400cm^2 a-Si/a-Si 叠层太阳电池的研究 被引量：13

1

作者 耿新华 李洪波 +5 位作者 王宗畔 吴春亚 孙建 陆靖谷 孙仲林 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期345-351,共7页

以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施... 以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。 展开更多

关键词 叠层太阳电池 界面特性 结构设计 太阳能电池

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用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究 被引量：5

2

作者 耿新华 孟志国 +3 位作者 王广才 孙云 陆靖谷 孙钟林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期136-144,共9页

本文报道了非晶硅p-i-n结构太阳电池窗口材料a-Si C∶H∶B及其前后界面SnO_2膜和本征a-Si∶H膜的研究结果。太阳电池的这三部分与性能参数V_(oc)、I_(sc)和FF直接有关,界面性质在一定程度上也影响太阳电池的稳定性。

关键词 非晶硅 太阳能 电池 窗口材料

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硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究 被引量：4

3

作者 孙钟林 薛俊明 +2 位作者 耿卫东 于振瑞 陆靖谷 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1247-1249,共3页

为实现 OEIC的全 Si化 ,以适应稀土 Er发光的宽带隙半导体材料。研究了 C- Si基底上注 C形成微晶碳化硅 (μ c- Si C)的途径。经高浓度注 C,在 110 0～ 10 0 0℃ 2 h退火 ,经 X- ray与 Raman测试证明可以获得 μ c- Si C结构。因为在宽... 为实现 OEIC的全 Si化 ,以适应稀土 Er发光的宽带隙半导体材料。研究了 C- Si基底上注 C形成微晶碳化硅 (μ c- Si C)的途径。经高浓度注 C,在 110 0～ 10 0 0℃ 2 h退火 ,经 X- ray与 Raman测试证明可以获得 μ c- Si C结构。因为在宽带隙 μ c- Si C中能量回传很少 ,故对 Er在波长 1.5 4 展开更多

关键词 离子注入C 退火 微晶碳化硅 硅

原文传递

高质量非晶硅锗材料的研制 被引量：3

4

作者 王广才 耿新华 +4 位作者 孙云 李洪波 孙建 刘世国 陆靖谷 《半导体杂志》 1997年第2期12-15,共4页

ａ－ＳｉＧｅ∶Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强、掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．

关键词 非晶硅锗合金 氢稀释率 气体压强 掺锗率

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大面积高效率高稳定非晶硅太阳电池的研究 被引量：1

5

作者 王广才 耿新华 +4 位作者 李洪波 孙云 孙建 陆靖谷 刘世国 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1998年第2期105-107,共3页

根据电流连续性原则和光伏材料选择原则，对叠层电池的电流匹配进行了研究。结果表明，电流匹配是影响叠层电池短路电流和转换效率的重要因素之一，电流匹配可以通过调整单元电池厚度来实现。在此基础上，获得了面积为４００ｃｍ２，转... 根据电流连续性原则和光伏材料选择原则，对叠层电池的电流匹配进行了研究。结果表明，电流匹配是影响叠层电池短路电流和转换效率的重要因素之一，电流匹配可以通过调整单元电池厚度来实现。在此基础上，获得了面积为４００ｃｍ２，转移效率分别为８．２８％、７．５２％和６．７４％的ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ、ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ和ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ高效率叠层电池。 展开更多

关键词 非晶硅基 叠层太阳电池 转换效率 电流匹配

原文传递

P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究 被引量：2

6

作者 耿新华 孙云 +4 位作者 刘世国 李洪波 陆靖谷 孙建 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期358-362,共5页

用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳... 用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。 展开更多

关键词 微晶化 硅碳硼合金 薄膜 掺杂特性

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低温n+μc-Si在大面积a-Si太阳电池上的应用 被引量：2

7

作者 耿新华 孟志国 +1 位作者 陆靖谷 孙仲林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期247-254,共8页

为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池... 为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池的实验情况做了详细的介绍,并对实验结果进行了讨论。 展开更多

关键词 太阳能电池 A-SI n^+μc-Si 低温

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硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索

8

作者 孙钟林 耿卫东 陆靖谷 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1244-1246,共3页

本文研究晶格失配较大的 - 族化合物向 Si基底转移薄层的技术 ,为此制备了 Si/ Si O2 / Si结构的应力缓冲衬底。利用智能切割 (smart- cut)技术制备薄层 Ga As并以低温 Si O2 层过渡与应力缓冲衬底相键合 ,达到 Ga As向 Si基底的转移... 本文研究晶格失配较大的 - 族化合物向 Si基底转移薄层的技术 ,为此制备了 Si/ Si O2 / Si结构的应力缓冲衬底。利用智能切割 (smart- cut)技术制备薄层 Ga As并以低温 Si O2 层过渡与应力缓冲衬底相键合 ,达到 Ga As向 Si基底的转移目的。并对结果进行了分析和讨论 ,认为该技术是可行的。同时特别强调了低温淀积 Si O2 层的完美性对最终转移的 Ga 展开更多

关键词 砷化镓 薄层转移 薄膜 硅应力

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非晶硅锗单结电池的研究

9

作者 王广才 孙建 +4 位作者 耿新华 孙云 李洪波 刘世国 陆靖谷 《半导体杂志》 1997年第3期1-3,8,共4页

ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２０１％的ａＳｉＧｅ单结电池。

关键词 电池 非晶硅锗 单结电池 p/i界面 i/n界面

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LCoS微型显示器设计与制造的特殊性分析

10

作者 耿卫东 代永平 +2 位作者 孟志国 陆靖谷 孙钟林 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期308-311,366,共5页

　LCoS显示技术是近几年特别受业界关注的新型显示技术之一,由于其具有高分辨率、高像素密度和低成本等特点,在微型显示器和投影显示器方面具有巨大的市场潜力。从LCoS硅背板设计、制造工艺和液晶盒组装等方面,阐述了LCoS显示关键技术... 　LCoS显示技术是近几年特别受业界关注的新型显示技术之一,由于其具有高分辨率、高像素密度和低成本等特点,在微型显示器和投影显示器方面具有巨大的市场潜力。从LCoS硅背板设计、制造工艺和液晶盒组装等方面,阐述了LCoS显示关键技术的特殊性及发展趋势。 展开更多

关键词 硅上液晶 版图设计 光学引擎 液晶模型

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掺磷氢化硅低温微晶化的研究

11

作者 耿新华 孟志国 +2 位作者 陆靖谷 孙钟林 徐温元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第9期555-560,T001,共7页

我们用辉光放电法在较低的衬底温度下(90℃)获得了掺磷微晶化硅(n^+μC-Si).并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2％掺杂时获得了电导率近30(Qcm)^(-1),电导激活能近似为零的微晶化材料.对微昌化材料的结... 我们用辉光放电法在较低的衬底温度下(90℃)获得了掺磷微晶化硅(n^+μC-Si).并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2％掺杂时获得了电导率近30(Qcm)^(-1),电导激活能近似为零的微晶化材料.对微昌化材料的结构进行了小角度X光衍射,拉曼散射谱的分析,并用扫描电镜观察了形貌.这种材料的晶粒较小而且结构均匀.又由于生长温度低,rf功率小,有利于与其它器件工艺匹配.文章对实验结果进行了讨论. 展开更多

关键词 掺磷 微晶硅 制造 辉光放电法 薄膜

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