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福美双在棉花和土壤中残留规律研究 被引量：3
1
作者 宋国春 于建垒 +3 位作者 赵德友 李美 林相璀 蒋保国 《山东农业科学》 2000年第4期32-33,共2页
福美双用于棉花拌种防治苗期病害 ,在棉花植株中降解较快 ,在土壤中半衰期为 2 5～ 3 6天 ,施药后 14～ 2 1天 ,降解 90 %。每 10 0kg棉种用福美双 16 0g和 2 40g(有效成分 )拌种 ,收获期土壤、棉叶、棉籽中均未检出福美双。
关键词 福美双 棉花 土壤残留 农药残留
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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型 被引量：4
2
作者 周郁明 蒋保国 +2 位作者 刘航志 陈兆权 王兵 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5604-5612,共9页
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三... 建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/SiO2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。 展开更多
关键词 通用模拟电路仿真器模型 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管 界面电荷 迁移率 泄漏电流 失效
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SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究 被引量：4
3
作者 周郁明 穆世路 +2 位作者 蒋保国 王兵 陈兆权 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期947-953,共7页
碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路... 碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力.在传统的SiC MOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率.利用该模型讨论了SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间.随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理. 展开更多
关键词 载流子迁移率 电流应力 界面态电荷 泄漏电流 碳化硅MOSFET
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戊菌隆在棉花和土壤中残留规律研究
4
作者 于建垒 宋国春 +3 位作者 赵德友 李美 林相璀 蒋保国 《农业环境保护》 CSCD 北大核心 2001年第2期115-116,共2页
采用田间试验方法 ,研究了戊菌隆农药在棉花和土壤中的残留规律。结果表明 ,每100kg 棉种用戊菌隆75—112 .5g(有效成分 )拌种 ,防治棉花苗期病害 ,戊菌隆在土壤中的残留降解较慢 ,半衰期7.8—10.1d ,施药后35d ,降解达90 %。收获期土... 采用田间试验方法 ,研究了戊菌隆农药在棉花和土壤中的残留规律。结果表明 ,每100kg 棉种用戊菌隆75—112 .5g(有效成分 )拌种 ,防治棉花苗期病害 ,戊菌隆在土壤中的残留降解较慢 ,半衰期7.8—10.1d ,施药后35d ,降解达90 %。收获期土壤、棉叶、棉籽中均未检出戊菌隆。 展开更多
关键词 戊菌隆 棉花 土壤 农药残留规律 脲类杀菌剂
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欧·杜·萨尔特“中国瓷器”述论
5
作者 蒋保国 《陶瓷》 CAS 2022年第8期75-80,共6页
欧·杜·萨尔特的《中国瓷器》是法国首部专门以中国瓷器为研究对象的研究专著。笔者以《中国瓷器》中的瓷器研究为切入点,从专著的著述与出版背景及论述结构、萨尔特的中国瓷器发明论与发展分期、萨尔特的中国瓷器鉴赏与鉴别理... 欧·杜·萨尔特的《中国瓷器》是法国首部专门以中国瓷器为研究对象的研究专著。笔者以《中国瓷器》中的瓷器研究为切入点,从专著的著述与出版背景及论述结构、萨尔特的中国瓷器发明论与发展分期、萨尔特的中国瓷器鉴赏与鉴别理论3个部分,分析了萨尔特的中国瓷器研究思想及《中国瓷器》的历史贡献。总结认为,萨尔特的《中国瓷器》标志着法国的中国瓷器研究的艺术审美性转向,在法国的中国瓷器研究史上具有承前启后的开创性意义。 展开更多
关键词 欧·杜·萨尔特 《中国瓷器》 瓷器研究 鉴赏 鉴别
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场效应晶体管短路失效的数值模型
6
作者 周郁明 蒋保国 +1 位作者 陈兆权 王兵 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期66-73,共8页
为了分析碳化硅和硅两种材料的场效应晶体管的短路失效机理,利用半导体器件模拟软件建立了能够反映碳化硅场效应晶体管和硅场效应晶体管短路失效的数值模型。模型引入了自热效应模拟高电应力下晶体管内部温度变化及热传递过程,引入了福... 为了分析碳化硅和硅两种材料的场效应晶体管的短路失效机理,利用半导体器件模拟软件建立了能够反映碳化硅场效应晶体管和硅场效应晶体管短路失效的数值模型。模型引入了自热效应模拟高电应力下晶体管内部温度变化及热传递过程,引入了福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)隧穿和蒲尔-弗朗克(Poole-Frenkel)发射模拟氧化层的泄漏电流;短路实验结果验证了所建立的数值模型的准确性。通过对比两种晶体管数值模型在相同的短路条件下栅极驱动电压的变化、晶体管内电流线和温度的分布,结果表明,碳化硅场效应晶体管的短路失效主要是晶体管内的温度传递到表面引起金属电极的熔化以及栅极氧化层的严重退化,而硅场效应晶体管的短路失效是由于寄生双极型晶体管的导通导致其体内泄漏电流不可控而引起的灾难性的破坏。 展开更多
关键词 碳化硅 场效应晶体管 短路失效 寄生双极型晶体管 退化
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Bloch函数分数次导数意义的Besov型特征
7
作者 蒋保国 《长沙铁道学院学报》 CSCD 1998年第4期69-73,共5页
证明了Bloch函数在分数次导数意义下具有Besov型特征,并将它推广到B(B_n)。
关键词 BLOCH函数 分数次导数 等价范数 Besov特征
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