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激光技术在金刚石加工中的研究及应用进展 被引量:3
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作者 叶盛 +6 位作者 邢忠福 彭志勇 郑宇亭 陈良贤 刘金龙 李成明 魏俊俊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第2期36-57,共22页
激光加工是目前金刚石的主流加工方法,相较于传统的机械加工形式,激光加工精度高、效率高、普适性强,因而在金刚石切割、微孔成型、微槽道加工及平整化等方面均得到广泛应用。文中阐述了金刚石激光加工原理,介绍了不同类型激光与金刚石... 激光加工是目前金刚石的主流加工方法,相较于传统的机械加工形式,激光加工精度高、效率高、普适性强,因而在金刚石切割、微孔成型、微槽道加工及平整化等方面均得到广泛应用。文中阐述了金刚石激光加工原理,介绍了不同类型激光与金刚石材料相互作用机制,重点总结了近几年多种激光加工金刚石模式的发展现状,分析了新型的激光加工方法的特点,探讨了现阶段激光技术在金刚石加工领域面临的问题、挑战及未来的发展趋势。 展开更多
关键词 金刚石 激光加工 激光切割 微孔成型 微槽道 激光平整化
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Effect of surface modification on the radiation stability of diamond ohmic contacts
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作者 牟恋希 +7 位作者 王鹏 原晓芦 刘金龙 朱志甫 陈良贤 魏俊俊 欧阳晓平 李成明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期444-448,共5页
The ohmic contact interface between diamond and metal is essential for the application of diamond detectors.Surface modification can significantly affect the contact performance and eliminate the interface polarizatio... The ohmic contact interface between diamond and metal is essential for the application of diamond detectors.Surface modification can significantly affect the contact performance and eliminate the interface polarization effect.However,the radiation stability of a diamond detector is also sensitive to surface modification.In this work,the influence of surface modification technology on a diamond ohmic contact under high-energy radiation was investigated.Before radiation,the specific contact resistivities(ρc)between Ti/Pt/Au-hydrogen-terminated diamond(H-diamond)and Ti/Pt/Au-oxygenterminated diamond(O-diamond)were 2.0×10^(-4)W·cm^(2) and 4.3×10^(-3)Wcm^(2),respectively.After 10 MeV electron radiation,the ρc of Ti/Pt/Au H-diamond and Ti/Pt/Au O-diamond were 5.3×10^(-3)W·cm^(2)and 9.1×10^(-3)W·cm^(2),respectively.The rates of change of ρc of H-diamond and O-diamond after radiation were 2550%and 112%,respectively.The electron radiation promotes bond reconstruction of the diamond surface,resulting in an increase in ρc. 展开更多
关键词 single crystal diamond ohmic contact surface modification electron radiation
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硅终端金刚石半导体与场效应管器件研究进展
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作者 刘金龙 子辰 +8 位作者 朱肖华 王鹏 郭津瑞 郭明明 魏俊俊 陈良贤 李建林 李成明 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期3005-3014,共10页
金刚石作为超宽禁带半导体材料的代表,逐渐成为大家关注的热点。尽管在材料制备、器件研制与性能方面取得了一定进展,但其半导体掺杂技术至今没有很好解决。氢终端金刚石由于具有典型的二维空穴气而被广泛应用于微波功率器件的研究,但... 金刚石作为超宽禁带半导体材料的代表,逐渐成为大家关注的热点。尽管在材料制备、器件研制与性能方面取得了一定进展,但其半导体掺杂技术至今没有很好解决。氢终端金刚石由于具有典型的二维空穴气而被广泛应用于微波功率器件的研究,但其存在稳定性不佳、界面态浓度较高等问题。相比而言,近年来出现的硅终端(C—Si)金刚石具有比氢终端(C—H)金刚石更低的界面态密度、更高的阈值电压、载流子密度和稳定性等优点,有望解决氢终端金刚石半导体器件的问题。硅终端金刚石电子器件表现出高阈值电压的增强型特性,其机制尚不明确。本文从氢终端金刚石的结构、导电机理出发,分析限制其发展的主要问题,并综述了硅终端金刚石的导电机理、制备方法以及相应的界面结构,初步分析了硅终端MOSFETs的性能水平,最后阐述了目前硅终端金刚石发展存在的问题并展望了其发展前景。 展开更多
关键词 硅终端金刚石 金刚石半导体 场效应管器件
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h-BN/diamond异质结的制备与沟道载流子输运性质 被引量:1
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作者 贾燕伟 何健 +6 位作者 何萌 朱肖华 刘金龙 陈良贤 魏俊俊 李成明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第22期319-326,共8页
基于h-BN钝化的氢终端金刚石表面导电沟道表现出高的空穴迁移率,但是当前h-BN钝化金刚石主要采用机械剥离的方法,无法实现大尺寸导电沟道,难以满足实际的应用要求.本文系统地开展了经典转移hBN对氢终端金刚石表面导电沟道的载流子输运... 基于h-BN钝化的氢终端金刚石表面导电沟道表现出高的空穴迁移率,但是当前h-BN钝化金刚石主要采用机械剥离的方法,无法实现大尺寸导电沟道,难以满足实际的应用要求.本文系统地开展了经典转移hBN对氢终端金刚石表面导电沟道的载流子输运影响研究.通过微波化学气相沉积外延生长高质量单晶金刚石,并通过表面氢化处理得到氢终端金刚石.通过湿法转移不同层数h-BN制备出h-BN/H-diamond异质结,系统地研究了沟道载流子输运特征.研究结果表明, h-BN转移后沟道导电性能明显增强,且随着h-BN厚度的增加,沟道导电性增强效果趋于稳定.多层h-BN的转移可使氢终端金刚石表面载流子密度提升近2倍,方阻降低到之前的50%.当前的结果显示h-BN/H-diamond异质结可能存在转移掺杂效果,使得载流子密度显著提升.伴随载流子密度的增加, h-BN钝化的金刚石表面沟道迁移率保持稳定, h-BN在金刚石表面吸附,使得原本在氢终端表面的负电荷向h-BN表面移动,作用距离加大,减弱了氢终端金刚石导电沟道中空穴和介质层负电荷的耦合作用,使其迁移率保持稳定. 展开更多
关键词 氢终端金刚石 异质结 六方氮化硼 湿法转移
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