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基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响 被引量:2
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作者 郝斌魁 姜雪宁 +1 位作者 张庆瑜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期134-139,共6页
利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,... 利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小. 展开更多
关键词 反应射频磁控溅射 GDC电解质薄膜 基片温度 X射线衍射 原子力显微镜
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高k栅介质薄膜材料研究进展 被引量:2
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作者 马春雨 李智 +1 位作者 张庆瑜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期28-32,共5页
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1~1.5)nm,这时电子的直接隧穿而导致栅极漏电流随栅氧化层厚度的下降而指数上升,此外,当栅氧化... 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐渐接近(1~1.5)nm,这时电子的直接隧穿而导致栅极漏电流随栅氧化层厚度的下降而指数上升,此外,当栅氧化层薄到一定程度后,其可靠性问题,尤其是与时间相关的击穿及栅电极中的杂质向衬底的扩散等问题,将严重影响器件的稳定性和可靠性.因此需要寻找一种具有高介电常数的新型栅介质材料来替代SiO2,在对沟道具有相同控制能力的条件下(栅极电容相等),利用具有高介电常数的介质材料(一般称为高k材料)作为栅介质层可以增加介质层的物理厚度,这将有效减少穿过栅介质层的直接隧穿电流,并提高栅介质的可靠性.本文介绍了高k栅介质薄膜材料的制备方法,综述了高k栅介质薄膜材料研究的应用要求及其研究发展动态. 展开更多
关键词 高k栅介 质MOSFET CVD PVD
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钛酸钡/钛酸锶多层薄膜微观结构及其生长机制研究 被引量:1
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作者 何俊明 周艺 +5 位作者 丁莹 李骏驰 江华 刘明 马春蕊 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第6期486-492,共7页
采用脉冲激光沉积方法,在氧化镁(MgO)单晶的(001)晶面上制备出钛酸钡(BaTiO3)/钛酸锶(SrTiO3)多层薄膜。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及高角环形暗场(HAADF)像对其微观结构进行了详细研究,并探讨了多层膜的生长机制。结果表明:(1... 采用脉冲激光沉积方法,在氧化镁(MgO)单晶的(001)晶面上制备出钛酸钡(BaTiO3)/钛酸锶(SrTiO3)多层薄膜。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及高角环形暗场(HAADF)像对其微观结构进行了详细研究,并探讨了多层膜的生长机制。结果表明:(1)在基体/薄膜界面附近存在周期性的失配位错,伯格斯矢量为a2<110>;(2)界面附近存在界面层(过渡层),层内可能存在局部畴域;(3)薄膜内存在位移矢量为12<110>的富Ti型和富Ba型两种层错;(4)薄膜生长过程中,由于弛豫产生的应变分布不均使得沉积原子倾向于在低应力处成核,最终多层膜显示柱状结构。 展开更多
关键词 多层薄膜 柱状生长 微观结构 高分辨透射电子显微镜
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LaAlO_3基体上CaBaCo_2O_(5+δ)多晶薄膜的微观结构以及生长方式
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作者 李骏驰 江华 +4 位作者 丁莹 马春蕊 方靖岳 张学骜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第17期17050-17053,共4页
采用脉冲激光沉积方法,在(001)LaAlO3上沉积CaBaCo2O5+δ多晶薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对基体和薄膜的微观结构进行观察,并探讨了薄膜的生长机制以及改善薄膜质量的可能工艺。结果表明,(1)LaAlO3基体中存在... 采用脉冲激光沉积方法,在(001)LaAlO3上沉积CaBaCo2O5+δ多晶薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对基体和薄膜的微观结构进行观察,并探讨了薄膜的生长机制以及改善薄膜质量的可能工艺。结果表明,(1)LaAlO3基体中存在位错、孪晶等缺陷,且孪晶类型以(100)楔形孪晶为主;(2)CaBaCo2O5+δ薄膜为多晶薄膜,薄膜底部保留了薄膜生长过程中的初始晶粒结构,晶粒大小约5-8 nm,厚度约为5-7 nm。薄膜顶层的晶粒较大,约为11-16 nm。 展开更多
关键词 多晶薄膜 微观结构 薄膜生长方式
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Optimized growth and dielectric properties of barium titanate thin films on polycrystalline Ni foils 被引量:4
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作者 梁伟正 吉彦达 +5 位作者 南天翔 黄江 曾慧中 杜辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第6期498-503,共6页
Barium titanate(BTO) thin films were deposited on polycrystalline Ni foils by using the polymer assisted deposition(PAD) technique.The growth conditions including ambient and annealing temperatures were carefully ... Barium titanate(BTO) thin films were deposited on polycrystalline Ni foils by using the polymer assisted deposition(PAD) technique.The growth conditions including ambient and annealing temperatures were carefully optimized based on thermal dynamic analysis to control the oxidation processing and interdiffusion.Crystal structures,surface morphologies,and dielectric performance were examined and compared for BTO thin films annealed under different temperatures.Correlations between the fabrication conditions,microstructures,and dielectric properties were discussed.BTO thin films fabricated under the optimized conditions show good crystalline structure and promising dielectric properties with εr~ 400 and tan δ 〈 0.025 at 100 kHz.The data demonstrate that BTO films grown on polycrystalline Ni substrates by PAD are promising in device applications. 展开更多
关键词 polymer assisted deposition barium titanate nickel foils thin films thermodynamics dielectric properties
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