氧化和还原处理对Fe:LiNbO_3晶体光折变效应的影响 被引量：22

1

作者 李铭华 赵业权 +2 位作者 许克彬 徐玉恒 韩爱珍 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第21期1955-1957,共3页

光折变晶体是当前高科技领域,尤其是在国防、航天、通讯等领域中应用广泛的功能材料,可用作全息记录介质、相位共轭反射镜、放大器、光开关等,铌酸锂(LiNbO_3)是其中重要的一类.掺杂可以有效地改善LiNbO_3晶体的光折变性能,如掺镁可提... 光折变晶体是当前高科技领域,尤其是在国防、航天、通讯等领域中应用广泛的功能材料,可用作全息记录介质、相位共轭反射镜、放大器、光开关等,铌酸锂(LiNbO_3)是其中重要的一类.掺杂可以有效地改善LiNbO_3晶体的光折变性能,如掺镁可提高晶体的抗光损伤能力,掺铁可提高晶体的光折变灵敏度.适当的氧化和还原处理可以改变晶体中掺杂离子的价态和晶体中的缺陷分布,从而影响晶体的光折变性能.我们生长的Fe:LiNbO_3,经过氧化和还原处理后,晶体的光折变性能有较大变化.这里介绍了掺铁铌酸锂的氧化和还原处理工艺条件,研究了处理前后晶体光折变性能的变化,并对这种氧化、还原作用的机理进行了初步探讨. 展开更多

关键词 氧化 还原 铁 铌酸锂晶体 光折变效应

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GaAs薄膜电沉积机理的初探 被引量：9

2

作者 韩爱珍 林逸青 +1 位作者 赵永春 高元恺 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期380-384,共5页

　本文叙述了电沉积制备GaAs薄膜的原理．我们在不同的基片上均成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜．初步探讨了GaAs薄膜的电沉积机理．

关键词 砷化镓 薄膜 电沉积机理

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Ce∶Ho∶LiNbO_3晶体的全息存储特性的研究 被引量：2

3

作者 李铭华 王家昌 +2 位作者 许克彬 徐玉恒 韩爱珍 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期283-286,共4页

报道了Ｃｅ：ＨＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长，研究了晶体的衍射效率、存储时间、图像质量等全息存储性能。用Ｃｅ：ＨＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体作记录介质，实现了实时关联存储。

关键词 Ce:Ho:LiNbO3 晶体 晶体生长 全息存储

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Zn∶LiNbO_3晶体倍频性能的研究 被引量：8

4

作者 李铭华 孙尚文 +1 位作者 徐玉恒 韩爱珍 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期430-433,共4页

在ＬｉＮｂＯ３晶体中掺入ＺｎＯ，生长ＺｎＯ∶ＬｉＮｂＯ３晶体，当ＺｎＯ的掺入浓度高于６ｍｏｌ％时，晶体的抗光损伤能力提高两个数量级，与高掺ＭｇＯ（＞４．６ｍｏｌ％）相似。Ｚｎ∶ＬｉＮｂＯ３的倍频转换效率可达５０％左右... 在ＬｉＮｂＯ３晶体中掺入ＺｎＯ，生长ＺｎＯ∶ＬｉＮｂＯ３晶体，当ＺｎＯ的掺入浓度高于６ｍｏｌ％时，晶体的抗光损伤能力提高两个数量级，与高掺ＭｇＯ（＞４．６ｍｏｌ％）相似。Ｚｎ∶ＬｉＮｂＯ３的倍频转换效率可达５０％左右，高于Ｍｇ∶ＬｉＮｂＯ３。 展开更多

关键词 晶体 抗光损伤 倍频 铌酸锂

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Ce：Fe：LiNbO_3晶体光衍射效应的研究 被引量：2

5

作者 李铭华 韩爱珍 +3 位作者 徐玉恒 王家昌 张景文 许克彬 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期753-757,共5页

减小Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶片的厚度，扩大泵浦光束直径，由于光爬行效应晶体产生衍射自增强。单光束辐照Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体时，出现变偏振现象（ｏ光变ｅ光，ｅ光变ｏ光）等各向异性自衍射。本文对上述现象的形成机理... 减小Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶片的厚度，扩大泵浦光束直径，由于光爬行效应晶体产生衍射自增强。单光束辐照Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体时，出现变偏振现象（ｏ光变ｅ光，ｅ光变ｏ光）等各向异性自衍射。本文对上述现象的形成机理进行了探讨。 展开更多

关键词 衍射 光爬行 铌酸锂晶体

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提高PbWO_4晶体光学性能的研究 被引量：5

6

作者 孙尚文 韩爱珍 +1 位作者 李铭华 徐玉恒 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期817-819,共3页

钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体在生长过程中由于缺氧产生了氧空位缺陷和Ｆｅ２＋杂质缺陷，使晶体着色，光学性能下降。在晶体生长过程中掺进Ｓｂ２Ｏ３，能消除氧空位，将Ｆｅ２＋氧化为无色的Ｆｅ３＋。

