氧化锌非线性电阻冲击老化机理的研究 被引量：16

1

作者 李慧峰 王士良 +1 位作者 许毓春 王礼琼 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 1993年第S1期27-33,共7页

本文通过探讨氧化锌非线性电阻承受大电流冲击前后其介电频谱的改变,来研究它的冲击老化机理。实验发现,氧化锌非线性电阻的介电频谱遵循Jonscher提出的介电行为普适规律。梯度因子m宏观上可以用来衡量氧化锌非线性电阻冲击老化的程度,... 本文通过探讨氧化锌非线性电阻承受大电流冲击前后其介电频谱的改变,来研究它的冲击老化机理。实验发现,氧化锌非线性电阻的介电频谱遵循Jonscher提出的介电行为普适规律。梯度因子m宏观上可以用来衡量氧化锌非线性电阻冲击老化的程度,微观上可以反映材料内部微观状态的变化情况。本文从微观上分析了氧化锌非线性电阻冲击老化的机理与材料介电响应的关系。 展开更多

关键词 氧化锌非线性电阻 冲击老化 介电响应

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SiO＿2对TiO＿2系压敏陶瓷电性能的影响 被引量：15

2

作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王士良 王礼琼 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第5期41-43,共3页

本文主要讨论ＳｉＯ＿２对ＴｉＯ＿２系压敏陶瓷电性能的影响，并从理论上作了深入分析。

关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 非线性 二氧化硅

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ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂 被引量：9

3

作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王礼琼 王士良 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第2期126-130,共5页

本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增... 本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强。如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿。 展开更多

关键词 氧化锌 半导体 压敏陶瓷 一价金属离子 掺杂

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Nb_2O_5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 被引量：8

4

作者 李慧峰 许毓春 +1 位作者 王礼琼 王士良 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第6期27-30,共4页

本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度... 本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。 展开更多

关键词 氧化锌陶瓷 压敏电阻器 陶瓷 掺杂 性能 电阻器

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MOA阀片中有害杂质微掺杂研究 被引量：6

5

作者 吕文中 曹书云 许毓春 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1991年第5期57-60,共4页

研究了掺杂Cu、Cd和Na杂质对MOA阀片的大电流残压比的影响,指出Cu对MOA阀片极为有害。

关键词 氧化锌 杂质 避雷器 阀片 试验

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MgO对ZnO压敏电阻电性能的影响 被引量：2

6

作者 许毓春 李慧峰 +1 位作者 王礼琼 王士良 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第2期114-116,共3页

研究了ＭｇＯ掺杂对ＺｎＯ压敏电阻电性能的影响。结果表明，ＭｇＯ含量增加，压敏场强Ｅ１ｍａ＝Ｖ１ｍＡ／ｄ上升，通流能力增强，非线性指数α和漏电流ＩＬ变化不大。文中还对上述结果进行了理论分析。

关键词 压敏电阻 掺杂 电性能 氧化锌 氧化镁

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Bi_2O_3和Sb_2O_3的预复合对ZnO压敏电阻性能的影响 被引量：3

7

作者 翁俊梅 姜胜林 +1 位作者 许毓春 张光祖 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期12-15,共4页

采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电... 采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10–8A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5%。 展开更多

关键词 ZNO压敏电阻 BiSbO4 微观结构 电学性能

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一种新型线性电阻材料──ZnO陶瓷 被引量：2

8

作者 徐业彬 王士良 +1 位作者 许毓春 曾繁涤 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第2期135-137,157,共4页

ＺｎＯ线性电阻是由ＺｎＯ晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻边界层。它具有很大的耐浪涌能量、线性的Ｖ－Ｉ特性、小的正电阻温度系数。本文讨论了配方及工艺对ＺｎＯ线性电阻性能的影响，并探讨了２ｎＯ线性电阻的微观结构和导... ＺｎＯ线性电阻是由ＺｎＯ晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻边界层。它具有很大的耐浪涌能量、线性的Ｖ－Ｉ特性、小的正电阻温度系数。本文讨论了配方及工艺对ＺｎＯ线性电阻性能的影响，并探讨了２ｎＯ线性电阻的微观结构和导电机理。 展开更多

关键词 线性电阻材料 ZnO陶瓷 电性能 导电机理

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钛的复合掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响 被引量：2

9

作者 李慧峰 许毓春 +3 位作者 王礼琼 王士良 王琼 高四喜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第1期28-31,共4页

本文研究了钛以不同的复合物加入时，对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验在明，不同的复合物掺杂对ＺｎＯ压敏电阻器电性能影响规律不同，当钛的复合物在压敏电阻器烧结过程中有利于钛溶于晶界处的富铋液相中时，则有利于晶粒的生长。

关键词 性能 钛 复合掺杂 压敏电阻器 氧化锌

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Cu-Fe系陶瓷负阻机理及稳定性的研究

10

作者 张欣 吕鹏程 +2 位作者 庄志强 王歆 许毓春 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期8-9,共2页

本文探讨了Cu -Fe系负阻陶瓷的内在机理 。

关键词 负阻机理 陶瓷烧结体 稳定性 掺铜 铜铁系

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ZnO非线性电阻冲击蜕变机理分析

11

作者 许毓春 曹书云 +1 位作者 王士良 赵时坚 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1992年第A00期85-90,共6页

使用透射电镜、能谱、电子衍射等微观分析手段,对脉冲大电流冲击后的ZnO非线性电阻I-V特性蜕变现象进行了研究.实验结果表明,ZnO非线性电阻的冲击蜕变主要是由于离子迁移致使正、负离子在晶界层与晶粒界面两侧的积累和离散所造成的,同... 使用透射电镜、能谱、电子衍射等微观分析手段,对脉冲大电流冲击后的ZnO非线性电阻I-V特性蜕变现象进行了研究.实验结果表明,ZnO非线性电阻的冲击蜕变主要是由于离子迁移致使正、负离子在晶界层与晶粒界面两侧的积累和离散所造成的,同时也与富铋界面层的相结构改变有密切的关系. 展开更多

