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真空溅射制备PZT铁电薄膜
1
作者 曾祥斌 白铁城 徐重阳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第4期32-33,36,共3页
采用射频溅射法制备了PZT铁电薄膜材料,测量了薄膜材料的介电常数和电滞回线,分析了薄膜的成分。XRD分析结果表明,溅射形成的PZT薄膜的结构和铁电性能强烈依赖于成膜工艺中的衬底温度。薄膜的居里点为250℃左右,靶的组... 采用射频溅射法制备了PZT铁电薄膜材料,测量了薄膜材料的介电常数和电滞回线,分析了薄膜的成分。XRD分析结果表明,溅射形成的PZT薄膜的结构和铁电性能强烈依赖于成膜工艺中的衬底温度。薄膜的居里点为250℃左右,靶的组成以Pb1.10(Zr0.52Ti0.48)O3为宜。 展开更多
关键词 PZT薄膜 真空溅 FRAM 电滞回线 铁电薄膜
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新型压电材料—弛豫铁电体单晶的研究 被引量:11
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作者 罗豪■ 沈关顺 +2 位作者 王评初 乐秀宏 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期768-768,共1页
A cost-effective crystal growth method was studied to fabricate the relaxor ferroelectric single crystal of lead magnesium niobate -lead titanate (PMN-PT). The crystal of PMN-PT, 7mm in diameter was prepared, and its ... A cost-effective crystal growth method was studied to fabricate the relaxor ferroelectric single crystal of lead magnesium niobate -lead titanate (PMN-PT). The crystal of PMN-PT, 7mm in diameter was prepared, and its dielectric and piezoelectric properties measured are as follows:Tc ~170’℃ Ec~340V/mm, ε~3500 (25℃ and 1kHz), and d33 ~1040pC/N. 展开更多
关键词 铌镁酸铅 钛酸铅 压电材料 弛豫铁电体 铁电晶体
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镧钛酸铅铁电薄膜成膜机理探讨 被引量:3
3
作者 吴小清 任巍 +1 位作者 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第6期402-407,共6页
采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜进行了热处理,用扫描电镜对不同热处理工艺和不同厚度的PLT薄膜的形貌进行了分析。结果表明,快速热处理工艺有利于活性高,较薄膜层的结晶和... 采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜进行了热处理,用扫描电镜对不同热处理工艺和不同厚度的PLT薄膜的形貌进行了分析。结果表明,快速热处理工艺有利于活性高,较薄膜层的结晶和致密化反应;PLT薄膜在传统和快速热处理过程中的形成过程与蒸发和溅射薄膜的核生长型薄膜的形成过程相似,薄膜的形成经历了岛状-网状-连续的过程,即随层数的增加,薄膜逐渐从不连续转变为连续,而热处理工艺只影响形成连续薄膜的厚度。 展开更多
关键词 镧钛酸铅 铁电薄膜 热处理工艺 薄膜形成过程
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O^+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究
4
作者 曾建明 林成鲁 郑立荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第3期214-218,共5页
研究了H+注入对SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响,并与含氢气氛退火作了比较,进而研究了O+注入对SBT铁电薄膜电学性质的影响。发现室温O+注入,由于较严重的晶格损伤的存在,SBT铁电薄... 研究了H+注入对SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响,并与含氢气氛退火作了比较,进而研究了O+注入对SBT铁电薄膜电学性质的影响。发现室温O+注入,由于较严重的晶格损伤的存在,SBT铁电薄膜的电学性能退化严重,而热靶O+注入有助于克服氢对SBT铁电薄膜的影响。 展开更多
关键词 集成铁电 离子注入 铁电薄膜 热靶注入
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电化学还原法制备PZT薄膜 被引量:2
