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Si-PIN与CdTe探测器应用于X射线荧光能谱测量的研究 被引量:2
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作者 胡传皓 曾国强 +5 位作者 葛良全 喻明福 魏世龙 张开琪 杨剑 陈川 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期262-266,共5页
半导体探测器具有优异的性能因而被广泛应用于能量色散X射线荧光测量,以传统型Si-PIN半导体探测器与复合型CdTe半导体探测器为研究对象,分别从材料属性、探测效率、能量分辨率等方面对两种探测器进行对比,重点分析探测器灵敏区厚度、入... 半导体探测器具有优异的性能因而被广泛应用于能量色散X射线荧光测量,以传统型Si-PIN半导体探测器与复合型CdTe半导体探测器为研究对象,分别从材料属性、探测效率、能量分辨率等方面对两种探测器进行对比,重点分析探测器灵敏区厚度、入射X射线能量、后级电路成型时间等因素对其性能的影响,并对由逃逸峰、空穴拖尾效应所导致的X射线荧光能谱的差异进行分析;同时,针对探测器空穴收集不完全的问题,基于FPGA设计了带有上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器,能够有效消除空穴拖尾的影响,提高能量分辨率。从实验结果可知:对能量低于15keV的射线,Si-PIN与CdTe探测器的探测效率基本相当;对能量大于15keV的射线,CdTe探测器的的探测效率明显占优;Si-PIN探测器的最佳成形时间约为10μs,CdTe探测器的最佳成形时间约为2.6μs,因而CdTe探测器更适用于高计数率条件;对于不同能量的X射线,Si-PIN探测器的能量分辨率优于CdTe探测器;CdTe探测器具有明显的空穴拖尾效应,将CdTe探测器与带上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器配合使用,其能量分辨率显著提高。 展开更多
关键词 Si-PIN CDTE 能量色散X射线荧光 能谱测量
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锌高浸渣烟尘中铟浸出工艺改进研究 被引量:7
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作者 张凯霞 李其军 +1 位作者 陈鼎元 杨建文 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2016年第10期53-57,共5页
采用H_2SO_4、HCl-NaCl、NaOH三种浸取方法探讨提高锌高浸渣烟尘中铟浸出率的可行性。研究表明,硫酸浸取工艺中次生PbSO_4及PbO、SnO_2、SiO_2、MeS等难溶性物质包裹是引起铟浸出率较低的主要原因,对硫酸浸渣进行碱性处理并辅以球磨,能... 采用H_2SO_4、HCl-NaCl、NaOH三种浸取方法探讨提高锌高浸渣烟尘中铟浸出率的可行性。研究表明,硫酸浸取工艺中次生PbSO_4及PbO、SnO_2、SiO_2、MeS等难溶性物质包裹是引起铟浸出率较低的主要原因,对硫酸浸渣进行碱性处理并辅以球磨,能够有效打开包裹体,铟综合浸出率可以提高至97%以上,并给出了可行的原则工艺流程。 展开更多
关键词 锌高浸渣 烟尘 工艺改进
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