关键词 晶体 吸收光谱 光产额 钨酸铅晶体

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Ce：Fe：LiNbO_3晶体的生长与其四波混频效应的研究 被引量：3

7

作者 韩爱珍 孙尚文 +1 位作者 高元凯 葛云成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期44-48,共5页

本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长．采用简并四波混频光路测试晶体相位并轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应．在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四渡混频中，获得了变频相位共轭光。具有温度增强效应。

关键词 引上法 晶体生长 光折变效应 铌酸锂

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网络会计的风险与安全对策 被引量：5

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作者 韩爱珍 《价值工程》 2006年第4期83-85,共3页

网络经济的发展,要求会计工作也必须进行网上处理,而在网络中进行会计信息的处理和传递会遇到许多网络安全问题和会计信息失真问题等。为了保证网络会计信息的真实、准确、高效,企业应建立严格的内部控制制度、档案保存制度以及其它控... 网络经济的发展,要求会计工作也必须进行网上处理,而在网络中进行会计信息的处理和传递会遇到许多网络安全问题和会计信息失真问题等。为了保证网络会计信息的真实、准确、高效,企业应建立严格的内部控制制度、档案保存制度以及其它控制措施,并进一步提高企业会计人员的素质。 展开更多

关键词 网络经济 风险 安全

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GaAs 薄膜电沉积的机理与工艺研究 被引量：3

9

作者 韩爱珍 林逸青 +1 位作者 赵永春 高元恺 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期376-379,共4页

报道了电共沉积制备ＧａＡｓ簿膜的原理与工艺。通过优化工艺参数，在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的ＧａＡｓ薄膜。

关键词 薄膜 电沉积 机理 工艺 砷化镓

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用电共沉积方法制备InGaAs薄膜 被引量：3

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作者 王喜莲 李浴春 +2 位作者 韩爱珍 高元恺 杨志伟 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期451-454,共4页

用电共沉积方法制备出４种ＩｎＧａＡｓ薄膜，用能谱析仪分析了薄膜成分，用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率．结果表明，ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ薄膜为多晶结构，晶粒尺寸约为０．２５μｍ，晶粒细致、均匀，其Ｖ－Ｉ特性是线性的，... 用电共沉积方法制备出４种ＩｎＧａＡｓ薄膜，用能谱析仪分析了薄膜成分，用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率．结果表明，ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ薄膜为多晶结构，晶粒尺寸约为０．２５μｍ，晶粒细致、均匀，其Ｖ－Ｉ特性是线性的，随着Ｇａ含量的减少，发光波长增大．ＩｎＧａＡｓ薄膜的发射光波长为１．３～１．５μｍ． 展开更多

关键词 InGaAs薄膜 电共沉积 铟镓砷 半导体薄膜 制备

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Zn：LiNbO3晶体的生长及其抗光损伤能力增强的研究 被引量：1

11

作者 韩爱珍 徐玉恒 李铭华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期312-315,共4页

在ＬｉＮｂＯ３中掺入ＺｎＯ，用提拉法生长Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的红外透射光谱、抗光损伤能力、光电导和倍频性能。研究和探讨了高掺锌铌酸锂晶体抗光损伤增强的机理。

关键词 晶体 引上法晶体生长 抗光损伤 铌酸锂

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高掺镁铌酸锂晶体的生长及其激光器件性能的研究 被引量：1

12

作者 韩爱珍 高元凯 孙尚文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第2期160-165,共6页

本文报道高掺镁铌酸锂晶体的生长，测试了晶体的光学性能——双折射梯度和消光比、晶体的光折变阈值、红外透射光谱和光电导。用高掺镁铌酸锂晶体制做了倍频器和Ｑ开关，研究了它们的性能和应用。

关键词 掺镁 铌酸锂 晶体生长 倍频器件 激光器 性能

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多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究 被引量：1

13

作者 高元恺 韩爱珍 +1 位作者 赵永春 林逸青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期670-673,共4页

利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位... 利用扫描电子显微镜、Ｘ－射线衍射仪，分光光度计和Ｃ－Ｖ测试仪对电沉积法制备的多晶砷化镓薄膜进行了测试．结果表明薄膜的成分接近化学计量的ＧａＡｓ．根据薄膜的光吸收曲线和Ｍｏｔｔ－Ｓｃｈｏｔｔｋｙ曲线计算了带隙值和能级位置．最后，测量了薄膜／电解液结的光电特性． 展开更多

关键词 多晶 砷化镓 薄膜 制备 性能

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电共沉积InGaAs薄膜材料

14

作者 王喜莲 韩爱珍 高元恺 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期200-209,共10页

阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于 1 3～ 1 5 μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、厚度及其表面形貌 ,分析结果表明该方法是半导体薄... 阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于 1 3～ 1 5 μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、厚度及其表面形貌 ,分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。 展开更多

关键词 INGAAS 电共沉积 薄膜材料

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GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究 被引量：1

15

作者 杨春晖 张志梅 +1 位作者 杨兆明 韩爱珍 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期721-726,共6页

采用电共沉积制备ＧａＡｓ 薄膜． 研究了电流密度、溶液中离子浓度比、ｐＨ 值等电沉积参数对膜层质量的影响． 并在观察膜层形貌的基础上，测试了膜层化学成分、晶格结构和能级位置、带隙值等半导体性能． 测试结果证明膜的直接带隙... 采用电共沉积制备ＧａＡｓ 薄膜． 研究了电流密度、溶液中离子浓度比、ｐＨ 值等电沉积参数对膜层质量的影响． 并在观察膜层形貌的基础上，测试了膜层化学成分、晶格结构和能级位置、带隙值等半导体性能． 测试结果证明膜的直接带隙材料性，带隙宽度为１．４０ ｅＶ，薄膜成分为Ｇａ０ ．９９４６Ａｓ１．００５４ ，接近化学计量的ＧａＡｓ． 展开更多

关键词 电沉积 砷化镓 薄膜 电流密度 半导体性能

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砷化镓薄膜的电共沉积工艺

16

作者 高元恺 韩爱珍 李小宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期41-44,共4页

一、引言 众所周知砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,可用它制造太阳电池、光学滤波器、发光二极管、激光器和其它的光电器件。然而现有制备GaAs的工艺都是十分复杂、耗能大、生产周期长因而成本高,这样以来,就成为限制GaAs作为太阳... 一、引言 众所周知砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,可用它制造太阳电池、光学滤波器、发光二极管、激光器和其它的光电器件。然而现有制备GaAs的工艺都是十分复杂、耗能大、生产周期长因而成本高,这样以来,就成为限制GaAs作为太阳电池等器件材料的主要因素。多年来,寻找低成本制备GaAs的工艺便成为半导体工作者的重要研究方向。这里介绍的称之为电共沉积工艺,就是一种低成本制备GaAs薄膜工艺。Chandra等人曾用此工艺成功地制备了CdSe、MoSe、WSe和CuIn-Se_2等薄膜,而对制备GaAs薄膜的研究报导却很少。 展开更多

关键词 砷化镓 薄膜 电共沉积 工艺

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用光热光偏转方法测量材料弱光吸收空间分布 被引量：1

17

作者 吴杰 韩爱珍 +1 位作者 成晓雄 张政辉 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期25-29,共5页

采用光热光偏转技术,实现了材料表面弱光吸收空间分布的测量,为材料表面弱光吸收和热特性的测量与研究提供了一种新手段.

关键词 光热光偏转 弱光吸收 材料 测量

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电沉积Al_xGa_(1-x)As薄膜及性能研究

18

作者 韩爱珍 王喜莲 高元凯 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第1期13-17,共5页

利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获... 利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获得一定的透射率。 展开更多

关键词 电共沉积 三元化合物 半导体薄膜 砷化镓 性能 镓铝砷化合物

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GaAs半导体薄膜电沉积的研究 被引量：1

19

作者 杨春晖 徐吾生 +4 位作者 韩岩 杨兆明 韩爱珍 叶水驰 高元凯 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期110-113,共4页

利用改进试验装置 ,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法 ,电沉积制备出 Ga As薄膜。扫描电镜和 X射线衍射仪测试结果表明 ,薄膜成分更接近化学计量比 1∶ 1,各次试验数值分散性小 ,厚薄均匀。

关键词 GaAs薄膜 电沉积 添加剂 半导体薄膜

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《本草》中杜仲古医方探研 被引量：1

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作者 冯风 韩爱珍 赵爱群 《陕西中医》 北大核心 1998年第7期330-332,共3页

杜仲古医方是我国传统医学在杜仲医药价值和使用方法方面的经验总结与智慧结晶,对现代杜仲医药保健品的研制开发具有重要参考价值,很有必要加以挖掘整理。 众多的杜仲古医方主要保存在本草、方书、医案等医学典籍中。其中本草类文献原... 杜仲古医方是我国传统医学在杜仲医药价值和使用方法方面的经验总结与智慧结晶,对现代杜仲医药保健品的研制开发具有重要参考价值,很有必要加以挖掘整理。 众多的杜仲古医方主要保存在本草、方书、医案等医学典籍中。其中本草类文献原本是专门记载药物的著作,但它辨药与用药相结合的编写体例,在介绍药物的同时,把大量古单方、验方以“附方”的形式保存下来,一一详明炼制、用法、功效、主治,因而极具实用价值。 本文仅就宋《图经本草》、《政和本草》。 展开更多

关键词 杜仲 古医方 青蛾丸 补肾汤 制法

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