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便携式超声波流量计在管线测量中的应用 被引量:12
1
作者 刘勇 龚峰 《中国计量》 2010年第3期106-107,共2页
目前.便携式超声波流量计使用较多的场合有:各地水务部门地下水资源计量仪表的在线检测.环保部门排污计量仪表的在线检测.供水部门的贸易结算计量仪表的在线检测.热力公司收费用热水表的在线检测以及工业企业生产工艺中计量仪表的... 目前.便携式超声波流量计使用较多的场合有:各地水务部门地下水资源计量仪表的在线检测.环保部门排污计量仪表的在线检测.供水部门的贸易结算计量仪表的在线检测.热力公司收费用热水表的在线检测以及工业企业生产工艺中计量仪表的在线检测等。 展开更多
关键词 便携式超声波流量计 管线测量 在线检测 计量仪表 应用 地下水资源 生产工艺 工业企业
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工程造价管理存在的问题及对策 被引量:8
2
作者 《黑龙江水利科技》 2011年第4期189-190,共2页
提出了工程造价管理的概念,分析了当前工程造价管理存在的现实问题,如:"量价分离"与"量价合一"的矛盾、招投标体制和承包管理不规范、管理人员素质不适应、中介服务体系不规范问题,针对以上提出了工程造价管理的建... 提出了工程造价管理的概念,分析了当前工程造价管理存在的现实问题,如:"量价分离"与"量价合一"的矛盾、招投标体制和承包管理不规范、管理人员素质不适应、中介服务体系不规范问题,针对以上提出了工程造价管理的建议和对策。 展开更多
关键词 工程造价 管理 量价分离 价格机制 赔偿制度 咨询机构
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传统 PECVD高品质氢化非晶硅的淀积率 被引量:1
3
作者 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期402-406,共5页
根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd... 根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd 已接近 1 .0 nm/s)。( 2 )对每一优化淀积温度 ( Ts=2 0 0~ 30 0°C) ,存在一相应的优化淀积率 rdop,当 rd<rdop时 ,rd 增加 ,ND减小 (解释了 Tsuda etal的实验曲线的左边 )。还讨论了在大淀积率下( 0 .5 nm/s<rd<rdup)制备 HQ a-Si:H时避免粉末形成的可能方法。结果显示 :适当功率密度 Pd/Si H4 流速率 fr和 (或 )适当的 Si H4 气压 Pr/fr匹配是至关重要的。 展开更多
关键词 非晶硅 等离子增强化学气相淀积 淀积率上限 优化淀积率
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Riemann-Stieltjes积分与M/α-Si势垒静态分析 被引量:2
4
作者 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期85-93,共9页
本文介绍一种研究M/α-Si势垒的方法.利用Riemann-Stieltjes积分的中值定理,定义了一个α-Si的“有效隙态密度g(E_t)”,利用g(E_t),M/α-Si势垒区泊松方程很容易解析求解.在静态(外加偏压V_0=0)情形下,这个解是一个类指数衰减函数,其随... 本文介绍一种研究M/α-Si势垒的方法.利用Riemann-Stieltjes积分的中值定理,定义了一个α-Si的“有效隙态密度g(E_t)”,利用g(E_t),M/α-Si势垒区泊松方程很容易解析求解.在静态(外加偏压V_0=0)情形下,这个解是一个类指数衰减函数,其随距离x的衰减速率取决于g(E_i),而与α-Si隙态密度分布函数g(E)的具体形式没有直接关系.对本研究所用的实验样品Cr/α-Si:H,已经测得其α-Si的有效隙态密度是g(E_i)=6×10^(15)~1.5×10^(16)cm^(-3)eV^(-1) 展开更多
关键词 M/ -Si 势垒法 RIEMANN STIELTJES
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关于非晶硅的基本物理参数表
5
作者 《光电子技术》 CAS 1993年第3期72-83,共12页
共列未掺杂GDα-Si基本物理参数63个,它包含结构、力学、声学、热学、相交、电学、磁学、光学、能带及电子态、动力学、磷、硼杂质带及掺杂极限等11个方面。这些参数中约有1/3需经补充说明后其意义才会确切。本文只简要地说明其中争议... 共列未掺杂GDα-Si基本物理参数63个,它包含结构、力学、声学、热学、相交、电学、磁学、光学、能带及电子态、动力学、磷、硼杂质带及掺杂极限等11个方面。这些参数中约有1/3需经补充说明后其意义才会确切。本文只简要地说明其中争议较大的10个。 展开更多
关键词 非晶硅 物理参数 A-SI
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氢化非晶硅双极性场效应晶体管 被引量:2
6
作者 刘正元 何丰如 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期358-363,共6页
