用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数 被引量：13

1

作者 牟维兵 陈盘训 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期189-192,共4页

当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .

关键词 X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数 重金属 蒙特卡罗法 大规律COMOS电路

原文传递

双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤 被引量：10

2

作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期333-337,共5页

综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率... 综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒。 展开更多

关键词 线性 集成电路 低剂量率 辐射 增强损伤

下载PDF 职称材料

X射线剂量增强效应 被引量：8

3

作者 陈盘训 周开明 《物理》 CAS 1997年第12期725-728,共4页

简述了Ｘ射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程，着重介绍了Ｘ射线剂量增强对电子器件的影响．这种剂量增强使Ｘ射线辐射引起的损伤比能量较高的γ射线要严重得多．

关键词 X射线 剂量增强 辐射损伤 电子器件

原文传递

X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算 被引量：5

4

作者 牟维兵 陈盘训 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期15-18,共4页

当Ｘ射线射入不同材料组成的界面时，在低Ｚ材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用ＭＣＮＰ蒙特－卡罗程序计算了钨－二氧化硅、钽－二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在Ｘ射线能量为１００～１５... 当Ｘ射线射入不同材料组成的界面时，在低Ｚ材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用ＭＣＮＰ蒙特－卡罗程序计算了钨－二氧化硅、钽－二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在Ｘ射线能量为１００～１５０ｋｅＶ时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。 展开更多

关键词 X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子

下载PDF 职称材料

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固 被引量：5

5

作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-85,共5页

本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数（ＤＥＦ）。从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。

关键词 X射线 剂量增强系数 电子系统 辐射加固

下载PDF 职称材料

CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应 被引量：2

6

作者 陈盘训 周开明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第7期391-394,共4页

研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数。对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。

关键词 CMOS电路 X射线 剂量增强 辐射效应 集成电路

下载PDF 职称材料

双极晶体管X射线辐射剂量增强效应 被引量：1

7

作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期7-10,共4页

本文介绍典型双极晶体管在 X 射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实际测量了双极晶体管 X射线辐射剂量增强系数,研究了双极器件剂量增强效应机理。

关键词 双极 晶体管 X射线辐射 剂量增强 探测器

下载PDF 职称材料

运算放大器 X 和 γ 辐射损伤的比较 被引量：1

8

作者 陈盘训 《辐射研究与辐射工艺学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期80-85,共6页

比较了运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下性能的变化，并对Ｘ射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量Ｘ射线对几种典型运放的相对剂量增强系数（ＲＤＥＦ）的范围为３．４～１２．３。ＳｉＯ２／Ｓｉ界面产生的俘获空穴电荷... 比较了运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下性能的变化，并对Ｘ射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量Ｘ射线对几种典型运放的相对剂量增强系数（ＲＤＥＦ）的范围为３．４～１２．３。ＳｉＯ２／Ｓｉ界面产生的俘获空穴电荷和界面态是运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下的主要失效模式。 展开更多

关键词 运算放大器 X射线 Γ射线 辐射损伤 剂量

下载PDF 职称材料

系统低剂量率失效和加速模拟试验方法 被引量：1

9

作者 陈盘训 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期132-136,共2页

综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并... 综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并对处于低剂量率下系统的加固保证也提出了一些看法。 展开更多

关键词 低剂量率 失效 辐射损伤 模拟试验

下载PDF 职称材料

模拟电路的单粒子瞬时效应 被引量：1

10

作者 陈盘训 周开明 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期194-197,共4页

综合介绍一种新的单粒子作用现象。模拟电路在单个重离子撞击下,在输出端产生瞬时信号,这种瞬时扰动可能影响到连接模拟电路输出端的电路,例如运算放大器的输出可能连接到数字计数器的输入端,由重离子引起放大器足够大的瞬时输出脉冲可... 综合介绍一种新的单粒子作用现象。模拟电路在单个重离子撞击下,在输出端产生瞬时信号,这种瞬时扰动可能影响到连接模拟电路输出端的电路,例如运算放大器的输出可能连接到数字计数器的输入端,由重离子引起放大器足够大的瞬时输出脉冲可能增加计数器的计数。另外,这种输出端的瞬时电压信号可能改变其它电路的状态。 展开更多

关键词 模拟电路 单粒子瞬时 脉冲激光 线性能量转移

下载PDF 职称材料

X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算 被引量：1

11

作者 牟维兵 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期208-210,共3页

当 X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低 Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用 MCNP Monte- Carlo程序计算了钨 -硅、钽

关键词 X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数 重金属-硅 大规模集成电路 CMOS MCNP Monte-Carlo程序

下载PDF 职称材料

双极晶体管总剂量辐射失效概率

12

作者 陈盘训 谢泽元 《电子技术参考》 2002年第2期1-4,8,共5页

为了研究器件辐射回固性能的评估方法，对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C（每种100只）做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明，用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70％、50％为器件失效... 为了研究器件辐射回固性能的评估方法，对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C（每种100只）做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明，用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70％、50％为器件失效判据，实验测得的失效分布曲线取决于失效判据。根据PF和D的关系曲线，就可得到三种双极晶体管任意总剂量下的失效概率。它可用于电子线路总剂量辐射下生存概率的评估。 展开更多

关键词 辐射 双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率

下载PDF 职称材料

CMOS电路γ总剂量辐射效应评论

13

作者 陈盘训 高文明 +1 位作者 谢泽元 米榜 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期27-34,共8页

本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察... 本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察。实验的同时,对美国RCA公司的一种未加固电路作了辐射测量。用该结果与国产电路的辐射特性作了比较。本文认为^(6O)Co源可以作为合适的核爆总剂量辐射效应模拟源。 展开更多

关键词 CMOS电路 总剂量 辐射加固 退火

下载PDF 职称材料

双极晶体管总剂量辐射失效概率

14

作者 陈盘训 谢泽元 +1 位作者 高文明 何武良 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期259-264,共6页

对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80％、70％、50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效... 对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80％、70％、50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效判据。3DG6D的P_F～D曲线由两种斜率的直线组成,这意味着样品组中存在着不同工艺的器件。失效分布曲线斜率揭示了器件抗总剂量特性的均匀度。它可用来作为器件加固工艺的质量监督。当将P_F～D直线外推到低P_F区时,有些器件失效概率为0.1％和0.01％的失效总剂量仅为几十Gy。 展开更多

关键词 双极晶体管 总剂量 失效判据 失效概率

下载PDF 职称材料

运算放大器x和γ射线辐射损伤的比较

15

作者 陈盘训 周开明 《电子技术参考》 1997年第4期21-27,共7页

比较了运算放大器Ｘ和γ射线射环下性能的变化，Ｘ射线对运放产生的剂量增强效应也作了研究。实验测量Ｘ射线对几种典型运放的相对剂量增强系数的范围为３．４－１２．３。

关键词 运算放大器 Γ射线 辐射损伤 X射线

下载PDF 职称材料

变容二极管中子辐照损伤

16

作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS 1987年第2期93-98,共6页

在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。

关键词 变容二极管 中子辐照损伤 C-V特性 深俘获能级

下载PDF 职称材料

市售和加固CMOS电路总剂量辐射特性的比较

17

作者 陈盘训 谢泽元 《中国工程物理研究院科技年报》 2003年第1期309-310,共2页

对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路... 对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB 762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。 展开更多

关键词 CMOS电路 辐射剂量 对比试验 硅金属栅 Γ剂量率

下载PDF 职称材料