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MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性 被引量：22
1
作者 傅竹西 林碧霞 +3 位作者 祝杰 贾云波 刘丽萍 彭小滔 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期119-124,共6页
近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影... 近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响 ;观察了样品的室温光致发光光谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较 ,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。 展开更多
关键词 氧化锌 薄膜制备 结构特性 光致发光 mocvd 发光特性
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用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性 被引量：11
2
作者 毛祥军 杨志坚 +2 位作者 李景 屈建勤 张国义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期639-643,共5页
本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红... 本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红移到蓝光区；二次离子质谱仪（ Ｓ Ｉ Ｍ Ｓ）测量发现有 Ｚｎ 扩散到 Ｇａ Ｎ 外延层， Ｚｎ 的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在 １０５０℃ Ｚｎ 在 Ｇａ Ｎ 中扩散系数是 ８６×１０－ １４ ｃｍ ２ ／ｓ． 展开更多
关键词 氮化镓 mocvd 外延生长
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GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术 被引量：16
3
作者 徐茵 顾彪 +2 位作者 秦福文 从吉远 杨树人 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期37-39,共3页
给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这... 给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。 展开更多
关键词 氮化镓 mocvd 等离子体 低温外延
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国外红外材料的现状与展望 被引量：20
4
作者 王曼霞 赵稼祥 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期1-6,共6页
本文介绍了国外红外探测材料和红外透过材料的现况和进一步研究发展的方向；强调发展薄膜外延技术，特别是金属有机化合物气相沉积技术和研究开发Ｈｇ（１－ｘ）ＺｎｘＴｅ以及Ｈｇ（１－ｘ）ＭｎｘＴｅ等高性能新红外材料的重要性；指... 本文介绍了国外红外探测材料和红外透过材料的现况和进一步研究发展的方向；强调发展薄膜外延技术，特别是金属有机化合物气相沉积技术和研究开发Ｈｇ（１－ｘ）ＺｎｘＴｅ以及Ｈｇ（１－ｘ）ＭｎｘＴｅ等高性能新红外材料的重要性；指出ＺｎＳ是目前相对比较好的红外窗口和头罩候选材料；提出远红外材料和红外／毫米波双模复合制导用的材料应是今后研究的重点。 展开更多
关键词 红外材料 HGCDTE 薄膜外延 mocvd
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MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究 被引量：14
5
作者 徐步衡 薛俊明 +9 位作者 赵颖 张晓丹 魏长春 孙建 刘芳芳 何青 侯国付 任慧志 张德坤 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期515-518,共4页
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/m... 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。 展开更多
关键词 ZnO薄膜 薄膜太阳电池 mocvd 金属有机物化学气相沉积 备用 生长技术 二乙基锌 低电阻率 光电特性 衬底温度 制备条件 方块电阻 H2O 透过率 min MOL 掺杂 流量 500 膜面积 气体
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用MOCVD法制备TiO_2薄膜 被引量：7
6
作者 崔丽萍 张建明 《太原理工大学学报》 CAS 2003年第2期222-225,共4页
用低压 MOCVD法 ,以四异丙纯钛为源物质 ,高纯氮气作为载气 ,氧气为反应气体 ,制备出了 Ti O2 薄膜。考察出了沉积温度、基片距离均对沉积速率有影响 ,发现在不同反应条件下Ti O2
关键词 mocvd TIO2薄膜 二氧化钛薄膜 化学气相沉积 制备方法
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新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器 被引量：18
7
作者 廉鹏 殷涛 +6 位作者 高国 邹德恕 陈昌华 李建军 沈光地 马骁宇 陈良惠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期2374-2377,共4页
针对大功率半导体激光器面临的主要困难 ,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔高效大功率半导体激光器机理 .该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题 .采用低... 针对大功率半导体激光器面临的主要困难 ,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔高效大功率半导体激光器机理 .该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题 .采用低压金属有机化合物气相淀积方法生长了以碳和硅作为掺杂剂的GaAs隧道结、GaAs/In GaAs应变量子阱有源区和新型多有源区半导体激光器外延结构 ,并制备了高性能大功率 980nm激光器件 .三有源区激光器外微分量子效率达 2 .2 ,2A驱动电流下单面未镀膜激光输出功率高达 2 .5W . 展开更多
关键词 半导体激光器 大功率 多有源区隧道再生激光器件
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径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟 被引量：15
8
作者 左然 张红 刘祥林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期977-982,共6页
对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的... 对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等. 展开更多
关键词 mocvd 输运过程 热对流 数值模拟
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GaN基材料半导体激光器综述 被引量：10
9
作者 郎佳红 顾彪 +1 位作者 徐茵 秦福文 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期321-324,327,共5页
叙述了激光器材料的发展 ,回顾了GaN薄膜制备的几个技术进展 ,总结了GaN基材料激光器 (LDs)的发展历程。
关键词 GAN 半导体激光器 mocvd 外延生长
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金属有机化学气相沉积反应器技术及进展 被引量：11
10
作者 许效红 王民 +2 位作者 侯云 周爱秋 王弘 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期410-413,共4页
简要介绍了金属有机化学气相沉积反应器技术的发展 ,描述了几种典型反应器的结构和过程特点 ,讨论了反应器的设计。
关键词 气相沉积 反应器 金属有机化学 薄膜材料 mocvd 结构 设计 优化
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用MOCVD方法制备TIO_2薄膜:工艺及进展 被引量：6
11
作者 孙一军 张志峰 +1 位作者 张良莹 姚熹 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1997年第2期37-40,共4页
本文概述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的方法制备ＴＩＯ２薄膜的原理工艺过程用工艺特点，并指出了最新研研进展和存在的问题以今后及发展方向。
