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GaN——第三代半导体的曙光 被引量：87
1
作者 梁春广 张冀 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期89-99,共11页
自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后，氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术，包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件，如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、... 自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后，氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术，包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件，如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状，同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景． 展开更多
关键词 氮化镓 化合物半导体 宽带隙 半导体材料
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直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱 被引量：49
2
作者 叶志镇 陈汉鸿 +2 位作者 刘榕 张昊翔 赵炳辉 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1015-1018,共4页
用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Z... 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 . 展开更多
关键词 薄膜 直流磁控溅射 光致发光光谱 氧化锌 PL谱
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退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 被引量：46
3
作者 吕建国 叶志镇 +2 位作者 黄靖云 赵炳辉 汪雷 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期729-736,共8页
研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,... 研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0～ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能
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超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术 被引量：44
4
作者 王阳元 康晋锋 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1121-1134,共14页
半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之... 半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之一 .在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上 ,重点介绍和评述了低 k介质和 Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题 ,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等 展开更多
关键词 超深亚微米 集成电路 低K介质 互连集成技术 RF互连 光互连
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半导体器件热特性的电学法测量与分析 被引量：53
5
作者 冯士维 谢雪松 +3 位作者 吕长志 张小玲 何焱 沈光地 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期358-364,共7页
利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度分布，结果表明电学法测得的平均温度... 利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度分布，结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下，电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性． 展开更多
关键词 半导体器件 热特性 电学法 测量
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硅集成电路光刻技术的发展与挑战 被引量：44
6
作者 王阳元 康晋锋 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期225-237,共13页
从微电子集成电路技术发展的趋势 ,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求 ,综述了当前主流的DU V光学曝光技术和新一代曝光技术中的 15 7nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展... 从微电子集成电路技术发展的趋势 ,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求 ,综述了当前主流的DU V光学曝光技术和新一代曝光技术中的 15 7nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战 .同时 ,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明 (OAI)、光学邻近效应校正 (OPC)、移相掩膜 (PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪 (resist trimm ing)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍 。 展开更多
关键词 光刻 硅集成电路 微电子
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In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 被引量：40
7
作者 陈猛 白雪冬 +1 位作者 黄荣芳 闻立时 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期394-399,共6页
基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格... 基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 展开更多
关键词 导电薄膜 结构 导电机制 氧化锌 氧化铟
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氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算 被引量：35
8
作者 范志新 孙以材 陈玖琳 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1382-1386,共5页
以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (... 以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 . 展开更多
关键词 氧化物半导体 透明导电薄膜 最佳掺杂含量
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基于协同工作方式的一种蚁群布线系统 被引量：17
9
作者 庄昌文 范明钰 +1 位作者 李春辉 虞厥邦 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期400-406,共7页
基于协同学习机制的蚁群算法ＡＣＳ已成功应用于求解ＴＳＰ问题．本文基于蚁群的协同工作机制，提出了一种其内涵扩充了的增强蚁群算法（ＩＡＣＳ）．利用此新算法设计了一个开关盒（Ｓｗｉｔｃｈｂｏｘ）布线程序，并用ＪＡＶＡ语言加... 基于协同学习机制的蚁群算法ＡＣＳ已成功应用于求解ＴＳＰ问题．本文基于蚁群的协同工作机制，提出了一种其内涵扩充了的增强蚁群算法（ＩＡＣＳ）．利用此新算法设计了一个开关盒（Ｓｗｉｔｃｈｂｏｘ）布线程序，并用ＪＡＶＡ语言加以实现．针对几个算例计算的结果，证明该程序可获得比ＷＥＡＶＥＲ、ＭＩＧＨＴＹ、ＢＥＡＶＥＲ、ＧＡＰ基准例低的计算复杂度． 展开更多
关键词 VLSI 蚁群布线系统 AICS IC 协同工作方式
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TiO_2薄膜的制备及结构研究 被引量：26
10
作者 孟宪权 王君 +1 位作者 何磊 范湘军 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期395-399,共5页
本文探讨了用平面磁控溅射法制备ＴｉＯ２薄膜．研究了ＴｉＯ２薄膜结构随溅射条件（衬底温度、氧分压、工作气压）的变化．用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测薄膜结构，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测薄膜钛氧成分比．得到了制备金红石相和锐... 本文探讨了用平面磁控溅射法制备ＴｉＯ２薄膜．研究了ＴｉＯ２薄膜结构随溅射条件（衬底温度、氧分压、工作气压）的变化．用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测薄膜结构，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测薄膜钛氧成分比．得到了制备金红石相和锐钛矿相ＴｉＯ２薄膜的最佳工艺参数． 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 制备 结构