关键词 氧化锌 非线性电阻 冲击 蜕变

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Ba^(2+)取代对PSN-PZT瓷结构和压电性能的影响 被引量：1

12

作者 吕文中 韦蓓 +1 位作者 范桂芬 许毓春 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期23-25,共3页

研究了Ba2+A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响,XRD分析结果表明:所有样品具有钙钛矿结构,同时Ba2+取代Pb2+使得晶胞体积增大,c/a轴比减小。当Ba2+取代量增大时,样品中三方相和四方相共存。随着Ba2+取代量的增大,陶瓷样品... 研究了Ba2+A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响,XRD分析结果表明:所有样品具有钙钛矿结构,同时Ba2+取代Pb2+使得晶胞体积增大,c/a轴比减小。当Ba2+取代量增大时,样品中三方相和四方相共存。随着Ba2+取代量的增大,陶瓷样品的密度降低,εr(2863)和d33(507pC·N–1)显著提高,居里点向室温移动。 展开更多

关键词 无机非金属材料 铌锑锆钛酸铅 压电陶瓷 取代 压电介电性能

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掺铜氧化铁陶瓷负阻特性的研究 被引量：1

13

作者 张欣 吕鹏程 许毓春 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期111-113,共3页

研究了掺铜氧化铁陶瓷的负阻特性，并从相结构入手，探讨了负阻机理，分析了该类材料在一定温区内呈现负阻性能的原因。

关键词 负阻性能 陶瓷 掺铜氧化铁

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ZnO非线性电阻残压特性研究 被引量：1

14

作者 许毓春 王士良 李慧峰 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1992年第A00期91-95,共5页

本文研究了不同掺Al量和各种烧成条件对ZNR(Zinc oxide nonlinear resistor,即ZnO非线性电阻)I-V特性的影响,从理论上分析了不同掺Al量引起ZNR的I-V特性曲线变化的原因,讨论了烧成条件对ZNR残压和大电流冲击蜕变性能影响的机理,最后获... 本文研究了不同掺Al量和各种烧成条件对ZNR(Zinc oxide nonlinear resistor,即ZnO非线性电阻)I-V特性的影响,从理论上分析了不同掺Al量引起ZNR的I-V特性曲线变化的原因,讨论了烧成条件对ZNR残压和大电流冲击蜕变性能影响的机理,最后获得了性能优良的ZnO非线性电阻片的制作技术. 展开更多

关键词 氧化锌 非线性电阻 残压特性

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ZnO陶瓷材料的负阻特性 被引量：1

15

作者 张欣 许毓春 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第3期201-203,共3页

介绍了ＺｎＯ陶瓷的负阻特性，主要研究了ＭｎＯ２掺杂和Ｎｉ２Ｏ３掺杂对ＺｎＯ陶瓷负阻特性的影响。

关键词 负阻特性 掺杂 氧化锌 陶瓷材料

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添加剂对Fe-Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

16

作者 马跃 许毓春 +1 位作者 王礼琼 李慧玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期420-423,共4页

文章介绍了以Ｆｅ２Ｏ３和Ｃｕ２Ｏ为主成分的陶瓷材料的负阻特性，分析论述了Ｃｏ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３以及ＭｎＯ２掺杂对Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料负阻性能的影响，实验制得负阻系数ｎ＞１０，电压Ｖｐ＞２００的负阻性能良好的陶瓷材料。

关键词 陶瓷 负阻特性 掺杂 铁-铜系

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高压避雷器阀片的改性研究

17

作者 王士良 许毓春 +1 位作者 许沛霖 李慧峰 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1992年第A00期79-83,共5页

一般避雷器阀片不能满足超高压避雷器的要求,需要改进配方、工艺,提高性能.本文针对降低残压比和减小大电流冲击后V_(1mA)的相对跌落两方面的问题进行了试验研究.

关键词 高压避雷器 阀片 避雷器

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烧成工艺对Fe-Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

18

作者 马跃 许毓春 王礼琼 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第3期7-8,20,共3页

通过大量的实验研究证明：Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料对烧成温度比较敏感，样品的烧成温区比较窄，只有２０°左右。同一烧成温度下，保温时间越长，负阻特性能越坏，击穿电压、负值系数下降。降温速率对其负阻特性没有多大影响，采取随... 通过大量的实验研究证明：Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料对烧成温度比较敏感，样品的烧成温区比较窄，只有２０°左右。同一烧成温度下，保温时间越长，负阻特性能越坏，击穿电压、负值系数下降。降温速率对其负阻特性没有多大影响，采取随炉降温即可获得负阻特性较好的样品。 展开更多

关键词 烧成工艺 铁-铜系 陶瓷材料 负阻特性

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Nb掺杂ZnO压敏电阻器的缺陷模型

19

作者 李慧峰 许毓春 +1 位作者 王士良 王礼琼 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1995年第2期23-25,共3页

对Ｚｎｏ压敏电阻器高价Ｎｂ掺杂的缺陷模型进行了分析，据此模型对ＺｎＯ压敏电阻器的性进行了讨论。

关键词 压敏电阻器 缺陷模型 氧化锌

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ZnO粉料颗粒度对ZNR性能的影响

20

作者 吕文中 王士良 +1 位作者 曹书云 许毓春 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1991年第6期39-43,共5页

观测了三种不同ZnO粉料的颗粒形貌及分布,并研究了ZnO粉料颗粒度对ZNR的微观结构及电性能的影响。

关键词 氧化锌 颗粒度 压敏电阻器 性能

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