一种基于SOC低压低功耗带隙电压源

1

作者 陈峰 王志 +1 位作者 林鑫 苏平 《电子世界》 2016年第24期17-18,共2页

在模拟电路中,基准电压源为电路里其他模块提供精确、稳定的电压基准偏置或者由其转化而来的电流基准偏置,基准电压源的性能往往直接影响到整个系统的精度和性能,随着集成电路特征尺寸的不断缩小以及SOC在便携产品中应用的迅猛发展,SOC... 在模拟电路中,基准电压源为电路里其他模块提供精确、稳定的电压基准偏置或者由其转化而来的电流基准偏置,基准电压源的性能往往直接影响到整个系统的精度和性能,随着集成电路特征尺寸的不断缩小以及SOC在便携产品中应用的迅猛发展,SOC设计不可避免地朝着低压和低功耗的目标前进。本作品采用了自偏置结构,使用华润上华0.18um工艺,在-45℃-120℃温度范围内进行仿真,本作品温度系数为6.6ppm/℃,在1kHz带宽内电源抑制比为46dB,功耗极低,版图面积仅有0.0003。 展开更多

关键词 带隙电压源 低压低功耗 温度系数 面积小 自偏置

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薄栅氧化层的TDDB研究 被引量：3

2

作者 王晓泉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第6期12-15,20,共5页

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文重点介绍了TDDB的几种主要击穿模型和机理,比较了软击穿和硬击穿过程的联系与区别,并... 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文重点介绍了TDDB的几种主要击穿模型和机理,比较了软击穿和硬击穿过程的联系与区别,并初步分析了TDDB与测试电场、温度以及氧化层厚度的关系。 展开更多

关键词 薄栅氧化层 TDDB 薄栅氧化层 绝缘击穿 可靠性 超大规模集成电路

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VLSI容错设计研究进展(1)——缺陷的分布模型及容错设计的关键技术 被引量：2

3

作者 郝跃 赵天绪 易婷 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 1999年第1期20-32,共13页

随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，芯片的成品率逐渐下降，为了保证合理的成品率，人们将容错技术结合入了集成电路。文中首先概述了缺陷及其分布，然后概述了容错技术，并详细地叙述了动态容错技术中的两个关键问题：故障诊断及... 随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强，芯片的成品率逐渐下降，为了保证合理的成品率，人们将容错技术结合入了集成电路。文中首先概述了缺陷及其分布，然后概述了容错技术，并详细地叙述了动态容错技术中的两个关键问题：故障诊断及冗余单元的分配问题。 展开更多

关键词 缺陷 故障诊断 容错技术 冗余单元 VLSI 设计

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反馈控制隔振体的试验研究

4

作者 姜俊平 《LSI制造与测试》 1996年第5期10-14,共5页

关键词 集成电路 LSI 试验 反馈控制 隔振体系

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预估VLSI器件可靠性的一种方法—失效机理串联模型法

5

作者 Frost,DF 郑鹏洲 《电子产品可靠性与环境试验》 1990年第2期30-37,共8页

关键词 VLSI器件 可靠性 串联模型法

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VLSI气密性检测技术 被引量：1

6

作者 肖汉武 《微电子技术》 1996年第5期37-40,共4页

关键词 VLSI 气密性 检测 可靠性

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VLSI测试技术的动向

7

作者 须滕常太 肖虹 《电子产品可靠性与环境试验》 1993年第1期58-62,共5页

关键词 VLSI 集成电路 测试

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国内外电子元器件失效分析新技术及其采用的仪器设备 被引量：3

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作者 费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第3期57-59,共3页

1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米数量级并有可能继续减小。由于每芯片元件数的急剧增加,线宽和元件尺寸的大幅度减小,主要失效机理也发生了根... 1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米数量级并有可能继续减小。由于每芯片元件数的急剧增加,线宽和元件尺寸的大幅度减小,主要失效机理也发生了根本性的变化。分立晶体管和中小规模集成电路的主要失效机理为:引线键合缺陷、封装缺陷、钠离子沾污、氧化层针孔和金属半导体接触退化等,而大规模和超大规模集成电路的主要失效机理为:金属化引线电迁移、介质击穿、热载流子注入、ESD损伤和软失效等。 展开更多

关键词 电子元器件 失效分析 VLSI 测试

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关于超大规模集成电路老化的现实考虑

9

作者 Hant.,ER 铨方 《微电子测试》 1990年第2期36-47,共12页

关键词 VLSI 老化 可靠性 测试

全文增补中

存储器和超大规模集成电路可靠性预计新方法

10

作者 莫郁薇 《电子产品可靠性与环境试验》 1993年第4期24-30,20,共8页

关键词 ULSI 集成电路 存储器 可靠性

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容错VLSI的可靠性分析模型及其应用

11

作者 陈湛 廖国宁 童勤义 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第6期36-39,共4页

本文提出了一级和多级容错系统的可靠性分析模型,并讨论了该模型在容错算法的评价、容错资源的分配、容错 VLSI 可靠性综合等方面的应用。

关键词 VLSI 容错 可靠性 集成电路 模型

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电迁移加速寿命试验和可靠性寿命分布软件设计

12

作者 顾梦茜 袁建星 《上海半导体》 1993年第1期18-25,共8页

关键词 ULSI 集成电路 多层布线 可靠性

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基于遗传算法的PCB互连测试矢量集优化初探 被引量：2

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作者 卢静 周娅 郭学仁 《桂林电子工业学院学报》 2000年第3期41-44,共4页

