摘要
本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。
In this paper, The epitaxial growth of GaAs crystal doped with Er by LPE has been studied. The quality of the epi-layers and the properties of photoluminescence (PL) are discussed.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期101-102,共2页
Acta Electronica Sinica
基金
国家自然科学基本资助课题
