目的探讨腔隙性脑梗死患者认知功能与脑事件相关电位的关系。方法连续收集2014—2019年就诊于开滦总医院神经内科的腔隙性脑梗死患者464例作为观察对象(病例组),进行前瞻性队列研究。病例组依据简易智能精神状态(mini-mental state exam...目的探讨腔隙性脑梗死患者认知功能与脑事件相关电位的关系。方法连续收集2014—2019年就诊于开滦总医院神经内科的腔隙性脑梗死患者464例作为观察对象(病例组),进行前瞻性队列研究。病例组依据简易智能精神状态(mini-mental state examination,MMSE)评分分为认知正常组352例和轻度认知障碍组112例。同时选取同期100名健康体检志愿者为对照组。对所有研究对象进行简易智能精神状态、宗氏焦虑、宗氏抑郁量表测评和脑事件相关电位P3a和P3b检测。正态分布的计量资料采用单因素方差分析,非正态分布的计量资料采用Kruskal-WallisH检验,计数资料采用χ^(2)检验,非条件Logistics(逐步法)进行多因素统计学分析。结果对照组、认知正常组、轻度认知障碍组占比吸烟者分别为20.00%(20/100)、38.07%(134/352)、46.42%(52/112);饮酒者分别为18.00%(18/100)、33.24%(117/352)、33.93%(38/112);高血压分别为38.00%(38/100)、58.24%(205/352)、59.82%(67/112);高同型半胱氨酸血症分别为19.00%(19/100)、34.00%(120/352)、68.75%(77/112),3组间比较差异均有统计学意义(χ^(2)值分别为15.66、7.91、11.86、54.57,P<0.001、P=0.019、P=0.003、P<0.001)。3组视觉P3b波群N2峰潜伏期CZ导联分别为(271.48±40.65)、(285.67±44.08)、(290.57±68.41)ms,PZ导联分别为(276.70±50.92)、(287.86±43.28)、(312.16±62.75)ms;P3b峰潜伏期FZ导联分别为(392.67±42.50)、(405.82±52.43)、(410.34±64.27)ms,CZ导联分别为(395.04±42.44)、(412.51±55.86)、(433.28±66.32)ms,PZ导联分别为(398.24±40.93)、(411.17±49.48)、(435.78±67.69)ms;N2波幅CZ导联分别为(-3.99±2.81)、(-3.60±3.00)、(-2.70±2.37)μV,PZ导联分别为(-3.18±2.69)、(-2.91±2.62)、(-1.87±2.89)μV;P3b波幅FZ导联分别为5.27(3.27,7.40)、4.21(2.31,6.49)、3.12(1.61,5.08)μV,CZ导联分别为4.81(2.78,6.71)、4.15(2.76,6.16)、3.51(1.75,5.15)μV,PZ导联分别为5.17(3.03,6.97)、4.40(2.89,6.12)、3.43(1.52,5.34)μV,3组间比�展开更多
文摘目的探讨腔隙性脑梗死患者认知功能与脑事件相关电位的关系。方法连续收集2014—2019年就诊于开滦总医院神经内科的腔隙性脑梗死患者464例作为观察对象(病例组),进行前瞻性队列研究。病例组依据简易智能精神状态(mini-mental state examination,MMSE)评分分为认知正常组352例和轻度认知障碍组112例。同时选取同期100名健康体检志愿者为对照组。对所有研究对象进行简易智能精神状态、宗氏焦虑、宗氏抑郁量表测评和脑事件相关电位P3a和P3b检测。正态分布的计量资料采用单因素方差分析,非正态分布的计量资料采用Kruskal-WallisH检验,计数资料采用χ^(2)检验,非条件Logistics(逐步法)进行多因素统计学分析。结果对照组、认知正常组、轻度认知障碍组占比吸烟者分别为20.00%(20/100)、38.07%(134/352)、46.42%(52/112);饮酒者分别为18.00%(18/100)、33.24%(117/352)、33.93%(38/112);高血压分别为38.00%(38/100)、58.24%(205/352)、59.82%(67/112);高同型半胱氨酸血症分别为19.00%(19/100)、34.00%(120/352)、68.75%(77/112),3组间比较差异均有统计学意义(χ^(2)值分别为15.66、7.91、11.86、54.57,P<0.001、P=0.019、P=0.003、P<0.001)。3组视觉P3b波群N2峰潜伏期CZ导联分别为(271.48±40.65)、(285.67±44.08)、(290.57±68.41)ms,PZ导联分别为(276.70±50.92)、(287.86±43.28)、(312.16±62.75)ms;P3b峰潜伏期FZ导联分别为(392.67±42.50)、(405.82±52.43)、(410.34±64.27)ms,CZ导联分别为(395.04±42.44)、(412.51±55.86)、(433.28±66.32)ms,PZ导联分别为(398.24±40.93)、(411.17±49.48)、(435.78±67.69)ms;N2波幅CZ导联分别为(-3.99±2.81)、(-3.60±3.00)、(-2.70±2.37)μV,PZ导联分别为(-3.18±2.69)、(-2.91±2.62)、(-1.87±2.89)μV;P3b波幅FZ导联分别为5.27(3.27,7.40)、4.21(2.31,6.49)、3.12(1.61,5.08)μV,CZ导联分别为4.81(2.78,6.71)、4.15(2.76,6.16)、3.51(1.75,5.15)μV,PZ导联分别为5.17(3.03,6.97)、4.40(2.89,6.12)、3.43(1.52,5.34)μV,3组间比�
