进行了数值模拟,分析了输送床壁面温度、氮气流量、预热温度、硅粉粒径等因素对输送床... 以单个硅颗粒氮化反应缩核模型为基础,本文建立了硅颗粒在输送床内反应、辐射与对流传热耦合的数学模型,并借助CFD软件FLUENT对输送床内能质传输过程进行了数值模拟,分析了输送床壁面温度、氮气流量、预热温度、硅粉粒径等因素对输送床内温度场和硅粉氮化率的影响。在数值计算域内将单个颗粒反应过程转化为颗粒群整体反应过程,实时监测颗粒粒径及未反应硅颗粒粒径,为数值模拟颗粒流反应提供一种新思路。当壁面温度高于1723K时,输送床内会出现一高温区加速硅粉氮化反应;反应温度越高、颗粒粒径越小,氮化过程越剧烈,硅粉到达完全氮化所需时间越短。模型表明为使粒径为2.5μm的硅粉达到完全氮化且输送床内最高温度不超过氮化硅的分解温度2173K,应控制输送床壁面温度在1773K,氮化时间在170s以上,预热温度在1273K,粉气质量比为0.2,稀释剂比例为0.5~1。 展开更多
关键词 氮化硅 能质传输 颗粒流 数值模拟 流态化 直接氮化 输送床
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单晶α-Si3N4纳米线宏量制备研究 被引量:3
12
作者 雷超 魏飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期667-672,共6页
本研究提出了一种宏量制备单晶α-Si3N4纳米线的方法。以造粒硅粉为原料,通过在N2-H2混合气氛中直接氮化,得到具有核壳结构的氮化产物(Si3N4纳米线@多孔Si3N4微米粉体),氮化产物经过破碎、研磨、分离后即可获得Si3N4纳米线。检测结果表... 本研究提出了一种宏量制备单晶α-Si3N4纳米线的方法。以造粒硅粉为原料,通过在N2-H2混合气氛中直接氮化,得到具有核壳结构的氮化产物(Si3N4纳米线@多孔Si3N4微米粉体),氮化产物经过破碎、研磨、分离后即可获得Si3N4纳米线。检测结果表明,制备的Si3N4纳米线直径为80~150nm,长径比为20~50,其中纳米线含量>95wt%,α相/β相比为17.6,收率为3.1%。进一步研究表明,原料中微量Fe元素在还原气氛下具有催化作用,纳米线由典型的气–液–固(VLS)生长机制控制。实验中对原料硅粉造粒后再氮化具有三大优点:数量级地增大了Si3N4纳米线生长空间;纳米线生长分布集中,有利于后续高效分离;显著提高了氮化速率。 展开更多
关键词 氮化硅 纳米线 直接氮化 造粒 VLS机制
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直接氮化法制备氮化铬粉末的热力学研究 被引量:3
13
作者 马壮 李成威 +3 位作者 陈雪婷 姚丹 张武 韩凯新 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2014年第3期17-20,共4页
对金属铬粉在氮气气氛下直接氮化制备氮化铬粉末进行了热力学计算,并分析讨论了Cr-N体系的热力学特征。通过理论计算,得到计算结果的应用条件的适用性,并进行试验验证,为直接氮化法制备氮化铬粉末提供了理论参考。
关键词 氮化铬 直接氮化 热力学
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Al@AlN-Al2O3高温复合相变蓄热材料的制备与性能研究 被引量:3
14
作者 李宁宁 李孔斋 +3 位作者 魏永刚 祝星 刘自松 王华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2875-2882,共8页
以Al作为相变材料,采用直接氮化法制备出一种核壳结构Al@Al N-Al_2O_3新型高温复合相变蓄热材料。利用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、拉曼光谱仪和差示扫描量热分析仪对材料进行表征。进一步研究锂盐助剂种类及反应时间对... 以Al作为相变材料,采用直接氮化法制备出一种核壳结构Al@Al N-Al_2O_3新型高温复合相变蓄热材料。利用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、拉曼光谱仪和差示扫描量热分析仪对材料进行表征。进一步研究锂盐助剂种类及反应时间对材料合成的影响,同时对材料的热循环性能进行测定。结果表明:在750℃条件下制备的复合材料达到预期的核壳结构,其相变材料含量64.6%,相变温度为662.3℃,蓄热密度高达326.3 kJ/kg。同时发现Li_2CO_3助剂的加入、反应时间的延长均可促进AlN的合成,从而使核壳结构更加稳定。经过20次热循环后,该材料仍表现出稳定的蓄热性能。 展开更多
关键词 复合相变蓄热材料 直接氮化法 核壳结构 高温蓄热 Al@AlN-A12O3
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Formation of AlN from Secondary Al Resources 被引量:1
15
作者 M.Bahgat M.Radwan F.E.Farghaly 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期621-624,共4页