本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可... 本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可以大大地改善其双极对称性.(2)(GGI)未掺杂α-Si:HBFET可以用来构成静态特性良好的CMOS倒相器.(3)SiO_2栅介质α-Si:HFET具有典型的双极性,但是SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET则不是双极性的. 展开更多
关键词 氢化非晶硅 场效应晶体管 双极性
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非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型分析 被引量:1
7
作者 刘正元 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期332-340,共9页
本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言... 本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言,它可用一个多项式近似表示,而且它的第一项是与单晶硅MOSFET的I—V特性方程(非饱和区)相似.这个方程特别适合于描写双极性非晶硅场效应晶体管的静态特性. 展开更多
关键词 非晶硅 场效应晶体管 静态特性
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传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配 被引量:1
8
作者 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期453-459,共7页
等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H... 等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1<n<2 )的一个解析表示式 ,它是 Si H4气压 / Si H4流速率比 (Pr/ fr)、电极间距 (D)、Pd和 n的函数 ,而且还受到衬底温度 (Ts)的限制。这表示 ,在 CPECVD工艺中不存在独立的 Pd/ 展开更多
关键词 氢化非晶硅 等离子增强化学气相淀积 匹配 工艺
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LPG加气机检定中的有关技术问题 被引量:1
9
作者 刘勇 高葳 《黑龙江科技信息》 2009年第27期73-73,77,共2页
针对LPG加气机检定中的有关技术问题进行了论述。
关键词 LPG加气机 检定 技术
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非晶硅中磷掺杂固相效率的计算(英文)
10
作者 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1992年第5期83-87,共5页
本文介绍一种简便的计算磷掺杂a-Si中固相效率η(s)的方法.它与隙态密度分布函数g(E)没有明显的依赖关系,而与气相掺杂浓度C(g)直接相关.这种计算η(s)的方法对实验工作者非常有用.
关键词 非晶态 固体 掺杂 固相效率
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A-Si∶H磷掺杂固相效率
11
作者 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1997年第1期15-17,28,共4页
证明了a-SiH磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数,其系数可由磷掺杂饱和极限。
关键词 磷掺杂 固相效率 解析函数
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LPG加气机检定中的有关技术问题
12
作者 刘勇 高葳 《中国计量》 2009年第11期106-107,共2页
一、关于加气机的封缄问题目前,国内在用的加气机型号各异、种类繁多,功能也各不相同。各类加气机的量值调整方式各不相同,日本生产的一般检定人员无法调整;意大利生产的采用机械调整方式,可以铅封;韩国生产的采用电器元件调整(有的可... 一、关于加气机的封缄问题目前,国内在用的加气机型号各异、种类繁多,功能也各不相同。各类加气机的量值调整方式各不相同,日本生产的一般检定人员无法调整;意大利生产的采用机械调整方式,可以铅封;韩国生产的采用电器元件调整(有的可以同时用按键调整),可以铅封。 展开更多
关键词 LPG加气机 检定人员 机械调整 技术 电器元件 生产 意大利 铅封
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非晶硅的基本物理参数
13
作者 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期26-32,共7页
非晶硅(a-Si)的研究史,至少可以上溯20年.现在已经积累了关于这种材料性质的大量资料.但是,要凭现存这些资料,整理出一张完整和确切的a-Si物理参数表来却非常困难.因为,(1)a-Si是一种薄膜半导体材料,是采用辉光淀积(GD)、溅射(Sp)、蒸发... 非晶硅(a-Si)的研究史,至少可以上溯20年.现在已经积累了关于这种材料性质的大量资料.但是,要凭现存这些资料,整理出一张完整和确切的a-Si物理参数表来却非常困难.因为,(1)a-Si是一种薄膜半导体材料,是采用辉光淀积(GD)、溅射(Sp)、蒸发)Ev)和化学汽相淀积(CVD)等方法制成的.但是,由不同的制备方法所生产的a-Si。 展开更多
