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MWECRCVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究
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作者 宋雪梅 宋道颖 +5 位作者 陈蔚忠 芦奇力 冯贞健 鲍旭红 邓金祥 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期321-324,共4页
应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分... 应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析 ,获得了沉积高质量α Si:H薄膜的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 MWECR-CVD法 α-Si:H薄膜 IR分析 高斯函数拟合
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