离子注入层少子寿命空间分布的测量

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作者 黄庆安 史保华 +1 位作者 顾英 张德胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期194-198,共5页

本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了饱和电容法测量非均匀掺杂MOS电容少子产生寿命空间分布的方法.该方法的优点是测量与计算简单.

关键词 离子注入层 少子寿命 测量 分布

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用白光退火研究VLSI浅结工艺

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作者 张通和 李国辉 +4 位作者 罗晏 吴瑜光 阎凤章 王文勋 贺令渝 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第9期523-529,共7页

研究了砷注入硅和砷通过SiO_2层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6μm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜(TEM)观察了晶格损伤退火恢复过程,以及高密度缺陷演变过程,发现增加退火时间和靶加热注入均可大大降低注入层剩余缺陷密... 研究了砷注入硅和砷通过SiO_2层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6μm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜(TEM)观察了晶格损伤退火恢复过程,以及高密度缺陷演变过程,发现增加退火时间和靶加热注入均可大大降低注入层剩余缺陷密度。还研究了增强扩散效应,结果发现,随注入束流密度的增加,增强扩散系数明显增大。给出了As扩散系数与注入条件和退火条件的关系。进一步研究了注入及退火条件对PN结漏电流的影响。确定了如何将PN结建立在离子注入损伤区之外的条件。 展开更多

关键词 超大规模 集成电路 退火 离子注入

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灯光退火装置及其均匀性

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作者 朱景兵 邬建根 屈逢源 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期374-378,共5页

设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.... 设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.此装置能快速、均匀、有效地对半导体中由于离子注入造成的晶格损伤进行退火,并能用于其他半导体热处理工艺. 展开更多

关键词 集成电路 离子注入 灯光退火装置

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适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS

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作者 徐晨曦 阮刚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期14-19,共6页

本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模... 本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较,表明FUTIS在精度上有明显改进,在功能上有很大扩展,是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。 展开更多

关键词 VLSI FUTIS 离子注入 模拟器

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重掺多晶氧化法LDD-CMOS高性能电路的优化设计与研制

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作者 徐大林 李荫波 +1 位作者 王方 黄敞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期145-153,共9页

对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化设计,获得了优化参数.综合优化设计的工艺条件和参数,成功地... 对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化设计,获得了优化参数.综合优化设计的工艺条件和参数,成功地应用于亚微米NMOSFET,1μm沟道长的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的CMOS 21级环振和2.5μm沟道长的LSI CMOS IC,性能优良,高速,稳定,可靠. 展开更多

关键词 LDD-CMOS 电路设计 掺多晶氧化法

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甚大规模集成电路制造中的离子注入技术 被引量：5

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作者 程玉华 王阳元 《微细加工技术》 1991年第3期50-57,64,共9页

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的... 本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。 展开更多

关键词 集成电路 制造 离子注入 VLSI

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深冷真空泵机组

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作者 陶世宏 《LSI制造与测试》 1990年第3期31-36,共6页

关键词 LSI 设备 真空泵机组 深冷

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浅结及低浓度掺杂区显示法研究

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作者 陈娟英 杨丽芳 《微电子技术》 1997年第5期34-38,共5页

关键词 半导体 VLSI 浅结 掺杂 显示法

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几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究

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作者 牛国富 阮刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第12期721-728,共8页

本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本... 本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。 展开更多

关键词 VLSI 集成电路 离子注入 工艺

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用于ULSI制造的等离子体浸没离子注入反应装置

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作者 X.Y.Qian 孙洪涛 《微细加工技术》 1991年第4期60-63,共4页

一台用于集成电路制造的等离子体浸没离子注入反应装置(PⅢ:Plasma Immersion Ion Implantation)已研制成功。用此系统,实现了惰性气体等离子体金属吸杂、用SiF_4等离子体使样品预非晶化然后用BF_3等离子体掺杂形成亚-100nmP^+/N结、沟... 一台用于集成电路制造的等离子体浸没离子注入反应装置(PⅢ:Plasma Immersion Ion Implantation)已研制成功。用此系统,实现了惰性气体等离子体金属吸杂、用SiF_4等离子体使样品预非晶化然后用BF_3等离子体掺杂形成亚-100nmP^+/N结、沟道保角P^+掺杂以及选择性铜无电镀Pd离子活化注入。 PⅢ系统由电子回旋共振等离子体源、带晶片偏压电源的处理室、带偏压电源的溅射靶、气体处理和等离子体诊断部件组成。本文将介绍该装置及等离子体特性和反应装置的性能。 展开更多

关键词 离子注入 等离子体浸没 反应装置

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兆电子伏离子注入机“RFQ—1000”及其应用

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作者 Akira Hirakimoto Hiroaki Nakanishi +1 位作者 Masatoshi Asari 郭静堤 《微细加工技术》 1991年第4期75-82,共8页

目前,先进的VLSI器件要求提高器件开关速度,提高抗噪音能力,并要求把芯片尺寸减至最小。最近,在VLSI制造领域,兆电子伏(以下简称MeV)离子注入引起了人们极大的注意,因为对于VLSI制造提出的要求,预计它是最可行的解决办法之一。为了实现... 目前,先进的VLSI器件要求提高器件开关速度,提高抗噪音能力,并要求把芯片尺寸减至最小。最近,在VLSI制造领域,兆电子伏(以下简称MeV)离子注入引起了人们极大的注意,因为对于VLSI制造提出的要求,预计它是最可行的解决办法之一。为了实现这种可能性,第一次在离子注入领域中采用了RFQ(射频四极透镜)加速器,并且已经研制成功一台“RFQ—1000”MeV离子注入机。首先,本文将简要地介绍这种注入机研制的基本情况,重点则放在介绍RFQ上。其次是概括性地给出系统结构和特征。接下来是介绍注入机的详细性能,如束流的大小,能量的可变范围,剂量的均匀性,尘粒性能等等。然后,把着眼点放在应用上,简要地评述了MeV离子注入在器件制造中应用的目前状况。最后展望了这种注入机今后在化合物半导体和对材料表面改性方面应用的前景。 展开更多

关键词 离子注入机 兆电子伏 VLSI 制造

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离子注入后快速退火晶格恢复的研究

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作者 张通和 吴瑜光 +1 位作者 罗晏 李晓明 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第3期42-44,共3页

80keV As^+注入Si其剂量达5×10^(15)cm^(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相变和缺陷的演变过程,从而得到了最佳退火条件。并用扩展电... 80keV As^+注入Si其剂量达5×10^(15)cm^(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相变和缺陷的演变过程,从而得到了最佳退火条件。并用扩展电阻仪测量了砷杂质的电激活过程。 展开更多

关键词 离子注入 晶格恢复 退火 VLSI 浅结

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