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采用滤波结构的28nm触发器抗单粒子翻转研究
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作者 孙雨 赵元富 +4 位作者 岳素格 王亮 李同德 于春青 《现代应用物理》 2022年第1期129-134,共6页
基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位信号均引入双路滤波结构。为研究不同滤波宽度的加固效果,设计了不同的滤波梯度。试验... 基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位信号均引入双路滤波结构。为研究不同滤波宽度的加固效果,设计了不同的滤波梯度。试验结果表明:当LET值为13.1 MeV·cm^(2)·mg^(-1)的Cl离子和LET值为37.3 MeV·cm^(2)·mg^(-1)的Ge离子分别辐射时,对该加固触发器电路分别以不同滤波宽度对SET进行滤波,可完全抑制SEU,且滤波宽度越大,加固效果越显著。 展开更多
关键词 单粒子瞬态效应 滤波梯度 触发器 单粒子翻转加固 重离子试验
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28nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究 被引量:1
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作者 李同德 赵元富 +4 位作者 王亮 舒磊 黄昊 王维 《现代应用物理》 2022年第1期105-109,共5页
随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm... 随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要。组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳米集成电路抗辐射加固设计的主要参考参数之一。设计了一款28 nm体硅工艺单粒子瞬态脉冲宽度检测电路,包括数字电路中常用的反相器、与非门和或非门3种类型的组合逻辑单元,并考虑了驱动能力和输入个数,电路还包括宽量程和高精度的脉冲宽度检测结构。经单粒子效应试验,获得了单粒子辐射在不同逻辑单元中产生的脉冲宽度。试验结果表明:测试电路中的最大脉冲宽度为234 ps,器件组合形式及版图风格等因素导致脉冲宽度不同。分析了器件叉指结构和P管串联结构等组合形式或版图风格对脉冲宽度的影响。 展开更多
关键词 28nm体硅 组合逻辑电路 辐射试验 单粒子瞬态 脉冲宽度
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28nm工艺触发器抗单粒子翻转版图加固技术
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作者 赵元富 +3 位作者 王亮 李同德 孙雨 朱永钦 《现代应用物理》 2022年第1期110-115,共6页
为提高28 nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力,针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究,基于敏感节点对分离和电荷补偿原理,设计了2种抗辐射加固触发器版图结构。同时设计了3种不同敏感节点对分离距离和采用电荷补偿原理加固... 为提高28 nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力,针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究,基于敏感节点对分离和电荷补偿原理,设计了2种抗辐射加固触发器版图结构。同时设计了3种不同敏感节点对分离距离和采用电荷补偿原理加固的触发器链,通过流片和封装后对芯片进行了抗单粒子翻转试验。试验结果表明,采用的2种版图加固方法可使单粒子翻转数下降95%以上;当入射重离子LET值为37 MeV·cm^(2)·mg^(-1)时,电荷补偿原理的版图加固结构抗单粒子翻转性能更强;28 nm工艺下,版图加固最优敏感节点对的距离为3倍标准单位距离。 展开更多
关键词 单粒子翻转 触发器 敏感节点对 单粒子加固设计 重离子试验
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