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光盘出版物的版权保护技术
被引量:
1
1
作者
张锋
袁
佑
荣
邓和
《电子科技导报》
1998年第1期28-32,共5页
简要介绍了光盘出版物几种主要版权保护技术的新近进展,着重介绍了它们的特点、作用、工作原理和发展趋势。
关键词
版权保护
地区码
密钥
光盘出版物
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职称材料
用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性
2
作者
冯禹臣
高大超
袁
佑
荣
《半导体光电》
CAS
1987年第2期-,共9页
本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这...
本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。
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关键词
GAAS/ALGAAS
衬底
基片
MBE
激光材料
量子阱材料
外延层
均匀性
双晶衍射
低温光致发光
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职称材料
DVD的版权保护技术
3
作者
张锋
袁
佑
荣
邓和
《电子天府》
1997年第5期69-74,共6页
一、前言音象制品自从成为大众化的消费商品之后,作为一种侵犯知识产权的盗版活动,就成为一个严重的社会、经济和贸易问题,同时也成为一个迫切需要解决的技术问题。音象制品盗版活动的猖獗,极大地打击和损害了软件创作人员、出版商和正...
一、前言音象制品自从成为大众化的消费商品之后,作为一种侵犯知识产权的盗版活动,就成为一个严重的社会、经济和贸易问题,同时也成为一个迫切需要解决的技术问题。音象制品盗版活动的猖獗,极大地打击和损害了软件创作人员、出版商和正规发行销售者的利益,有的甚至被迫停业、转行,或无法再投资开发、出版新的、更好的音象制品。到头来,消费者也深受其害。近年来。
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关键词
DVD
版权保护技术
数字化
多媒体光盘
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职称材料
LPE-GaAs掺Er的研究
4
作者
施益和
李韻仪
+3 位作者
李双喜
丁墨元
周济
袁
佑
荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期101-102,共2页
本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。
关键词
液相处延生长
稀土掺杂
LPE-GaAs
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职称材料
题名
光盘出版物的版权保护技术
被引量:
1
1
作者
张锋
袁
佑
荣
邓和
机构
深圳市先科激光电视有限总公司
出处
《电子科技导报》
1998年第1期28-32,共5页
文摘
简要介绍了光盘出版物几种主要版权保护技术的新近进展,着重介绍了它们的特点、作用、工作原理和发展趋势。
关键词
版权保护
地区码
密钥
光盘出版物
分类号
G230.7 [文化科学]
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职称材料
题名
用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性
2
作者
冯禹臣
高大超
袁
佑
荣
机构
中国科学院长春物理所
出处
《半导体光电》
CAS
1987年第2期-,共9页
文摘
本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。
关键词
GAAS/ALGAAS
衬底
基片
MBE
激光材料
量子阱材料
外延层
均匀性
双晶衍射
低温光致发光
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
DVD的版权保护技术
3
作者
张锋
袁
佑
荣
邓和
机构
深州市先科激光电视有限总公司
出处
《电子天府》
1997年第5期69-74,共6页
文摘
一、前言音象制品自从成为大众化的消费商品之后,作为一种侵犯知识产权的盗版活动,就成为一个严重的社会、经济和贸易问题,同时也成为一个迫切需要解决的技术问题。音象制品盗版活动的猖獗,极大地打击和损害了软件创作人员、出版商和正规发行销售者的利益,有的甚至被迫停业、转行,或无法再投资开发、出版新的、更好的音象制品。到头来,消费者也深受其害。近年来。
关键词
DVD
版权保护技术
数字化
多媒体光盘
分类号
TN946 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
LPE-GaAs掺Er的研究
4
作者
施益和
李韻仪
李双喜
丁墨元
周济
袁
佑
荣
机构
北京有色金属研究总院
北京大学
深圳激光光学系统有限公司
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期101-102,共2页
基金
国家自然科学基本资助课题
文摘
本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。
关键词
液相处延生长
稀土掺杂
LPE-GaAs
Keywords
Liquid-phase epitaxial, Rare earth doped, Photoluminescence (PL)
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光盘出版物的版权保护技术
张锋
袁
佑
荣
邓和
《电子科技导报》
1998
1
下载PDF
职称材料
2
用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性
冯禹臣
高大超
袁
佑
荣
《半导体光电》
CAS
1987
0
下载PDF
职称材料
3
DVD的版权保护技术
张锋
袁
佑
荣
邓和
《电子天府》
1997
0
下载PDF
职称材料
4
LPE-GaAs掺Er的研究
施益和
李韻仪
李双喜
丁墨元
周济
袁
佑
荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
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职称材料
已选择
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