SIT直流特性的自拟合模型

A Self-Consistent Model for the SIT DC Characteristics

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摘要本文通过精确求解器件内二维电势分布,建立了一种SIT直流特性的解析模型。该模型可解释各种偏置状态下的Ⅰ-Ⅴ特性与数值模拟结果吻合良好。利用该模型研究了主要结构及物理参数对器件电学特性的影响。

作者 G.M.Strollo 梁法国

出处《半导体情报》 1992年第5期37-44,30,共9页 Semiconductor Information

关键词静电感应晶体管拟合模型

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半导体情报

1992年第5期

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