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磁控溅射法制备电致变色器件的研究进展 被引量：1
1
作者 谢意含 杨小天 +2 位作者 胡小军 张祺 黄林茂 《光源与照明》 2024年第1期56-58,共3页
电致变色材料在外部施加电压的作用下可实现光学特性的可逆性转换,基于此原理设计的电致变色器件因其优异的低功耗特性得到了广泛应用。在电致变色器件的制备工艺中磁控溅射技术因其工艺成熟,操作简单,镀膜质量好等优势成为研究者们制... 电致变色材料在外部施加电压的作用下可实现光学特性的可逆性转换,基于此原理设计的电致变色器件因其优异的低功耗特性得到了广泛应用。在电致变色器件的制备工艺中磁控溅射技术因其工艺成熟,操作简单,镀膜质量好等优势成为研究者们制备电致变色器件的首选。文章简述了磁控溅射技术的原理与分类、电致变色器件的结构与原理,总结了近年来磁控溅射技术在电致变色器件制备过程中的应用。 展开更多
关键词 磁控溅射技术 电致变色器件 薄膜制备
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IAZO薄膜晶体管的制备与性能研究
2
作者 张祺 初学峰 +2 位作者 胡小军 黄林茂 谢意含 《日用电器》 2024年第4期113-118,共6页
为了探究退火温度对IAZO薄膜晶体管器件光电性能的影响,采用射频溅射单溅射法,并在(400~700)℃的范围内制备了一系列真空退火后的IAZO薄膜晶体管。分别对IAZO薄膜表面形貌、内部结构、元素组成和价态组成进行分析,采用半导体参数仪及搭... 为了探究退火温度对IAZO薄膜晶体管器件光电性能的影响,采用射频溅射单溅射法,并在(400~700)℃的范围内制备了一系列真空退火后的IAZO薄膜晶体管。分别对IAZO薄膜表面形貌、内部结构、元素组成和价态组成进行分析,采用半导体参数仪及搭配的探针台测试电学性能测试。采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,随着退火温度的升高,器件的电学性能先呈现上升趋势,达到峰值后开始下降。在500 ℃真空退火1 h后,IAZO TFT饱和迁移率为0.18 cm2/(V·s)、阈值电压为3.35 V、亚阈值摆幅为0.10 V/decade、开关比为1.13*108。IAZO薄膜透光率达到90 %以上、光学带隙达到4.1 eV,器件性能达到最佳。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 退火处理 XPS分析 铟铝锌氧化物 光电性能
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铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析
3
作者 初学峰 黄林茂 +2 位作者 张祺 谢意含 胡小军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期848-854,共7页
本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样... 本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样品的表面较为均匀。通过X射线光电子能谱仪(XPS)表征薄膜样品表面的元素、组成、价态和电子态信息,结果表明制备方式与退火处理等因素影响了薄膜样品表面的元素组成与价态,这些信息与薄膜的电学和光学性能具有一定的关联。上述研究结果可以为新型透明导电薄膜的设计和性能提升提供参考。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 磁控溅射 退火 表面形貌 X射线光电子能谱 透过率
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氧化锌锡薄膜晶体管的制备与性能研究
4
作者 初学峰 胡小军 +2 位作者 张祺 黄林茂 谢意含 《液晶与显示》 CSCD 北大核心 2024年第1期40-47,共8页
为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO... 为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试,利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响,探索高性能薄膜晶体管的原理机制。实验结果表明,所有ZTO薄膜样品是非晶结构,表面致密,透光率均大于90%。适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能。在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好,其饱和迁移率达到了15.61 cm^(2)/(V·s),亚阈值摆幅为0.30 V/decade,阈值电压为-5.06 V,电流开关比为8.92×10^(9)。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 溅射功率 XPS分析 ZTO薄膜
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