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InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究 被引量：5
1
作者 牛南辉 王怀兵 +6 位作者 刘建平 刘乃鑫 邢燕辉 韩军 邓军 郭霞 沈光地 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期517-521,共5页
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则... 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。 展开更多
关键词 GaN 伏安特性 发光二极管(LED) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
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生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性 被引量：1
2
作者 牛南辉 王怀兵 +5 位作者 刘建平 刘乃鑫 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期422-424,共3页
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱... 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降。 展开更多
关键词 InGaN/GaN多量子阱(MQW) 光致发光(PL) 电致发光(EL) X射线双晶衍射(DCXRD) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
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基于支持向量机的中药药理作用预测研究 被引量：1
3
作者 雷蕾 杨策 +2 位作者 张黎 邢燕辉 温先荣 《世界科学技术-中医药现代化》 北大核心 2013年第8期1766-1770,共5页
本文基于中药药理文献数据,以中药的药性、药味、毒性、归经、主治、功效6个属性的所有值作为属性集,使用支持向量机对187个中药药理作用分别构建预测模型,并使用交叉验证的方法确定模型预测的准确率。然后使用准确率大于90%的中药药理... 本文基于中药药理文献数据,以中药的药性、药味、毒性、归经、主治、功效6个属性的所有值作为属性集,使用支持向量机对187个中药药理作用分别构建预测模型,并使用交叉验证的方法确定模型预测的准确率。然后使用准确率大于90%的中药药理作用预测模型对《中国药典》(2010版)收录的624味中药进行药理作用的预测。结果发现有108个模型的准确率大于90%,而抗菌作用预测模型的准确率达到99.76%。对中药的预测中预测百分比最高的是北豆根的抗氧化作用。 展开更多
关键词 中药 药理作用 预测模型 支持向量机
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InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
4
作者 牛南辉 王怀兵 +4 位作者 刘建平 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期4-7,共4页
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°... 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。 展开更多
关键词 铟镓氮 镁掺杂 霍尔测试 X射线双晶衍射 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积
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