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几种新型超硬薄膜的研究进展 被引量：4
1
作者 张生俊 陈光华 +2 位作者 邓金祥 宋雪梅 邵乐喜 《物理》 CAS 北大核心 2001年第10期622-627,共6页
超硬材料主要由Ⅲ ,Ⅳ ,Ⅴ族共价键化合物 (碳化物、氮化物 )和单质 (金刚石 )组成 ,硬度高于 4 0GPa ,有单晶、多晶、非晶等多种 .除金刚石外 ,这些材料都是人工合成的 ,没有天然对应物 .除超硬性质以外 ,这些材料大都具有宽带隙、高... 超硬材料主要由Ⅲ ,Ⅳ ,Ⅴ族共价键化合物 (碳化物、氮化物 )和单质 (金刚石 )组成 ,硬度高于 4 0GPa ,有单晶、多晶、非晶等多种 .除金刚石外 ,这些材料都是人工合成的 ,没有天然对应物 .除超硬性质以外 ,这些材料大都具有宽带隙、高温稳定性、化学惰性等优良的物理化学性质 .新型超硬薄膜材料研究从金刚石开始 ,目前主要的研究对象有金刚石、类金刚石碳 (DLC)、立方氮化硼 (cBN)、氮化碳 (C3N4 ,CNx)、硼碳氮 (BCN)等 ,是近二十年来材料研究的热门方向之一 .文章结合作者近年来的工作 ,介绍这几种超硬薄膜的研究进展和展望 . 展开更多
关键词 超硬材料 金刚石 立方氮化硼 氮化碳 类金刚石碳 超硬薄膜
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氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量 被引量：6
2
作者 胡跃辉 陈光华 +5 位作者 吴越颖 阴生毅 高卓 王青 宋雪梅 邓金祥 《中国科学（G辑）》 CSCD 2004年第3期279-289,共11页
研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法，分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因．理论推导及实验结果表明，若将SiH2和(SiH2)。含量大小用结构因子F=(I840+I880)I2000来表示，则在F值较... 研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法，分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因．理论推导及实验结果表明，若将SiH2和(SiH2)。含量大小用结构因子F=(I840+I880)I2000来表示，则在F值较小的情况下，薄膜折射率接近3．4或拟合厚度值d=0.71-0．89μm时，两种计算方法得到的氢含量很接近．研究还发现，制备工艺对薄膜的键结构及组分有很大的影响，不同的制备方法薄膜中形成的SiH2和(SiH2)n含量不同，F值大的样品均匀性差(表现为这些样品实测厚度值与拟合厚度值有较大的差异)；同时在这种情况下，两种方法计算得到它们的氢含量值相差较大，但CAT CVD辅助MWECR CVD制备方法，能有效地抑制SiH2和(SiH2)n的形成。 展开更多
关键词 氢化非晶硅薄膜 氢含量 红外透射谱 摇摆模 伸缩模 基线拟合
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退火温度对氧化镓薄膜及紫外探测器性能的影响 被引量：5
3
作者 落巨鑫 高红丽 +4 位作者 邓金祥 任家辉 张庆 李瑞东 孟雪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期347-356,共10页
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火,通过对样品的晶体结构、透射率、表面形貌和光学带隙等性质进行测试分析,发现退火工艺可以提升薄膜的结晶质量,但同时高温退火也容易... 采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火,通过对样品的晶体结构、透射率、表面形貌和光学带隙等性质进行测试分析,发现退火工艺可以提升薄膜的结晶质量,但同时高温退火也容易使得薄膜中的氧元素逸出薄膜外形成氧空位,选取800℃退火后样品制备成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型光电探测器件,并与未退火样品器件对比发现在1.1 V的反向偏压下,800℃的光暗电流比为1021.3、响应度为0.106 A/W、比探测率为1.61×10^(12)Jones,分别是未退火器件的7.5,195和38.3倍,外量子效率相较于未退火样品提升了51.6%,上升时间(0.19/0.48 s)相较于未退火样品(0.93/0.93 s)减小,下降时间(0.64/0.72 s)与未退火样品(0.45/0.49 s)相比有所增大,表明氧空位的增加可以减缓光生载流子的复合来达到延长载流子寿命的效果,最后详细分析了退火后氧空位的增多导致探测器性能参数提高的机理. 展开更多
关键词 氧化镓 射频磁控溅射 后退火温度 日盲探测器
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宽带隙立方氮化硼薄膜制备 被引量：6
4
作者 邓金祥 王波 +1 位作者 严辉 陈光华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期66-68,共3页