关键词 非晶硅 物理参数 a-s:
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非晶硅磷掺杂固相效率的计算
14
作者 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期38-43,共6页
本文介绍一种计算高质量GDa-Si磷掺杂固相效率η(S)的方法。所得的结果是:当掺杂剂气相浓度C(g)等于固相浓度C(S)时,对于C(g)<10^(-4),η(S)是常数,其值为20%,即a-Si薄膜中四配位磷原子密度N(P_4^+)与三配位磷原子密度N(P_3~0)之比... 本文介绍一种计算高质量GDa-Si磷掺杂固相效率η(S)的方法。所得的结果是:当掺杂剂气相浓度C(g)等于固相浓度C(S)时,对于C(g)<10^(-4),η(S)是常数,其值为20%,即a-Si薄膜中四配位磷原子密度N(P_4^+)与三配位磷原子密度N(P_3~0)之比是1/4;对于C(g)>10^(-4),、η(S)服从Street定律,其值为10^(-2)~10^(-3)。N(P_4^+)/N(P_3~0)~1/100。P_3~0P_4~0—D之间的热平衡反应常数K~10^(16)cm^(-3)。但是,当C(g)≤10^(-6)时,K可降到10^(16)cm^(-3)。 展开更多
关键词 计算 固相效率 非晶硅 磷掺杂
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解M/a-Si势垒区泊松方程
15
作者 《湖南大学学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期73-80,共8页
本文证明:(1)对任何形式的、连续的、a-Si隙态密度分布函数,只要我们利用Riemann-Stieltjes积分中值定理,势垒区的泊松方程都可以解析求解.(2)M/a-Si势垒区泊松方程的抛物函数解,是由假定空间电荷区自由载流子耗尽带来的.
关键词 半导体 非晶硅 势垒区 泊松方程
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a-Si∶H磷掺杂机理
16
作者 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期101-104,共4页
Street的自动补偿模型不是aSi∶H中磷掺杂的唯一机理,它略去了带尾态电子密度nBT,实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Wineretal的磷杂质结合模型,可以推广到nBT≠0情形,其反应常数仍满足H... Street的自动补偿模型不是aSi∶H中磷掺杂的唯一机理,它略去了带尾态电子密度nBT,实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Wineretal的磷杂质结合模型,可以推广到nBT≠0情形,其反应常数仍满足Henry定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数,其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。 展开更多
关键词 非晶硅 磷掺杂机理 固相效率
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α-Si:H磷掺杂固相效率和相关分配系数
17
作者 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期289-291,共3页
证明了分配系数d是气相浓度Xp(g)的解析函数,其系数由α-Si:H生长期间界面上固/气相平衡反应常数决定。d这种性质导致磷掺杂固相效率可藉助Xp(g)进行解析计算。
关键词 非晶硅 掺杂效率 分配系数
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加油机税控装置安装中有关技术问题 被引量:1
18
作者 《中国计量》 2000年第8期41-43,共3页
关键词 加油机 税控装置 安装技术 计量检定
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企业潜亏亟待治理
19
作者 王宪廷 王玉萍 +1 位作者 石淑华 《黑龙江财会》 1994年第8期47-48,共2页
企业潜亏亟待治理王宪廷,王玉萍,颜一凡,石淑华当前,国营大中型企业中潜亏现象有增无减,给企业的生存和发展带来严重威胁,我们根据参加财税大检查了解到的情况,就企业潜亏的形式特点、成因、危害及解决对策提出几点粗浅看法,与... 企业潜亏亟待治理王宪廷,王玉萍,颜一凡,石淑华当前,国营大中型企业中潜亏现象有增无减,给企业的生存和发展带来严重威胁,我们根据参加财税大检查了解到的情况,就企业潜亏的形式特点、成因、危害及解决对策提出几点粗浅看法,与大家探讨。一、企业潜亏的形式1、采... 展开更多
关键词 企业潜亏 企业的生存和发展 成本核算制度 产成品成本 规划与决策 质次价高 耗用材料成本 产品成本 资产审计 原材料
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