5
作者 谢崇伟 朱嘉林 +1 位作者 虎志明 吴兴慧 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第4期265-267,272,共4页
以Pb(NO3)2、TiCl3为电解质,利用电化学还原方法在不锈钢基底上制备了钙钛矿型PZT薄膜(Pb/Zr+Ti=1.07,Zr/Ti=52/48),并对薄膜样品性能进行了测试,其介电系数接近1300,介质损耗0.... 以Pb(NO3)2、TiCl3为电解质,利用电化学还原方法在不锈钢基底上制备了钙钛矿型PZT薄膜(Pb/Zr+Ti=1.07,Zr/Ti=52/48),并对薄膜样品性能进行了测试,其介电系数接近1300,介质损耗0.6,剩余极化强度12μC/cm2,矫顽场强63kV/cm。 展开更多
关键词 电化学还原法 铁电薄膜 PZT
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铁电薄膜:理论与应用
6
作者 刘卫国 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1991年第3期25-31,共7页
本文评述了铁电薄膜的制备力法;对铁电薄膜的理论研究成果作了概括的讨论,重点讨论表面层与膜层内应力对薄膜铁电行为的影响;文中介绍了铁电薄膜在存储、发光、显示及探测等方面的应用;最后简要地指出了铁电薄膜的理论与应用研究的前景。
关键词 铁电薄膜 制备 溅射 SOL-GEL法
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溶胶-凝胶法制备PbTiO_3基铁电陶瓷的高频晶粒尺寸效应 被引量:4
7
作者 赵鹏 姚熹 +2 位作者 翟继卫 张德生 张良莹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期169-172,共4页
首次报道了溶胶 -凝胶法制备钛酸铅基铁电陶瓷的晶粒尺寸对其高频介电性能的影响 .实验研究表明 ,铁电陶瓷的高频介电弛豫主要是由材料内部的畴壁共振引起的 .晶粒尺寸增加 ,畴壁尺寸增大 ,介电弛豫向低频移动 ;反之 ,晶粒尺寸减小 ,畴... 首次报道了溶胶 -凝胶法制备钛酸铅基铁电陶瓷的晶粒尺寸对其高频介电性能的影响 .实验研究表明 ,铁电陶瓷的高频介电弛豫主要是由材料内部的畴壁共振引起的 .晶粒尺寸增加 ,畴壁尺寸增大 ,介电弛豫向低频移动 ;反之 ,晶粒尺寸减小 ,畴壁尺寸变小 ,介电弛豫向高频移动 . 展开更多
关键词 钛酸铅陶瓷 溶胶-凝胶 铁电陶瓷 高频 晶粒尺寸
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弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅研究前沿
8
作者 张锐 孙恩伟 +2 位作者 李秀明 王竹 项阳 《大庆师范学院学报》 2009年第6期86-89,共4页
弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅[(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)]具有非常优异的机电性能,吸引了诸多科研领域的学者,从基础理论与实际应用等方面开展了研究工作。该文从PMN-xPT单晶的准同型相界、全矩阵宏观机电系数、光学与声... 弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅[(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)]具有非常优异的机电性能,吸引了诸多科研领域的学者,从基础理论与实际应用等方面开展了研究工作。该文从PMN-xPT单晶的准同型相界、全矩阵宏观机电系数、光学与声学性能等方面,系统评述了此体系铁电材料相较于传统铁电材料的特色,介绍了PMN-xPT单晶在国内外相关研究领域的研究进展及发展方向。理论计算与实验结果表明,PMN-xPT单晶有望极大地提高医学超声波换能器、水声换能器、声表面波机电器件等的频带宽度、灵敏度及图像分辨率等性能。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 PMN—xPT 机电系数 电光系数 声导波
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快速退火Sol-Gel PZT铁电薄膜的性能研究 被引量:2
9
作者 李坤 李金华 +5 位作者 朱毅青 周锋 陈汉松 罗志伟 汤国英 陈王丽华 《江苏石油化工学院学报》 1997年第3期28-32,共5页
报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料,用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,经多次旋转涂膜,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火(RTA)作薄膜的热解和结晶热处理,制备了以(100)取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射... 报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料,用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,经多次旋转涂膜,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火(RTA)作薄膜的热解和结晶热处理,制备了以(100)取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射(XRD)和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明,经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。 展开更多