报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼 ( c- BN)薄膜的实验结果 .研究了衬底负偏压对制备c- BN薄膜的影响 .c- BN薄膜沉积在 p型 Si( 10 0 )衬底上 ,溅射靶为六角氮化硼 ( h- BN) ,工作气体为 Ar气和 N2 气混合而成 ,薄膜... 报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼 ( c- BN)薄膜的实验结果 .研究了衬底负偏压对制备c- BN薄膜的影响 .c- BN薄膜沉积在 p型 Si( 10 0 )衬底上 ,溅射靶为六角氮化硼 ( h- BN) ,工作气体为 Ar气和 N2 气混合而成 ,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识 .结果表明 ,在射频功率和衬底温度一定时 ,衬底负偏压是影响 c-BN薄膜生长的重要参数 .在衬底负偏压为 - 2 0 0 V时得到了立方相含量在 90 %以上的 c- BN薄膜 .还给出了薄膜中的立方相含量随衬底负偏压的变化 ,并对 c- 展开更多
关键词 立方氮化硼 薄膜 射频溅射 宽带隙
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衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 被引量：4
5
作者 陈光华 邓金祥 +3 位作者 张生俊 宋雪梅 王波 严辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期83-87,共5页
较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 .用热丝增强射频等离子体CVD法 ,以NH3,B2 H6和H2 为反应气体 ,在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上 ,成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜 .还用13 5 6MHz的射频溅射系统将c BN薄膜沉... 较系统地研究了不同衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 .用热丝增强射频等离子体CVD法 ,以NH3,B2 H6和H2 为反应气体 ,在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上 ,成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜 .还用13 5 6MHz的射频溅射系统将c BN薄膜沉积在Si衬底上 ,靶材为h BN(纯度 99 99% ) ,溅射气体为氩气和氮气的混合气体 ,所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于 90 % .用X射线衍射谱和傅里叶变换红外谱对样品进行的分析表明 ,衬底材料与c BN的晶格匹配情况 ,对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大 ,而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大 . 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 衬底 热丝CVD 射频溅射
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PASCO实验平台的设计性应用思路及其尝试 被引量：8
6
作者 刘立英 龙明亮 +1 位作者 刘国庆 邓金祥 《大学物理实验》 2011年第3期82-84,共3页
本文利用PASCO平台的传感器及数据采集设备对传统单缝衍射实验设备进行改造,使单缝衍射的光强分布等不易观察的物理量得到感官表现,并能通过软件进行定量分析,具有良好的实验教学效果。
关键词 单缝衍射 光强分布 设计性实验 PASCO传感器
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二维二硫化钼纳米薄膜材料的研究进展 被引量：7
7
作者 李瑞东 张浩 +4 位作者 潘志伟 白志英 孙俊杰 邓金祥 王建鹏 《中国钼业》 2018年第3期6-10,共5页
作为过渡金属硫族化合物,二硫化钼具有可调带隙的二维层状材料,其特有的性质引起科研工作者的广泛关注,在光电子领域有着广阔的应用前景。文章介绍了二硫化钼的结构及其性质,以及常见的制备二硫化钼纳米薄膜的方法。给出了表征二硫化钼... 作为过渡金属硫族化合物,二硫化钼具有可调带隙的二维层状材料,其特有的性质引起科研工作者的广泛关注,在光电子领域有着广阔的应用前景。文章介绍了二硫化钼的结构及其性质,以及常见的制备二硫化钼纳米薄膜的方法。给出了表征二硫化钼纳米薄膜的常见手段。 展开更多
关键词 二硫化钼 结构和性质 材料制备 薄膜表征
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真空蒸镀红荧烯薄膜及其形貌分析 被引量：6
8