Synthesis of AlN by NH4Cl-assisted direct nitridation of secondary Al resources was studied. Aluminum alloy scrap contained Mg and Zn element was used. Milled Al scrap (-1 mm) was mixed with NH4Cl and heated at 1000... Synthesis of AlN by NH4Cl-assisted direct nitridation of secondary Al resources was studied. Aluminum alloy scrap contained Mg and Zn element was used. Milled Al scrap (-1 mm) was mixed with NH4Cl and heated at 1000℃ for 1 h in presence of 1 L/min N2 flow gas. The nitrided product was evaluated by X-ray diffraction semi-quantitative analysis and scanning electron microscopy (SEM). Aluminium nitride of 90.5% concentration was obtained with a hexagonal crystalline form. AlN is mostly formed in nano-whisker morphology (50~150 nm) which is homogenously distributed. 展开更多
关键词 ALN direct nitridation NANOWHISKER Secondary resources
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多孔钛直接氮化制备氮化钛的实验研究
16
作者 邱炜宸 王耀武 +1 位作者 狄跃忠 彭建平 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期77-82,共6页
目前氮化钛主要采用钛粉直接氮化生产,但生产过程需多次氮化,能耗较高。以氟钛酸钠为原料经铝热还原制备的多孔钛比表面积大、活性好,本文对以多孔钛为原料直接氮化制备氮化钛的工艺进行研究。通过X射线衍射仪、扫描电镜和氧氮氢分析仪... 目前氮化钛主要采用钛粉直接氮化生产,但生产过程需多次氮化,能耗较高。以氟钛酸钠为原料经铝热还原制备的多孔钛比表面积大、活性好,本文对以多孔钛为原料直接氮化制备氮化钛的工艺进行研究。通过X射线衍射仪、扫描电镜和氧氮氢分析仪,分别对所制备氮化钛的物相、微观形貌和N含量进行分析,研究氮化工艺条件对氮化效果的影响。通过热力学分析和差热-热重分析探讨了多孔钛直接氮化的机理。结果表明,在氮化温度1200℃、保温时间300min、氮化压力0.100MPa的条件下,经一次氮化即可制备N含量为20.6%的氮化钛,制备的氮化钛纯度较高,整体氮化效果较好。多孔钛的氮化是放热反应,由于渗氮过程是由表及里逐渐进行的,而且N元素由颗粒表面向内扩散的过程较慢,氮化反应整体上是一个缓慢氮化、逐渐增氮的过程。 展开更多
关键词 氮化钛 直接氮化 多孔钛 铝热还原 氮化机理 N含量
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直接氮化法制备Si_3N_4粉体过程研究 被引量:2
17
作者 刘松喆 季惠明 +1 位作者 梁辉 马艳红 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期378-381,共4页
采用直接氮化的工艺方法,以Si粉为初始原料,采用Fe粉为催化剂,在高温下直接进行氮化,制备了Si_3N_4粉体。着重讨论了催化剂含量和氮化工艺条件对粉体的氮化率、粒径、形貌和相含量等方面的影响。实验结果表明:催化剂含量,球磨工艺,烧结... 采用直接氮化的工艺方法,以Si粉为初始原料,采用Fe粉为催化剂,在高温下直接进行氮化,制备了Si_3N_4粉体。着重讨论了催化剂含量和氮化工艺条件对粉体的氮化率、粒径、形貌和相含量等方面的影响。实验结果表明:催化剂含量,球磨工艺,烧结制度是影响Si_3N_4粉体最终性能的3个主要因素,并且在掺杂Fe为0.5%,球磨时间为2h,采用分阶段保温升温的方法,在氮化温度为1400~1350℃下氮化2~3 h,制备了氮化率95%左右,α相含量接近90%,形状为等轴状的Si_3N_4粉体。 展开更多
关键词 Si3N4粉体 直接氮化法 催化剂Fe 工艺条件
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Zn元素对直接氮化法制备AlN粉体的影响 被引量:2
18
作者 张耀辉 王群 +2 位作者 瞿志学 汤云晖 武彤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1727-1731,共5页
为解决直接氮化法制备AlN粉体过程中存在的问题,采用具有高饱和蒸气压的Zn元素作为原料铝合金的合金元素,研究了Zn元素对Al-Zn以及Al-Mg-Zn合金直接氮化制备AlN粉体的影响。结果表明:Zn元素的挥发可以在反应初期破坏合金熔体氮化形成的... 为解决直接氮化法制备AlN粉体过程中存在的问题,采用具有高饱和蒸气压的Zn元素作为原料铝合金的合金元素,研究了Zn元素对Al-Zn以及Al-Mg-Zn合金直接氮化制备AlN粉体的影响。结果表明:Zn元素的挥发可以在反应初期破坏合金熔体氮化形成的氮化膜,避免熔体结块,提高转化率;另一方面,试验及热力学分析表明Zn元素的脱氧作用较差,而Mg元素可以在氮化过程中脱去气氛中的氧,避免Al2O3的形成。因此,采用Al-Mg-Zn三元合金进行直接氮化能够得到低含氧量、低金属杂质残留的纯相AlN。 展开更多