测试矢量生成是 PCB互连测试的关键环节 ,它对整个 PCB测试过程有着重要意义。本文就基于遗传算法的 PCB互连测试矢量集优化讨论了编码策略、目标函数等问题 ,提出了几种遗传算子的改进方案 ,得出一种高效的遗传算法。实验数据证明该方... 测试矢量生成是 PCB互连测试的关键环节 ,它对整个 PCB测试过程有着重要意义。本文就基于遗传算法的 PCB互连测试矢量集优化讨论了编码策略、目标函数等问题 ,提出了几种遗传算子的改进方案 ,得出一种高效的遗传算法。实验数据证明该方法是有效的。 展开更多

关键词 遗传算法 VLSI 优化 PCB 互连 测试矢量集

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VLSI可靠性面临挑战——从器件物理性质到圆片规模系统

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作者 蔡少英 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第2期66-67,共2页

在VLSI技术中,每块芯片有1亿块到10亿块晶体管,VLSI有非常高的速度和复杂的加工手段,从而把生产技术推向实际的极点。为了满足极低失效率的设计目标,出现了单圆片加工、工具组合和自动化的提高。如果生产方法要满足这些需要,就必须了解... 在VLSI技术中,每块芯片有1亿块到10亿块晶体管,VLSI有非常高的速度和复杂的加工手段,从而把生产技术推向实际的极点。为了满足极低失效率的设计目标,出现了单圆片加工、工具组合和自动化的提高。如果生产方法要满足这些需要,就必须了解不同失效机理的物理特性。在获取高可靠性方面,日本和美国的生产方法不太一样。在日本,对质量的期望和竞争的压力产生了一种用户应得到高可靠性的文化环境,用户的要求迫使厂家研制出内建可靠性的生产过程。因而质量控制管理观念得到了广泛接受(设计人员和组装工人一同合作,减少生产缺陷),设计者在设计中则坚持降低对供应和生产变量敏感度的设计思想。 展开更多

关键词 VLSI 可靠性

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一种新的失效分析技术——光辐射检测技术 被引量：1

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作者 恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第4期45-49,共5页

光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、金属化系统退化等,... 光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位、区分失效机理,还可以进行光谱分析.这项技术可用来研究器件的PN结退化、寄生晶体管效应、热电子退化、I/O保护电路中的ESD效应、介质层漏电和击穿退化、金属化系统退化等,具有灵敏度高、非接触、非破坏的特点.本文对光辐射检测技术及其在器件失效分析方面的应用情况作了一个全面的介绍. 展开更多

关键词 光辐射显微镜 VLSI器件 失效分析 可靠性

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VLSI工艺可靠性评价方法

16

作者 肖金生 孔学东 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第3期7-9,共3页

引言 针对集成电路成品的传统试验方法只能评价某一具体型号集成电路的可靠性,对其它型号集成电路可靠性的评价,即使工艺相同,也必须重复类似的试验,随着VLSI的迅速发展,在技术、时间和经济上,采用成品试验的方法遇到很大障碍。本文研... 引言 针对集成电路成品的传统试验方法只能评价某一具体型号集成电路的可靠性,对其它型号集成电路可靠性的评价,即使工艺相同,也必须重复类似的试验,随着VLSI的迅速发展,在技术、时间和经济上,采用成品试验的方法遇到很大障碍。本文研究了一种新的方法——VLSI工艺可靠性评价方法。它是对合格产品表的发展。其出发点是:对某一工艺,只要通过了严格的可靠性评价,则采用该工艺制造的各种型号的集成电路也相应通过了可靠性评价。该方法包括下述四方面的内容。 展开更多

关键词 VLSI 集成电路 工艺 可靠性 评价

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VLSI成品率预测与仿真 被引量：6

17

作者 郝跃 林锐 马佩军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期55-58,共4页

本文建立ＩＣ光刻工艺相关缺陷计算模型和基于ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ统计成品率计算模型．阐述了集成电路功能成品率仿真系统ＸＤＹＥＳ实现，讨论了应用ＸＤＹＥＳ实现功能成品率设计，并给出该系统实用性验证．研究分析表明，其结... 本文建立ＩＣ光刻工艺相关缺陷计算模型和基于ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ统计成品率计算模型．阐述了集成电路功能成品率仿真系统ＸＤＹＥＳ实现，讨论了应用ＸＤＹＥＳ实现功能成品率设计，并给出该系统实用性验证．研究分析表明，其结果与实际结果符合很好． 展开更多

关键词 功能成品率 预测 仿真 VLSI

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低压低功耗集成电路: SOI技术的新机遇

18

作者 张兴 王阳元 《电子科技导报》 1998年第12期13-15,23,共4页

就热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅ＣＭＯＳ器件进行比较。并阐述薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术是低压低功耗集成电路的理想技术。

关键词 低压低功耗 SOI 体硅 CMOS ULSI

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VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟

19

作者 杨谟华 方朋 《电子科技导报》 1998年第12期19-23,共5页

论述了ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性的监测与模拟领域的技术背景、研究特点、技术进展与现代监测分析技术，并进而讨论了ＶＬＳＩ可靠性工程技术发展趋势。

关键词 VLSI/ULSI 可靠性 监测 模拟 BERT 寿命 失效率

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VLSI金属化互连可靠性的快速评价技术

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作者 焦慧芳 章晓文 +4 位作者 孔学东 孙青 吴文章 扬文 徐征 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期75-81,共7页

深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法 ( SWEAT试验方法 )的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等 ,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将该方法应用到生产实际 ,为工艺可靠性监测、研究电迁移失... 深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法 ( SWEAT试验方法 )的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等 ,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将该方法应用到生产实际 ,为工艺可靠性监测、研究电迁移失效机理与关键工艺的相关关系提供了有效手段。 展开更多

关键词 VLSI 金属化互连 集成电路 可靠性

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