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题名紫外像增强管的研究
被引量：3
- 1
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作者
申屠浩
徐汉成
顾肇业
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《光电子技术》
CAS
1999年第2期83-88,共6页
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文摘
研究了采用碲铷（日盲）光电阴极、近贴聚焦、二块微通道板（ＭＣＰ）、 Ｙ－２０荧光屏、２５／２５ ｍｍ有效直径紫外像增强管。详细论述了该像增强管的工作原 理、结构设计、制造工艺、测试方法以及应用前景等方面问题。
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关键词
光电阴极
微通道板
紫外光技术
紫外像增强管
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Keywords
ultraviolet solar--blinded photo-cathode, microchannel plate (MCP ), proximity focused image intensifier
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分类号
TN23
[电子电信—物理电子学]
TN144
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题名负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展
被引量：1
- 2
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作者
马建一
顾肇业
申屠浩
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机构
电子部第
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出处
《半导体情报》
1996年第6期17-22,共6页
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文摘
阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。
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关键词
负电子亲和势
光电阴极
化合物半导体
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Keywords
s: Nagative electron affinity,Photo-cathode,Field-assisted photo-cathode,Quantum efficiency,Threshold wavelength
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名负电子亲和势GaAs光阴极的研究
被引量：1
- 3
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作者
李慧蕊
顾肇业
马建一
丁辉敏
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《光电子技术》
CAS
1994年第3期183-189,共7页
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文摘
分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。
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关键词
砷化镓
光阴极
电子
亲合力
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Keywords
negative electron affinity
GaAs photocathode
heterojunction surface barrier
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分类号
TN304.01
[电子电信—物理电子学]
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题名透射式GaAs光阴极量子效率分析
- 4
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作者
马建一
顾肇业
李慧蕊
丁辉敏
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机构
南京电子器件研究所
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出处
《真空电子技术》
北大核心
1994年第6期5-10,共6页
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文摘
通过对透射式ＧａＡｓ光阴极“三物理过程”的描述和理论分析，指出了影响量子效率的不利因素，讨论和提出了克服、消除这些不利因素的方法、措施和途径。
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关键词
扩散长度
量子效率
透射式
砷化镓
光阴极
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Keywords
Photoelectron diffusion length, Surface escape probability,Quantum efficiency
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分类号
TN104.1
[电子电信—物理电子学]
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题名近红外段透射式GaAs光阴极的设计
被引量：1
- 5
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作者
马建一
顾肇业
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出处
《半导体杂志》
1993年第3期6-13,共8页
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关键词
GaAs光阴极
设计
透射式
红外波段
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分类号
TN383.4
[电子电信—物理电子学]
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