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光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级
1
作者
程兴奎
王卿璞
+5 位作者
马洪磊
V.W.L.Chin
T.Osotchan
T.L.Tansley
M.R.Vau
g
han
g
.
j
.
griffiths
《山东大学学报（自然科学版）》
CSCD
1998年第3期357-360,共4页
在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起．由...
在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起．由此确定ＤＸ中心有四个能级，其激活能分别为０．３５ｅＶ，０．３７ｅＶ，０．３９ｅＶ和０．４１ｅＶ．
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关键词
掺硅
DX能级
光致发光谱
半导体
镓铝砷化合物
原文传递
题名
光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级
1
作者
程兴奎
王卿璞
马洪磊
V.W.L.Chin
T.Osotchan
T.L.Tansley
M.R.Vau
g
han
g
.
j
.
griffiths
机构
山东大学光电材料与器件研究所
出处
《山东大学学报（自然科学版）》
CSCD
1998年第3期357-360,共4页
文摘
在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起．由此确定ＤＸ中心有四个能级，其激活能分别为０．３５ｅＶ，０．３７ｅＶ，０．３９ｅＶ和０．４１ｅＶ．
关键词
掺硅
DX能级
光致发光谱
半导体
镓铝砷化合物
Keywords
photoluminescence
Si doped AlGaAs
DX level
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级
程兴奎
王卿璞
马洪磊
V.W.L.Chin
T.Osotchan
T.L.Tansley
M.R.Vau
g
han
g
.
j
.
griffiths
《山东大学学报（自然科学版）》
CSCD
1998
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