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复合结构半导体电极GaAsGa_(1-x)Al_xAs在光电池中应用初探
1
作者 王宇婷 孟腾 +1 位作者 李雯 韩志慧 《河南教育学院学报（自然科学版）》 1999年第2期52-53,共2页
与电解液接触的半导体材料上所进行的光电化学过程,在能源方面可获实际应用。但在对光电池的研究中发现:采用任何一种单一的半导体材料作光阳极进行光能转换,都存在转换效率低的缺点。为此我们提出“复合结构模型”,认为采用复合半导体... 与电解液接触的半导体材料上所进行的光电化学过程,在能源方面可获实际应用。但在对光电池的研究中发现:采用任何一种单一的半导体材料作光阳极进行光能转换,都存在转换效率低的缺点。为此我们提出“复合结构模型”,认为采用复合半导体材料,可以覆盖更大频率范围内的太阳光谱,从而提高太阳能的转换效率。综合光响应曲线、晶体结构、带隙连续性以及制作工艺等各方面的原因,我们选用GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs复合结构电极作为光阳极,借助于电化学研究方法,进行了一系列实验。 展开更多
关键词 复合结构 半导体 光电极 光电池 砷化镓 GAALAS
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cdSe_xTe_(1-x)薄膜电极光溶解性能的研究
2
作者 张志伟 肖绪瑞 孙璧媃 《感光科学与光化学》 CSCD 1990年第2期113-120,共8页
用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_(1-x)薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影... 用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_(1-x)薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。 展开更多
关键词 光溶解 薄膜电极 PEC电池 循环伏安
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GdSe涂层(CdSe/Ni)的烧结工艺对半导体隔膜电极(SnO_2·P/CdSe/Ni)性能的影响
3
作者 孙雪梅 谭成雷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期479-481,共3页
通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后... 通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后的ＧｄＳｅ粉体涂层的结晶形态、膜层的致密均匀性以及结晶粒度的尺寸等均与烧结的工艺条件密切相关。将涂在Ｎｉ箔上的ＧｄＳｅ粉体膜层置于氩气氛中，在缓慢升降温的条件下，于４５０～５００℃温度下恒温２ｈ的多次重复烧结，可以获得表面平整致密、在衬底Ｎｉ箔上附着力强的ＧｄＳｅ多晶膜层，以下称ＣｄＳｅ／Ｎｉ为烧结体。将烧结体应用于半导体隔膜电极（（ＳｎＯ２·Ｐ／ＣｄＳｅ／Ｎｉ）中，可有效地改善半导体隔膜电化学伏打电池（ＳＣ－ＳＥＰ电池）的光电化学特性。 展开更多
关键词 硒化镉 烧结工艺 半导体隔膜 光电池 电极
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