作者 邓金祥 康成龙 +4 位作者 杨冰 满超 崔敏 孔乐 杨萍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期678-681,共4页
红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间... 红荧烯(rubrene)即5,6,11,12-四苯基并四苯,是一种重要的小分子有机半导体材料,可以用以制备红荧烯有机场效应管和太阳能光伏器件。本文首先对传统的热蒸发真空系统进行改造,使之能蒸镀有机薄膜。在一定的蒸发温度下,经过不同蒸镀时间蒸镀红荧烯薄膜,蒸镀时间分别为5,6,7,8 h,获得了具有多晶结构的红荧烯薄膜,并对其形貌进行了分析。结果表明非晶结构的红荧烯薄膜首先在硅衬底上生长,非晶红荧烯薄膜生长至一定厚度后,多晶结构的红荧烯从其中形成。 展开更多
关键词 红荧烯 薄膜 真空蒸发 表面形貌
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温度对Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳电池的性能影响
9
作者 崔敏 于添景 +2 位作者 李倩影 邓金祥 高红丽 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1179-1187,共9页
基于Varshni半导体材料带隙对温度的响应模型和Caughey-Thomas经验模型对晶格匹配的Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳能电池进行模拟,研究温度对材料带隙E_(g)和反向饱和电流密度J_(0)的影响,探索太阳能电池性能参数如... 基于Varshni半导体材料带隙对温度的响应模型和Caughey-Thomas经验模型对晶格匹配的Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳能电池进行模拟,研究温度对材料带隙E_(g)和反向饱和电流密度J_(0)的影响,探索太阳能电池性能参数如短路电流密度J_(sc)、开路电压V_(oc)、填充因子FF和转换效率η的温度依赖性。结果表明,250~400 K温度范围内,Ga_(0.84)In_(0.16)As和Ge_(0.93)Sn_(0.07)带隙随着温度的升高分别以-0.412、-0.274 meV/K的速率呈近似线性下降;随着材料内部温度的增加,各子电池的J_0呈指数型增长,J_(sc)和V_(oc)的温度系数分别约为12.86μA/(cm^(2)·K)和-3.48 mV/K,FF从0.87降低至0.78,η从31.39%降低至17.69%。其中,Ge_(0.93)Sn_(0.07)子电池的J_(sc)、V_(oc)、FF和η的温度系数分别约6.59μA/(cm^(2)·K)、-1.76 mV/K、-0.213%/K和-0.042%/K,表明GeSn材料的温度特性不同程度地优于常规Ⅲ-Ⅴ多结电池中的Ge子电池的温度特性。该研究结果有助于推动GaInAs/GeSn基多结太阳电池的低成本发展与应用。 展开更多
关键词 GeSn GAINAS 多结太阳电池 温度 光伏 温度特性
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直流反应磁控溅射法制备太阳电池用ITO透明导电膜 被引量：5
10
作者 崔敏 邓金祥 +1 位作者 张维佳 段苹 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期763-766,共4页
采用直流反应磁控溅射法制备了ITO透明导电薄膜,针对氧流量、溅射气压、溅射电流3种工艺参数对ITO薄膜电阻率和可见光区透射率的影响进行了分析和研究。结果表明:从ITO薄膜作为太阳电池用减反射层和电极出发,得到了工艺参数的优化值,分... 采用直流反应磁控溅射法制备了ITO透明导电薄膜,针对氧流量、溅射气压、溅射电流3种工艺参数对ITO薄膜电阻率和可见光区透射率的影响进行了分析和研究。结果表明:从ITO薄膜作为太阳电池用减反射层和电极出发,得到了工艺参数的优化值,分别为氧流量0.2 ml/min(标准状态),溅射气压3 Pa和溅射电流0.2 A,ITO薄膜的电阻率为3.7×10-3Ω.cm,透过率(550 nm)高达93.3%。另外,利用该优化工艺条件下制备的ITO薄膜作为电极和减反射层,制备了结构为ITO/n+-nc-Si∶H/-i nc-Si:H/p-c-Si/Ag的太阳能电池,电池开路电压Voc达到534.7mV,短路电流Isc达到49.24mA(3 cm2),填充因子为0.4228。 展开更多
关键词 ITO薄膜 直流磁控溅射 太阳电池 工艺参数
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用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜 被引量：5
11
作者 田凌 丁毅 +4 位作者 陈浩 刘钧锴 邓金祥 贺德衍 陈光华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期5441-5443,共3页
利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力... 利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响. 展开更多
