摘要
报道了电共沉积制备GaAs簿膜的原理与工艺。通过优化工艺参数,在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜。
Electradeposition mechanism and technology for preparing GaAs films is described in this paper. The near stoichiometric GaAs film on the different substrates is obtained.
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期376-379,共4页
Acta Energiae Solaris Sinica
关键词
薄膜
电沉积
机理
工艺
砷化镓
GaAs film,electrodeposition, mechanism, technology