关键词 mocvd 二氧化钛 薄膜 制备工艺 半导体薄膜
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GaAs系列太阳电池技术与发展 被引量：9
12
作者 何炜瑜 《中国民航学院学报》 2004年第2期59-64,共6页
GaAs系列太阳电池是目前太空应用最广泛的电源,这一系列太阳电池已成为太阳电池领域的研究热点。介绍了GaAs太阳电池的研究历程和最新技术动态。
关键词 GAAS mocvd 多结太阳电池 效率
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GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真 被引量：13
13
作者 刘奕 陈海昕 符松 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1639-1646,共8页
采用计算流体力学方法对生长半导体材料 Ga N的重要设备 MOCVD(金属有机物化学气相沉积 )反应室中的流场结构进行了三维数值仿真 .数值模拟采用基于非交错网格系统的 SIMPL E算法 ,用有限体积方法对控制方程进行离散 ,并采用改进的压力 ... 采用计算流体力学方法对生长半导体材料 Ga N的重要设备 MOCVD(金属有机物化学气相沉积 )反应室中的流场结构进行了三维数值仿真 .数值模拟采用基于非交错网格系统的 SIMPL E算法 ,用有限体积方法对控制方程进行离散 ,并采用改进的压力 -速度耦合方法进行求解 .数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的 Ga N-MOCVD反应室中的流场结构 ,研究了改变几何尺寸和运行参数对 MOCVD反应室流场结构的影响 ,对正在试制开发中的 MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议 . 展开更多
关键词 CFD GAN mocvd 数值仿真
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p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望 被引量：9
14
作者 王新胜 杨天鹏 +4 位作者 刘维峰 徐艺滨 梁红伟 常玉春 杜国同 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期104-108,共5页
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面... ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 P型掺杂 第一性原理 mocvd MBE
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一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法 被引量：13
15
作者 彭冬生 冯玉春 +3 位作者 王文欣 刘晓峰 施炜 牛憨笨 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期3606-3610,共5页
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微... 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行分析,结果表明,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜,其(0002)面上的XRDFWHM为208.80弧秒,(1012)面上的为320.76弧秒.同时,此方法也克服了传统横向外延生长技术(LEO)工艺复杂和晶向倾斜高的缺点. 展开更多
关键词 表面处理 mocvd 横向外延生长 GAN薄膜
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反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器设计与数值模拟 被引量：13
16
作者 徐谦 左然 张红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1059-1064,共6页
本文分析了现有的MOCVD反应器存在的不足,提出了一种新型的反向流动垂直喷淋式反应器:反应气体从基片上方的许多平行小喷管喷入反应区,反应后的尾气又从基片上方出口排出,从而减少了反应物浓度沿衬底径向的不均匀性。通过对反应器进行... 本文分析了现有的MOCVD反应器存在的不足,提出了一种新型的反向流动垂直喷淋式反应器:反应气体从基片上方的许多平行小喷管喷入反应区,反应后的尾气又从基片上方出口排出,从而减少了反应物浓度沿衬底径向的不均匀性。通过对反应器进行三维数值模拟,改变喷管的中心距、喷管端与衬底的距离、流量、气体压强等参数,确定了反应室内衬底上方温度场与浓度场为最佳时的参数组合。 展开更多
关键词 反向流动 mocvd 反应器设计 数值模拟
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生长温度对ZnO薄膜性能的影响 被引量：11
17
作者 苏宏波 戴江南 +4 位作者 蒲勇 王立 李方 文卿 江风益 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1221-1224,共4页
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐... 采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐渐增大,a轴晶格常数逐渐变小,同时带隙相应逐渐增大. 展开更多
关键词 ZNO mocvd X射线双晶衍射 光致发光 应变
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MOCVD生长的动力学模式探讨 被引量：12
18
作者 王浩 范广涵 廖常俊 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第2期54-57,共4页
讨论金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释 .应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度 -原材料输运速度有关的公式 ,并应用这个公式进行了计算 ,计算结果与实际生长时的参数接近 .
关键词 化学反应动力学 分子动力学 金属有机化合物气相沉积 mocvd 晶体生长 生长速度 半导体 外延生长
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衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响 被引量：14
19
作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 张德坤 孙建 任慧志 赵颖 耿新华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1563-1567,共5页
研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围... 研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96cm2/V.s的高迁移率和3.28×10-2Ω.cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极. 展开更多
关键词 mocvd ZNO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池
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绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用 被引量：11
20
作者 陈新亮 薛俊明 +2 位作者 孙建 赵颖 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1072-1077,共6页
研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~1... 研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有（110）峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10sccm时,在6cm×6cm面积玻璃衬底上生长出厚度为1000nm,方块电阻为~12Ω/□,平均透过率大于80%,迁移率为30.5cm2/（V.s）的绒面结构ZnO薄膜.PL谱测试表明B掺杂提高了ZnO薄膜的晶体质量,有力地说明了B掺杂ZnO薄膜具有更好的电学稳定性;低压H2氛围中退火可以有效提高ZnO薄膜的电子迁移率.将其用作Si薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UtypeSnO2作前电极的电池具有同等效果. 展开更多
关键词 mocvd 绒面ZnO薄膜 B掺杂 前电极 太阳电池
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