关键词 立方氮化硼 射频溅射 压应力 基底负偏压
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退火温度对ZnO薄膜结晶和折射率的影响 被引量：5
12
作者 庞天奇 邓金祥 +3 位作者 王吉有 陈亮 程祎 王翀 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第2期93-97,共5页
采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同温度（100-800℃）下进行退火处理。然后利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）及椭偏仪对其结晶性能和光学性能进行了表征,探讨了退火温度对薄膜... 采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同温度（100-800℃）下进行退火处理。然后利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）及椭偏仪对其结晶性能和光学性能进行了表征,探讨了退火温度对薄膜光学性能的影响,并分析其原因。研究表明：退火可以使c轴生长的薄膜取向性增强;同时晶粒尺寸增大,表明粗糙度也会增加。所测得的薄膜折射率变化范围为1.775-2.059,其中退火温度为500℃时对应相同波长的折射率最大,变化范围为1.894-2.059。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 磁控溅射 退火 缺陷 晶粒尺寸 折射率
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会泽县马铃薯晚疫病发生流行调查及防控措施 被引量：2
13
作者 张瑞 杨加琼 +6 位作者 邓金祥 郑科美 陈国艳 夏吉会 蒋瑞荣 周琼 付仙 《云南农业科技》 2023年第S01期4-6,共3页
马铃薯晚疫病是马铃薯生产中对产量影响最大的病害之一,为了寻找最适合会泽县马铃薯晚疫病的防控措施,科学环保防治、达到增产提质增效的效果,助力稳粮增收。文章结合会泽县马铃薯种植生产的实际,通过对马铃薯晚疫病发病症状识别、发生... 马铃薯晚疫病是马铃薯生产中对产量影响最大的病害之一,为了寻找最适合会泽县马铃薯晚疫病的防控措施,科学环保防治、达到增产提质增效的效果,助力稳粮增收。文章结合会泽县马铃薯种植生产的实际,通过对马铃薯晚疫病发病症状识别、发生规律及防控措施进行阐述,为会泽县马铃薯种植生产中晚疫病防控提供参考。 展开更多
关键词 马铃薯 晚疫病 发生流行 防治措施
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会泽县马铃薯晚疫病药剂防治效果试验
14
作者 郑科美 邓金祥 +5 位作者 葛林钦 夏吉会 龙坤云 张涛 王塞婼 黄吉惠 《云南农业科技》 2024年第2期45-47,52,共4页
为进一步验证6种杀菌剂对马铃薯晚疫病的防治效果,于2023年7—9月在曲靖市会泽县驾车乡开展了6种药剂防治马铃薯晚疫病的田间试验。试验结果表明,增威赢绿(10%氟噻唑吡乙酮+80%代森锰锌)防效最好,末次药后10 d和30 d防效分别为83.1%和81... 为进一步验证6种杀菌剂对马铃薯晚疫病的防治效果,于2023年7—9月在曲靖市会泽县驾车乡开展了6种药剂防治马铃薯晚疫病的田间试验。试验结果表明,增威赢绿(10%氟噻唑吡乙酮+80%代森锰锌)防效最好,末次药后10 d和30 d防效分别为83.1%和81.11%,表现出良好的速效性和持效性;其次是薯达康(3%丁子香酚+25%烯酰吗啉),末次药后10 d和30 d防效分别为78.02%和77.14%,也表现出较好速效性和持效性,此2种药剂可在会泽县马铃薯种植区大面积推广使用。 展开更多
关键词 马铃薯 晚疫病 药剂 防效试验
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会泽县苹果园桔小实蝇发生流行调查及防控措施
15
作者 邓金祥 郑科美 +6 位作者 张瑞 黄吉惠 付仙 龙坤云 蒋瑞荣 夏吉会 葛林钦 《云南农业科技》 2024年第3期46-47,51,共3页
桔小实蝇自2019年在会泽县首次发生以来,已成为会泽县水果种植的头号病虫害。文章结合会泽县苹果种植生产的实际,经过2年的调查,从桔小实蝇危害症状识别、发生规律及防控措施等方面进行阐述,为会泽县苹果种植生产中桔小实蝇防控提供参考。
关键词 苹果园 桔小实蝇 发生流行 防控措施
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灰尘对硅系列太阳能电池性能的影响 被引量：4
16
作者 赵卓静 崔敏 +4 位作者 王怡然 于海波 程洋 欧阳丽婷 邓金祥 《物理实验》 2016年第3期33-36,共4页
搭建了基于灰尘覆盖的太阳能电池特性测试系统,研究了灰尘覆盖对单晶硅、多晶硅和非晶硅3种硅太阳能电池的光电转换特性的影响.结果表明:3种硅太阳能电池的光电转换性能在灰尘均匀覆盖后均下降,但I-V曲线的形状未改变.随着灰尘面密度的... 搭建了基于灰尘覆盖的太阳能电池特性测试系统,研究了灰尘覆盖对单晶硅、多晶硅和非晶硅3种硅太阳能电池的光电转换特性的影响.结果表明:3种硅太阳能电池的光电转换性能在灰尘均匀覆盖后均下降,但I-V曲线的形状未改变.随着灰尘面密度的增大,3种太阳能电池的最大输出功率、短路电流、开路电压和转换效率指数下降,短路电流下降较快,开路电压下降缓慢,转换效率在电池覆盖0.1g灰尘相比于未覆盖灰尘时下降了约30%;填充因子变化受灰尘影响较小,仅非晶硅太阳能电池的填充因子略有浮动. 展开更多