关键词 PZT薄膜 快速退火 铁电薄膜 溶胶凝胶法 退火
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BaTiO_3铁电薄膜的原子层水平外延生长
10
作者 王会生 马昆 +8 位作者 刘彦巍 彭志强 刘维 崔大复 吕惠宾 周岳亮 陈正豪 李林 杨国桢 《中国科学(A辑)》 CSCD 1997年第1期54-59,共6页
利用激光分子束外延镀膜设备,实现了原子层水平BaTiO_3(BTO)薄膜的外延生长.高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜和透射电子显微镜(TEM)等研究结果表明,薄膜的结构为c-取向单相BTO铁电薄膜,表面非常平整。在此基础上... 利用激光分子束外延镀膜设备,实现了原子层水平BaTiO_3(BTO)薄膜的外延生长.高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜和透射电子显微镜(TEM)等研究结果表明,薄膜的结构为c-取向单相BTO铁电薄膜,表面非常平整。在此基础上制备了铁电/超导多层异质结构.研究了BTO薄膜的铁电性质。结果表明用激光分子束外延方法有利于改进BTO薄膜的质量,提高薄膜器件的性能。 展开更多
关键词 激光分子束外延 钛酸钡 铁电薄膜 外延生长
原文传递
用金属有机化合物制备铁电薄膜:工艺及进展 被引量:3
11
作者 包定华 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期33-37,共5页
本文概述了以金属有机化合物为原料制备铁电薄膜的工艺过程、工艺特点及最新研究进展,着重介绍了金属有机物化学气相淀积(MO CVD),金属有机物热分解(MOD)以及溶胶——凝胶(Sol—Gel)三种制备技术在铁电薄膜制备领域中的应用.
关键词 金属有机化合物 铁电薄膜
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Sol-Gel法制备PZT薄膜及其抗疲劳性能研究进展 被引量:4
12
作者 刘大格 张洪喜 +2 位作者 王中 蔡伟 赵连城 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第4期276-282,共7页
综述了Sol-Gel法制备PZT系列铁电薄膜各种因素对薄膜微结构及性能的影响,分析了铁电薄膜极化疲劳微观机制,提出了优化的工艺条件及极化疲劳改善方法。
关键词 PZT 铁电薄膜 SOL-GEL法 疲劳
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弛豫型铁电体PZNT制备与性能研究的进展 被引量:9
13
作者 许桂生 罗豪 +2 位作者 齐振一 徐海清 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-11,共11页
本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展.PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主,其尺寸已达40mm.随PT含量的变化,PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变;其铁电-铁电... 本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展.PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主,其尺寸已达40mm.随PT含量的变化,PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变;其铁电-铁电相变可由组份或电场诱导,由介电性能表征.压电性能在MPB处及偏向三方相一侧达到最佳,<001>切向的三方相与四方相单晶可分别作为频带宽、分辨率高、且阻抗匹配好的新一代声阵列与单个器件传感器.<001>向的PZNT单晶具有巨大的电致伸缩应变,可望成为高性能的固体驱动器. 展开更多
关键词 PZNT 单晶 压电性 电致伸缩应变 铁电体 驰豫型
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弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅的工程畴结构研究
14
作者 张锐 项阳 李秀明 《大庆师范学院学报》 2011年第3期84-87,共4页
