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SIT直流特性的自拟合模型
1
作者
g
.M.
strollo
梁法国
《半导体情报》
1992年第5期37-44,30,共9页
本文通过精确求解器件内二维电势分布,建立了一种SIT直流特性的解析模型。该模型可解释各种偏置状态下的Ⅰ-Ⅴ特性与数值模拟结果吻合良好。利用该模型研究了主要结构及物理参数对器件电学特性的影响。
关键词
静电感应
晶体管
拟合模型
下载PDF
职称材料
题名
SIT直流特性的自拟合模型
1
作者
g
.M.
strollo
梁法国
出处
《半导体情报》
1992年第5期37-44,30,共9页
文摘
本文通过精确求解器件内二维电势分布,建立了一种SIT直流特性的解析模型。该模型可解释各种偏置状态下的Ⅰ-Ⅴ特性与数值模拟结果吻合良好。利用该模型研究了主要结构及物理参数对器件电学特性的影响。
关键词
静电感应
晶体管
拟合模型
分类号
TN386.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
SIT直流特性的自拟合模型
g
.M.
strollo
梁法国
《半导体情报》
1992
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