关键词 硅太阳能电池 灰尘 光伏 转换效率
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后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜性质的影响 被引量：4
17
作者 李如永 段苹 +3 位作者 崔敏 王吉有 原安娟 邓金祥 《真空》 CAS 2019年第3期37-40,共4页
本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的(004)、(202)和(120)峰从无到有,(401)、(601)和... 本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的(004)、(202)和(120)峰从无到有,(401)、(601)和(122)峰由强变弱,表明退火改变了Mg掺杂Ga2O3薄膜的结构。AFM结果表明,退火后的薄膜表面均方根粗糙度由1.3637nm增大到17.1133nm。EDS结果表明,退火处理后的Mg元素重量百分比有所提高。紫外可见透射光谱研究表明,退火前薄膜在200-1500nm波长范围内的平均光透过率较低,大约为80%,退火后平均光透过率明显提高到90%以上,此外薄膜光学吸收边蓝移,带隙宽度变大,表明退火有助于改善薄膜结构,增强光透性。光致发光谱实验结果表明,相比较退火处理后的薄膜,退火前的光致发光峰几乎可以忽略不计,这说明退火可显著改变Mg掺杂Ga2O3薄膜的光致发光特性。 展开更多
关键词 后退火 Mg掺杂Ga2O3薄膜 光透过率 带隙宽度 光致发光谱
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GeSn光电薄膜及其研究进展
18
作者 李倩影 崔敏 +3 位作者 于添景 邓金祥 高红丽 原安娟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期729-740,共12页
GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破。对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展... GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破。对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展进行了详细地介绍。着重对GeSn在光伏电池和热光伏电池的研究进行了分析,并对其在光伏和热光伏领域的发展进行了展望,希望未来能为高效叠层太阳电池的研究提供新思路和新方法。 展开更多
关键词 GeSn 基本物性 光电器件 光伏电池 热光伏电池
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空气密度测量仪的研制与测试研究 被引量：4
19
作者 王旭 崔敏 +6 位作者 周琪 崔成宇 万欣 邓金祥 王吉有 原安娟 刘国庆 《物理实验》 2013年第12期41-44,共4页
研制了空气密度测量仪,能够同时测量并直接显示空气的温度、湿度、压强和密度.密封空气的测量结果较好地验证了理想气体状态方程,空气密度测量不确定度为0.1kg/m3,湿度的不确定度对密度测量的影响最大.
关键词 空气密度 不确定度 温度 湿度 压强
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立方氮化硼薄膜的光学带隙 被引量：3
20
作者 邓金祥 汪旭洋 +2 位作者 姚倩 周涛 张晓康 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期6631-6635,共5页
用射频溅射法在p型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识,用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱,利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数,进而确定c-BN薄膜的... 用射频溅射法在p型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识,用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱,利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数,进而确定c-BN薄膜的光学带隙.对于立方相含量为55.4%的c-BN薄膜,光学带隙为5.38 eV. 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 光学带隙 K-K关系
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