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用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究 被引量：25
11
作者 施卫 张显斌 +3 位作者 贾婉丽 李孟霞 许景周 张希成 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1735-1738,共4页
报道了用半绝缘 Ga As材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射 THz电磁波的实验结果 .Ga As光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为 3m m,采用 Si3N4 薄膜绝缘保护 ,在 5 4 0 V直流偏置下被波长80 0 nm,脉宽 14 fs,重复频率... 报道了用半绝缘 Ga As材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射 THz电磁波的实验结果 .Ga As光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为 3m m,采用 Si3N4 薄膜绝缘保护 ,在 5 4 0 V直流偏置下被波长80 0 nm,脉宽 14 fs,重复频率 75 MHz,平均功率 130 m W的飞秒激光脉冲触发时产生 THz电磁波 .用电光取样测量得到了 THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布 .THz电磁波的辐射峰值位于 0 .5 THz左右 ,频谱宽度大于 2 THz,脉冲宽度约为 1ps. 展开更多
关键词 GaAs光电导偶极天线 太赫兹电磁波 皮秒电脉冲
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高精度带隙基准电压源的实现 被引量：28
12
作者 江金光 王耀南 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期852-857,共6页
提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .... 提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0～ +80℃温度范围内温度系数为 3× 1 0 - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W. 展开更多
关键词 高精度 电流补偿 温度补偿 温度系数 带隙基准电压源 EEACC 1280 2570D
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多孔硅发强可见光的新物理模型 被引量：22
13
作者 秦国刚 贾勇强 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第10期648-651,共4页
本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是... 本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是主导的发光中心,而在经过适当氧化处理后发光比较稳定的多孔硅中,发光中心可能是氧化层中的点缺陷或杂质。 展开更多
关键词 多孔硅 发光 物理模型
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ULSI硅衬底的化学机械抛光 被引量：31
14
作者 张楷亮 刘玉岭 +2 位作者 王芳 李志国 韩党辉 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期115-119,共5页
在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是... 在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素 ,而不是单纯受粒径大小的影响 .分析和讨论了 CMP工艺中的几个影响因素 ,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等 .采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗 ,表面颗粒数优于国际 SEMI标准 。 展开更多
关键词 硅衬底 化学机械抛光(CMP) ULSI 纳米研磨料 动力学过程
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一种高性能CMOS带隙电压基准源设计 被引量：25
15
作者 朱樟明 杨银堂 +1 位作者 刘帘曦 朱磊 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期542-546,共5页
采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运... 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm. 展开更多
关键词 CMOS 带隙电压基准源 二次分压 温度补偿
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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征 被引量：25
16
作者 季振国 宋永梁 +3 位作者 杨成兴 刘坤 王超 叶志镇 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期52-55,共4页
采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光... 采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光谱分析了经过 5 0 0～ 70 0℃热处理获得的 Zn O薄膜 ,结果表明 Zn O薄膜在室温下有较强的紫外带边发射 ,但当热处理温度高于 70 0℃时 。 展开更多
关键词 Zn0薄膜 光致发光 溶胶-凝胶法 旋涂
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多晶硅薄膜应力特性研究 被引量：25
17
作者 张国炳 郝一龙 +3 位作者 田大宇 刘诗美 王铁松 武国英 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期463-467,共5页
本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征... 本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求． 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 VLSI LPCVD 制备 应力特性
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半导体温差发电器性能的优化分析 被引量：26
18
作者 陈金灿 严子浚 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期123-129,共7页
本文应用有限时间热力学理论分析半导体温差发电器的优化性能，导出在导热、热漏和焦耳热三种主要不可逆因素影响下发电器的输出功率和效率，由此讨论了发电器的性能与其半导体材料、元件结构以及负载电阻等之间的关系，获得一系列重要... 本文应用有限时间热力学理论分析半导体温差发电器的优化性能，导出在导热、热漏和焦耳热三种主要不可逆因素影响下发电器的输出功率和效率，由此讨论了发电器的性能与其半导体材料、元件结构以及负载电阻等之间的关系，获得一系列重要结论，它对如何合理地选择发电器的负载电阻和优化半导体元件等提供了一些新的理论依据． 展开更多
关键词 温差发电器 温差电器件 半导体材料
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射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光 被引量：19
19
作者 王卿璞 张德恒 薛忠营 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期157-161,共5页
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;... 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频磁控溅射 SI衬底 光致发光
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一种DC-DC开关电源片上软启动电路 被引量：23
20
作者 李演明 来新泉 +2 位作者 袁冰 叶强 贾新章 《journal of semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1210-1215,共6页
提出了一种基于DAC(digital-to-analog converter)控制的数字软启动电路,利用DAC控制和软启动电压检测技术,有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中产生的浪涌电流和输出电压过冲,实现了输出电压从零到调整值的平坦上升.在启动完成后启动电... 提出了一种基于DAC(digital-to-analog converter)控制的数字软启动电路,利用DAC控制和软启动电压检测技术,有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中产生的浪涌电流和输出电压过冲,实现了输出电压从零到调整值的平坦上升.在启动完成后启动电路的偏置电流被彻底关断,实现了低功耗设计.该软启动电路采用CMOS器件设计,无需任何外围元件,便于被DC-DC开关电源集成.该电路已成功集成到一款Buck型PWM(pulse width modulation)控制器当中,测试结果表明:在整个负载范围内,DC-DC在启动过程中电感电流平稳变化,输出电压平滑上升、无过冲,启动时间控制在1.2ms. 展开更多
关键词 软启动 DC-DC开关电源 浪涌电流 过冲
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