综述了目前对铁电晶体畴结构进行观测的主要技术方法,及国内外相关研究单位对新型弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅[(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)]的工程畴结构的研究进展。以往的研究表明,该类单晶的机电性能与其工程畴结构之... 综述了目前对铁电晶体畴结构进行观测的主要技术方法,及国内外相关研究单位对新型弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅[(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)]的工程畴结构的研究进展。以往的研究表明,该类单晶的机电性能与其工程畴结构之间存在着密不可分的关系,这些研究结果对阐明PMN-xPT单晶在不同极化方向与工程畴结构状态下,其优异机电性能的起源机制与发生规律,进而指导剪切波换能器、垂直极化方向的大应变驱动器等电机器件的设计与制作,具有重要的理论意义与实际应用价值。 展开更多
关键词 铁电学 单晶体 畴结构 极化 机电性能
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溶胶-凝胶制备铁电材料(Sr_(0.5)Ba_(0.5-x)-Pb_x)TiO_3微粉及其表征 被引量:4
15
作者 孔令兵 张良莹 姚熹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期146-149,共4页
采用溶胶-凝胶工艺制备了(Sro.5Ba_(0.5-x)Pb_x)TiO_3微粉(其中x=0.10~0.30)。采用差热分析考察了凝胶粉的分解、反应及析晶过程,并借助XRD分析了凝胶经不同温度热处理后的物相组成,并计... 采用溶胶-凝胶工艺制备了(Sro.5Ba_(0.5-x)Pb_x)TiO_3微粉(其中x=0.10~0.30)。采用差热分析考察了凝胶粉的分解、反应及析晶过程,并借助XRD分析了凝胶经不同温度热处理后的物相组成,并计算出材料晶格常数随组分的变化关系,测量了材料的密度及介电-温度特性。 展开更多
关键词 铁电材料 溶胶-凝胶 微粉
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铌镁(锌)酸铅-钛酸铅弛豫铁电单晶研究进展
16
作者 吴广涛 李秀明 崔海瑛 《大庆师范学院学报》 2015年第3期51-53,共3页
在最近十几年中,新型弛豫型铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅和铌锌酸铅-钛酸铅受到了广泛的关注。这是由于这种新型的弛豫型铁电单晶和传统的压电材料相比较,在准同型相界附近表现出良好的压电、介电与电致伸缩性能。文章介绍了铌镁(锌)酸铅-... 在最近十几年中,新型弛豫型铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅和铌锌酸铅-钛酸铅受到了广泛的关注。这是由于这种新型的弛豫型铁电单晶和传统的压电材料相比较,在准同型相界附近表现出良好的压电、介电与电致伸缩性能。文章介绍了铌镁(锌)酸铅-钛酸铅系列单晶的基本性质,国内外在该晶体制备及晶体性能相关领域的研究进展。 展开更多
关键词 铁电单晶 铌镁酸铅-钛酸铅 铌锌酸铅-钛酸铅
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溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响 被引量:7
17
作者 曾晟 丁爱丽 +2 位作者 仇萍荪 何夕云 罗维根 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期107-113,共7页
采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底... 采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6μC/cm2,Ec=82.gkV/cm. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 铁电薄膜 钙钛矿相 PZT 相变
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脉冲准分子激光制备PCLT热释电薄膜 被引量:4
18
作者 郑立荣 杨平雄 +1 位作者 林成鲁 邹世昌 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期473-476,共4页
采用脉冲激光沉积的方法,在Pt/SiO_2/Si衬底上制备了掺Ca的(Pb,La)TiO_3薄膜。薄膜呈多晶结构,具有较好的铁电性和热释电性。由于掺Ca的作用,使薄膜的材料探测优值和电压响应优值几乎与单晶MgO衬底上的c轴取向的PbTiO_3或(Ph,La)TiO_3... 采用脉冲激光沉积的方法,在Pt/SiO_2/Si衬底上制备了掺Ca的(Pb,La)TiO_3薄膜。薄膜呈多晶结构,具有较好的铁电性和热释电性。由于掺Ca的作用,使薄膜的材料探测优值和电压响应优值几乎与单晶MgO衬底上的c轴取向的PbTiO_3或(Ph,La)TiO_3薄膜相比拟。这些较好的实验结果是在硅基衬底上的铁电薄膜中获得的,因而对研制单片集成的红外热释电阵列将有一定的意义。 展开更多
关键词 PCLT 脉冲激光沉积 铁电薄膜 热释电
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