关键词 氮化铝 含锌铝合金 直接氮化
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Morphology control of aluminum nitride(AlN)for a novel high-temperature hydrogen sensor 被引量:1
19
作者 Angga Hermawan Yusuke Asakura Shu Yin 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期1560-1567,共8页
Hydrogen is a promising renewable energy source for fossil-free transportation and electrical energy generation.However,leaking hydrogen in high-temperature production processes can cause an explosion,which endangers ... Hydrogen is a promising renewable energy source for fossil-free transportation and electrical energy generation.However,leaking hydrogen in high-temperature production processes can cause an explosion,which endangers production workers and surrounding areas.To detect leaks early,we used a sensor material based on a wide bandgap aluminum nitride(AlN)that can withstand a high-temperature environment.Three unique AlN morphologies(rod-like,nest-like,and hexagonal plate-like)were synthesized by a direct nitridation method at 1400℃usingγ-AlOOH as a precursor.The gas-sensing performance shows that a hexagonal plate-like morphology exhibited p-type sensing behavior and showed good repeatability as well as the highest response(S=58.7)toward a 750 ppm leak of H2 gas at high temperature(500°C)compared with the rod-like and nest-like morphologies.Furthermore,the hexagonal plate-like morphology showed fast response and recovery times of 40 and 82 s,respectively.The surface facet of the hexagonal morphology of AlN might be energetically favorable for gas adsorption–desorption for enhanced hydrogen detection. 展开更多
关键词 aluminum nitride controllable morphology direct nitridation γ-AlOOH hydrogen sensor
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表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响 被引量:1
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作者 兰宇 李兵 +4 位作者 周子皓 张以纯 尹传强 魏秀琴 周浪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期2719-2722,共4页
研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮... 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮化产物中α-Si_3N_4含量可达97%以上,残留硅含量低于1%,产物中部氧含量为1.71%,在此环境下硅粉氮化主要以化学气相沉积的方式进行,产物形貌以杆状α-Si_3N_4晶须为主。硅原料表面氧含量低于4.38%时,氮化产物α-Si_3N_4含量均在95%以上,另有少量的β-Si_3N_4和残留硅,XRD测试精度范围内无氮氧化硅相存在。当硅原料氧含量高于5.61%时,产物中则出现氮氧化硅,随着原料氧含量增加,氮氧化硅含量明显上升。当硅原料氧含量低于5.61%时,残留硅含量随氧含量增加明显减少,说明原料中氧的增加可以显著加快氮化速率,降低氮化产物中残留硅的含量。 展开更多
关键词 α-氮化硅 氧含量 直接氮化法 高纯硅粉 氮氧化硅
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