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Nb/Al-AlO_x/Nb隧道结制备中压控电压源阳极氧化工艺研究 被引量:2
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作者 查士同 曹春海 +5 位作者 李梦月 康琳 伟伟 陈健 吴培亨 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期31-33,共3页
采用计算机程控的压控电压源阳极氧化模式研究制备出自对准Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的绝缘层Nb2O5/Al2O3/Nb2O5。研究了氧化电压、氧化层的厚度和氧化时间的关系。当阳极氧化电压变化率低于8V/min时,阳极氧化层的厚度基本取决于氧化电压的大... 采用计算机程控的压控电压源阳极氧化模式研究制备出自对准Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的绝缘层Nb2O5/Al2O3/Nb2O5。研究了氧化电压、氧化层的厚度和氧化时间的关系。当阳极氧化电压变化率低于8V/min时,阳极氧化层的厚度基本取决于氧化电压的大小,而与氧化电压变化率无关。我们已采用电压源阳极氧化技术成功制备出超导Nb/Al-AlOx/Nb隧道结。 展开更多
关键词 阳极氧化 隧道结 Nb/Al-AlOx/Nb
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Nb/A1-AlO_X/Nb隧道结的制备研究 被引量:2
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作者 肖伟 曹春海 +6 位作者 李梦月 卢亚鹏 康琳 伟伟 陈健 吴培亨 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1-3,共3页
通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1-AlOX/Nb隧道结。采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀。使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏... 通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1-AlOX/Nb隧道结。采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀。使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏电流。 展开更多
关键词 Nb/A1-AlOX/Nb 隧道结 制备工艺
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半导体读出电路与超导体太赫兹检测器的集成化 被引量:1
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作者 日比康词 +2 位作者 陈健 康琳 吴培亨 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2013年第4期291-294,共4页
在制作基于二维超导检测阵列的太赫兹成像系统时,为了降低系统噪声,提高灵敏度、运行速度和工作稳定性,设计了一种集成低噪声低温半导体读出电路的高灵敏度超导太赫兹检测系统。基于Nb/Al/AlOX/Al/Nb超导隧道结制备了超导太赫兹直接检测... 在制作基于二维超导检测阵列的太赫兹成像系统时,为了降低系统噪声,提高灵敏度、运行速度和工作稳定性,设计了一种集成低噪声低温半导体读出电路的高灵敏度超导太赫兹检测系统。基于Nb/Al/AlOX/Al/Nb超导隧道结制备了超导太赫兹直接检测器,使用半导体砷化镓结型场效应晶体管制备低温读出电路,并将超导体元器件和半导体元器件集成在同一块芯片上,避免了传统工艺中常用的连接导线或者焊盘。将集成芯片设计成直径为12mm的圆形芯片,与耦合太赫兹波信号的硅超半球透镜的尺寸一致,并将检测器天线制备在集成芯片中心处,解决了太赫兹波的耦合等问题。 展开更多
关键词 超导电子 半导体读出电路 超导体太赫兹检测器
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Nb/AlOx-Al/Nb超导隧道结制备氧化工艺与特性研究
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作者 卢亚鹏 曹春海 +7 位作者 李梦月 肖伟 房玉荣 伟伟 康琳 陈健 吴培亨 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期35-38,共4页
提出一种氧的等离子氧化的方法改善结区边缘绝缘性能,降低超导隧道结的漏电流。对Al膜进行等离子氧化能够有效的改善氧化膜的绝缘性能,AES分析表明:氧化绝缘层均匀,界面清晰;应用此方法成功制备出较好性能的Nb隧道结。
关键词 超导隧道结 等离子氧化 阳极氧化 制备工艺
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Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究
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作者 房玉荣 曹春海 +6 位作者 王林 张广涵 姚晓栋 伟伟 孙国柱 吴培亨 《低温与超导》 CAS 北大核心 2013年第9期47-49,69,共4页
研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道... 研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流I c为55nA,漏电流为5nA。 展开更多
关键词 AL AlOx AL 超导隧道结 铝刻蚀 制备工艺
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Fabrication of High-Quality Niobium Superconducting Tunnel Junctions
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作者 XU Qin-Yin CAO Chun-Hai +6 位作者 LI Meng-Yue JIANG Yi ZHA Shi-Tong KANG Lin XU Wei-Wei CHEN Jian WU Pei-Heng 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2011年第8期289-292,共4页
For high-quality superconducting tunnel junctions(STJs),it is necessary to reduce leakage current as much as possible.We describe the fabrication of niobium STJs using the selective niobium(Nb)etching process and vari... For high-quality superconducting tunnel junctions(STJs),it is necessary to reduce leakage current as much as possible.We describe the fabrication of niobium STJs using the selective niobium(Nb)etching process and various ways to minimize the leakage current.The experiment shows that the leakage current mainly comes from shorts in the tunnel barrier layer rather than those around the junction edges.Through systematic analysis of the thin film stress,surface morphology and modified junction structures,we fabricate high-quality Nb STJs with a gap voltage of 2.8 mV and a leakage current at 1 mV as low as 8.1%and 0.023%at 4.2 K and 0.3 K,respectively. 展开更多
关键词 LEAKAGE TUNNEL FILM
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