期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂
被引量：
1
1
作者
李世彬
肖
战
菲
+4 位作者
苏元捷
姜晶
居永峰
吴志明
蒋亚东
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第16期171-176,共6页
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐...
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度仅仅在10^(17)cm^(-3)数量级甚至更低.本研究采用载流子浓度为10^(16)cm^(-3)量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底,用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高达10^(20)cm^(-3)量级的超高电子浓度.准绝缘的体材GaN半导体作衬底时,只有表面自由电子作为极化掺杂源,而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场提供更多的自由电子"源",从而实现超高载流子浓度的n型掺杂.
展开更多
关键词
超高电子浓度
极化诱导掺杂
线性渐变
AlGaN膜
原文传递
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
2
作者
严剑飞
吴志明
+5 位作者
太惠玲
李娴
肖
战
菲
朱涛
熊丽霞
罗振飞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期168-171,279,共5页
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中...
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中时,其载流子的浓度和体电导率逐渐增大,迁移率几乎不受影响;相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏电压增大,线性区向饱和区推进;阈值电压减小,在栅极电压为0时,界面处逐渐形成导电沟道,器件从增强型向耗尽型转变。
展开更多
关键词
CUPC
有机薄膜晶体管
迁移率
体电导率
阈值电压
下载PDF
职称材料
题名
极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂
被引量：
1
1
作者
李世彬
肖
战
菲
苏元捷
姜晶
居永峰
吴志明
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第16期171-176,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:61101029)资助的课题~~
文摘
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度仅仅在10^(17)cm^(-3)数量级甚至更低.本研究采用载流子浓度为10^(16)cm^(-3)量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底,用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高达10^(20)cm^(-3)量级的超高电子浓度.准绝缘的体材GaN半导体作衬底时,只有表面自由电子作为极化掺杂源,而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场提供更多的自由电子"源",从而实现超高载流子浓度的n型掺杂.
关键词
超高电子浓度
极化诱导掺杂
线性渐变
AlGaN膜
Keywords
ultra-high electron concentration, polarization doping, graded AlGaN films
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
2
作者
严剑飞
吴志明
太惠玲
李娴
肖
战
菲
朱涛
熊丽霞
罗振飞
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期168-171,279,共5页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金项目(ZYGX2009J052)
中央高校基本科研业务费学生专用资金项目
文摘
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中时,其载流子的浓度和体电导率逐渐增大,迁移率几乎不受影响;相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏电压增大,线性区向饱和区推进;阈值电压减小,在栅极电压为0时,界面处逐渐形成导电沟道,器件从增强型向耗尽型转变。
关键词
CUPC
有机薄膜晶体管
迁移率
体电导率
阈值电压
Keywords
CuPc
organic thin film transistors
mobility
bulk conductivity
threshold voltage
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂
李世彬
肖
战
菲
苏元捷
姜晶
居永峰
吴志明
蒋亚东
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
2
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
严剑飞
吴志明
太惠玲
李娴
肖
战
菲
朱涛
熊丽霞
罗振飞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
